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公开(公告)号：CN109581473B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811524655.3
申请日：2018-12-13
申请人： 四川理工学院 , 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 , 西南科技大学 , 成都理工大学
IPC分类号： G01T3/00
摘要： 本发明公开一种涂硼微孔中子成像探测器及其测量方法，解决现有技术制作工艺复杂、穿丝工艺繁琐、工作可靠性受阳极丝稳定性影响较大，微孔表面涂硼工艺难度大及中子探测效率低的问题。本发明成像探测器包括场笼，阴极板，GEM膜，WSA阳极，石英玻璃片，探测器主体，石英玻璃片设狭缝和硼层。本发明测量方法为中子与硼发生核反应并生成带电粒子。带电粒子进入工作气体电离产生电子，在场笼电场的作用下电子漂移到GEM膜上进行电子信号倍增，并被WSA阳极获取，得到中子位置信息，进行信号探测。本发明制作过程工艺简便，采用玻璃作为涂硼中子探测器的基体材料，减少中子散射对中子测量造成的影响，使中子位置测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN109581473A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811524655.3
申请日：2018-12-13
申请人： 四川理工学院 , 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 , 西南科技大学 , 成都理工大学
IPC分类号： G01T3/00
摘要： 本发明公开一种涂硼微孔中子成像探测器及其测量方法，解决现有技术制作工艺复杂、穿丝工艺繁琐、工作可靠性受阳极丝稳定性影响较大，微孔表面涂硼工艺难度大及中子探测效率低的问题。本发明成像探测器包括场笼，阴极板，GEM膜，WSA阳极，石英玻璃片，探测器主体，石英玻璃片设狭缝和硼层。本发明测量方法为中子与硼发生核反应并生成带电粒子。带电粒子进入工作气体电离产生电子，在场笼电场的作用下电子漂移到GEM膜上进行电子信号倍增，并被WSA阳极获取，得到中子位置信息，进行信号探测。本发明制作过程工艺简便，采用玻璃作为涂硼中子探测器的基体材料，减少中子散射对中子测量造成的影响，使中子位置测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN107272049B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201710569098.6
申请日：2017-07-13
IPC分类号： G01T5/02
摘要： 本发明公开了一种基于脉冲宽度的数字n‑γ甄别方法，包括：在混合辐射场中采用探测器和采集卡进行自触发式数字波形Sn采样并存储；将采样数字波形Sn进行三次样条插值处理，获得4倍采样点的数字波形S4n；数字波形S4n经一阶导数法处理，获得数字波形S4n的峰值点P和峰值Vp；计算最大白噪音Vn与触发阈值VT的比值R，且还为脉冲起止点幅值Vs与峰值Vp的比值；利用比值R，反推获得起止点幅值Vs，并确定脉冲的起始点K和截止点Q；起始点K与截止点Q之间的宽度即为脉冲宽度W，利用脉冲宽度W获得n‑γ甄别结果。该甄别方法具有计算简便、排除主观参数设定影响、甄别准确等优点，在辐射探测技术领域具有很高的实用价值和推广价值。
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公开(公告)号：CN109118947A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810804933.4
申请日：2018-07-20
IPC分类号： G09F3/02
摘要： 本发明公开了一次成型制作目标防伪图案的核孔防伪薄膜的方法，解决了现有技术中工艺复杂，防伪膜机械性能不好，防伪力度差的问题。本发明的方法，利用金属Gd对热中子吸收特性，在塑料薄膜前放置具有镂空防伪图案的Gd mask薄片后，放于热中子束流上进行辐照，在所述塑料薄膜得到核孔组合形成的防仿图案。本发明基于热中子束流辐照，利用金属Gd对热中子吸收特性，一次成型制备核孔防伪膜图案。本发明提高了防伪膜制作门槛，降低了核孔防伪膜图案制作的复杂程度，提高了核孔防伪膜的机械强度，更利于应用。
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公开(公告)号：CN109541675B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201811487228.2
申请日：2018-12-06
摘要： 本发明公开了一种解决已有方法通用性差、工作量大、计算繁冗的层析γ扫描体素效率刻度方法。该方法首先采用MCNP程序计算在TGS系统探测空间和多个γ射线能量下的离散点源效率，结合所提出的点源空间效率函数模型，采用多元非线性回归拟合方法，建立效率刻度函数。其次根据实际核废物桶体素划分方式确定各体素中心位置坐标，通过TGS发射测量获取γ射线能量。最后将体素中心位置坐标和γ射线能量带入效率刻度函数，快速、准确的计算各个体素的效率。采用该方法在探测系统不变的情况下，对于探测区域内的任意核废物桶位置、断层个数、体素划分方式及体素个数，均可快速、准确实现体素效率刻度，使刻度实现过程通用化、简单快捷化，且效率刻度工作量小。
