公开(公告)号：CN113972291A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111185605.9

申请日：2021-10-12

Applicant: 商丘师范学院

Inventor： 李立强 ,  张良 ,  吕志 ,  武世凯 ,  任艺 ,  王一顺 ,  王珂 ,  李姝莹 ,  谷旭 ,  贾子可

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/052 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硫微纳二级阵列及其制备方法和应用，所述的微纳二级阵列由在衬底上生长的规则排列的微米级半导体球冠，和球冠表面的半导体纳米片组成。本发明制得的微纳二级阵列由于其特殊的形貌使其具有较同类薄膜更好的光吸收性能。另外，由于纳米片在微米级球冠表面规则排列，使得从各个角度入射的光线都能够得到吸收的同时降低其对光线入射角度的敏感性。该阵列在光伏领域应用时，能够有效增大对太阳光的吸收，降低光生载流子复合率和太阳能电池的使用成本。