公开(公告)号：CN107216881B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201710326198.6

申请日：2017-05-10

Applicant: 商丘师范学院

Inventor： 尹乃强 ,  丁艳丽 ,  杨同辉 ,  吴萍 ,  王蒙 ,  谷旭

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/62 ,  C09K11/02 ,  G01N21/64 ,  A61K41/00 ,  A61K49/00 ,  A61P35/00

Abstract: 本发明公开了一种量子点掺杂二氧化硅@硫化铜荧光光热探针的制备方法，该方法通过液相反应方式制备量子点掺杂的二氧化硅球@硫化铜的复合探针。在量子点掺杂二氧化硅结构的制备过程中，加入扩孔剂增大二氧化硅结构的孔径尺寸。复合探针可以同时实现对特定癌细胞的荧光标记和光热治疗；利用多孔二氧化硅的多孔结构实现对药物分子的有效负载；量子点被包裹于探针内部，可以提高量子点的荧光强度和降低量子点的生物毒性；硫化铜被链接到二氧化硅表面，可以提高硫化铜的光热效应和其生物相容性。

公开(公告)号：CN107216881A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710326198.6

申请日：2017-05-10

Applicant: 商丘师范学院

Inventor： 尹乃强 ,  丁艳丽 ,  杨同辉 ,  吴萍 ,  王蒙 ,  谷旭

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/62 ,  C09K11/02 ,  G01N21/64 ,  A61K41/00 ,  A61K49/00 ,  A61P35/00

CPC classification number: C09K11/883 ,  A61K41/0052 ,  A61K49/005 ,  A61K49/0067 ,  C09K11/025 ,  C09K11/621 ,  G01N21/6486

Abstract: 本发明公开了一种量子点掺杂二氧化硅@硫化铜荧光光热探针的制备方法，该方法通过液相反应方式制备量子点掺杂的二氧化硅球@硫化铜的复合探针。在量子点掺杂二氧化硅结构的制备过程中，加入扩孔剂增大二氧化硅结构的孔径尺寸。复合探针可以同时实现对特定癌细胞的荧光标记和光热治疗；利用多孔二氧化硅的多孔结构实现对药物分子的有效负载；量子点被包裹于探针内部，可以提高量子点的荧光强度和降低量子点的生物毒性；硫化铜被链接到二氧化硅表面，可以提高硫化铜的光热效应和其生物相容性。

公开(公告)号：CN106981531B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201710238070.4

申请日：2017-04-13

Applicant: 商丘师范学院

Inventor： 李立强 ,  张文星 ,  丁艳丽 ,  王沙沙 ,  贾满满 ,  谷旭 ,  于佳卉

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种三维纳米结构阵列、制备方法及其应用，所述的三维纳米结构阵列是由规则排列的半导体纳米线阵列及在其上辐射状生长的半导体纳米线阵列构成。本发明制得的三维纳米结构阵列中辐射状生长的纳米线直径较小，长度和密度较大，大大增加了材料的比表面积，从而增大了三维纳米结构阵列的对光的吸收面积，使其对光的吸收较一维纳米阵列有明显的增强；同时由于规则排列的纳米线外侧，细小纳米线的辐射状生长，且辐射状生长的纳米线的密度较大，使得从各个角度入射的光线都能够得到很好的吸收，降低了三维纳米结构阵列对光线入射角度的敏感性，在光伏领域应用时可以避免不断随光照角度变化而改变太阳能电池角度，导致成本增加的问题。

公开(公告)号：CN106981531A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710238070.4

申请日：2017-04-13

Applicant: 商丘师范学院

Inventor： 李立强 ,  张文星 ,  丁艳丽 ,  王沙沙 ,  贾满满 ,  谷旭 ,  于佳卉

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L31/035227 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种三维纳米结构阵列、制备方法及其应用，所述的三维纳米结构阵列是由规则排列的半导体纳米线阵列及在其上辐射状生长的半导体纳米线阵列构成。本发明制得的三维纳米结构阵列中辐射状生长的纳米线直径较小，长度和密度较大，大大增加了材料的比表面积，从而增大了三维纳米结构阵列的对光的吸收面积，使其对光的吸收较一维纳米阵列有明显的增强；同时由于规则排列的纳米线外侧，细小纳米线的辐射状生长，且辐射状生长的纳米线的密度较大，使得从各个角度入射的光线都能够得到很好的吸收，降低了三维纳米结构阵列对光线入射角度的敏感性，在光伏领域应用时可以避免不断随光照角度变化而改变太阳能电池角度，导致成本增加的问题。

公开(公告)号：CN113972291A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111185605.9

申请日：2021-10-12

Applicant: 商丘师范学院

Inventor： 李立强 ,  张良 ,  吕志 ,  武世凯 ,  任艺 ,  王一顺 ,  王珂 ,  李姝莹 ,  谷旭 ,  贾子可

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/052 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硫微纳二级阵列及其制备方法和应用，所述的微纳二级阵列由在衬底上生长的规则排列的微米级半导体球冠，和球冠表面的半导体纳米片组成。本发明制得的微纳二级阵列由于其特殊的形貌使其具有较同类薄膜更好的光吸收性能。另外，由于纳米片在微米级球冠表面规则排列，使得从各个角度入射的光线都能够得到吸收的同时降低其对光线入射角度的敏感性。该阵列在光伏领域应用时，能够有效增大对太阳光的吸收，降低光生载流子复合率和太阳能电池的使用成本。