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公开(公告)号：CN109541675A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811487228.2
申请日：2018-12-06
摘要： 本发明公开了一种解决已有方法通用性差、工作量大、计算繁冗的层析γ扫描体素效率刻度方法。该方法首先采用MCNP程序计算在TGS系统探测空间和多个γ射线能量下的离散点源效率，结合所提出的点源空间效率函数模型，采用多元非线性回归拟合方法，建立效率刻度函数。其次根据实际核废物桶体素划分方式确定各体素中心位置坐标，通过TGS发射测量获取γ射线能量。最后将体素中心位置坐标和γ射线能量带入效率刻度函数，快速、准确的计算各个体素的效率。采用该方法在探测系统不变的情况下，对于探测区域内的任意核废物桶位置、断层个数、体素划分方式及体素个数，均可快速、准确实现体素效率刻度，使刻度实现过程通用化、简单快捷化，且效率刻度工作量小。
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公开(公告)号：CN106990429B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201710355479.4
申请日：2017-05-19
摘要： 本发明公开了一种γ、中子双射线能谱测量装置及测量方法，利用一种闪烁晶体同时对γ射线和中子敏感的特性，通过粒子甄别将γ射线信号和中子信号区分，分别对两种信号进行脉冲幅度分析，得到γ沉积谱和中子沉积谱；γ射线在闪烁晶体中具有峰响应，γ沉积谱即为测量的γ射线能谱；而中子在闪烁晶体中是连续响应，中子能谱则通过单能中子的响应矩阵与中子沉积谱最小二乘求解。最后通过能谱数据分析，识别关键核素并计算其含量，计算γ剂量和中子剂量。本发明有效提高了混合辐射场测量的仪器便携性，并避免了γ射线与中子的相互干扰。
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公开(公告)号：CN107272049A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710569098.6
申请日：2017-07-13
IPC分类号： G01T5/02
CPC分类号： G01T5/02
摘要： 本发明公开了一种基于脉冲宽度的数字n-γ甄别方法，包括：在混合辐射场中采用探测器和采集卡进行自触发式数字波形Sn采样并存储；将采样数字波形Sn进行三次样条插值处理，获得4倍采样点的数字波形S4n；数字波形S4n经一阶导数法处理，获得数字波形S4n的峰值点P和峰值Vp；计算最大白噪音Vn与触发阈值VT的比值R，且还为脉冲起止点幅值Vs与峰值Vp的比值；利用比值R，反推获得起止点幅值Vs，并确定脉冲的起始点K和截止点Q；起始点K与截止点Q之间的宽度即为脉冲宽度W，利用脉冲宽度W获得n-γ甄别结果。该甄别方法具有计算简便、排除主观参数设定影响、甄别准确等优点，在辐射探测技术领域具有很高的实用价值和推广价值。
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公开(公告)号：CN110376638A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910655353.8
申请日：2019-07-19
摘要： 本发明公开了一种能够确保寻峰的准确性、提高寻峰的有效性的基于反卷积迭代射线能谱分辨率增强的寻峰方法。该基于反卷积迭代射线能谱分辨率增强的寻峰方法首先通过蒙特卡罗模拟探测器对射线能谱的响应，得到不同能量射线的响应能谱，建立响应矩阵H；探测器测量获得能谱向量y；然后在采用Gold反卷积迭代进行计算，将Gold反卷积迭代后得到的能谱采用一阶导数寻峰法进行寻峰。采用该基于反卷积迭代射线能谱分辨率增强的寻峰方法能够提高射线能谱的能量分辨率，减弱其不对称的严重程度，保证寻峰的准确性。
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公开(公告)号：CN104536029A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510042393.7
申请日：2015-01-28
申请人： 成都理工大学
摘要： 本发明公开了一种门禁检测系统中基于多个NaI探测器的放射性物质定位方法。通过测量γ射线的衰减规律和放射性物质在不同位置与探测器方位角的变化，来确定放射性物质二维定位模型。利用NaI探测器的能量分辨能力对放射性核素进行识别，有效地解决了在多源情况下，不同放射性核素之间的相互干扰，以及对多个不同放射性物质进行同时定位的问题。本发明选取计数较大的最大特征峰计数探测器、及其对侧探测器和对侧第二大特征峰计数探测器，有效地避免了当探测器探测面所占放射性物质的立体角过小或衰减距离过大时，探测器的计数值受统计涨落的影响，造成定位误差增大，甚至靠近边缘处无法定位的情况发生。具有测量时间短，定位准确率高等优点。
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