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公开(公告)号：CN109581473B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811524655.3
申请日：2018-12-13
申请人： 四川理工学院 , 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 , 西南科技大学 , 成都理工大学
IPC分类号： G01T3/00
摘要： 本发明公开一种涂硼微孔中子成像探测器及其测量方法，解决现有技术制作工艺复杂、穿丝工艺繁琐、工作可靠性受阳极丝稳定性影响较大，微孔表面涂硼工艺难度大及中子探测效率低的问题。本发明成像探测器包括场笼，阴极板，GEM膜，WSA阳极，石英玻璃片，探测器主体，石英玻璃片设狭缝和硼层。本发明测量方法为中子与硼发生核反应并生成带电粒子。带电粒子进入工作气体电离产生电子，在场笼电场的作用下电子漂移到GEM膜上进行电子信号倍增，并被WSA阳极获取，得到中子位置信息，进行信号探测。本发明制作过程工艺简便，采用玻璃作为涂硼中子探测器的基体材料，减少中子散射对中子测量造成的影响，使中子位置测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN109581473A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811524655.3
申请日：2018-12-13
申请人： 四川理工学院 , 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 , 西南科技大学 , 成都理工大学
IPC分类号： G01T3/00
摘要： 本发明公开一种涂硼微孔中子成像探测器及其测量方法，解决现有技术制作工艺复杂、穿丝工艺繁琐、工作可靠性受阳极丝稳定性影响较大，微孔表面涂硼工艺难度大及中子探测效率低的问题。本发明成像探测器包括场笼，阴极板，GEM膜，WSA阳极，石英玻璃片，探测器主体，石英玻璃片设狭缝和硼层。本发明测量方法为中子与硼发生核反应并生成带电粒子。带电粒子进入工作气体电离产生电子，在场笼电场的作用下电子漂移到GEM膜上进行电子信号倍增，并被WSA阳极获取，得到中子位置信息，进行信号探测。本发明制作过程工艺简便，采用玻璃作为涂硼中子探测器的基体材料，减少中子散射对中子测量造成的影响，使中子位置测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN109118947A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810804933.4
申请日：2018-07-20
IPC分类号： G09F3/02
摘要： 本发明公开了一次成型制作目标防伪图案的核孔防伪薄膜的方法，解决了现有技术中工艺复杂，防伪膜机械性能不好，防伪力度差的问题。本发明的方法，利用金属Gd对热中子吸收特性，在塑料薄膜前放置具有镂空防伪图案的Gd mask薄片后，放于热中子束流上进行辐照，在所述塑料薄膜得到核孔组合形成的防仿图案。本发明基于热中子束流辐照，利用金属Gd对热中子吸收特性，一次成型制备核孔防伪膜图案。本发明提高了防伪膜制作门槛，降低了核孔防伪膜图案制作的复杂程度，提高了核孔防伪膜的机械强度，更利于应用。
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公开(公告)号：CN107219547A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710385156.X
申请日：2017-05-26
摘要： 本发明公开了一种能够解决现有的SNIP算法对参数以及寻峰和峰区依赖过高问题的利用逐步逼近SNIP计算扣除γ能谱全谱本底的方法；该利用逐步逼近SNIP计算扣除γ能谱全谱本底的方法通过使用滤波窗自适应峰区宽度的改进，同时利用逐步逼近提高本底扣除的精度，为γ能谱的准确分析奠定基础，在第一次计算后直接将被扣除的本底视为新的能谱进行计算；迭代的终止条件不是固定的步数，设置为直到满足前后两次所得到的本底面积的相对误差满足为止。因此采用本发明所述的利用逐步逼近SNIP计算扣除γ能谱全谱本底的方法，避免了人为选取参数，可以极大的提高本底扣除的准确性，而且这种改进并不影响SNIP算法的执行速度，运行效率高。
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公开(公告)号：CN110887853B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201811043829.4
申请日：2018-09-07
IPC分类号： G01N23/044
摘要： 本发明公开了一种解决已有方法通用性差、工作量大、准确度低问题的体素衰减效率加权平均的SGS断层效率刻度方法。该方法首先通过建立空间点源效率函数确定SGS断层体素的无衰减效率，然后计算体素发射的γ射线进入探测器过程中在不同断层里的衰减长度，结合各断层的线衰减系数确定体素的衰减效率，最后对断层中所有体素的衰减效率进行加权平均，实现断层的衰减效率刻度。采用该方法在探测系统不变的情况下，对探测区域内的任意核废物桶位置、断层个数和体素个数，可快速实现断层衰减效率刻度，使刻度实现过程通用化、简单快捷化，避免了蒙特卡罗方法计算量巨大的局限，同时相比传统方法提高了效率刻度准确度。
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公开(公告)号：CN109541675B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201811487228.2
申请日：2018-12-06
摘要： 本发明公开了一种解决已有方法通用性差、工作量大、计算繁冗的层析γ扫描体素效率刻度方法。该方法首先采用MCNP程序计算在TGS系统探测空间和多个γ射线能量下的离散点源效率，结合所提出的点源空间效率函数模型，采用多元非线性回归拟合方法，建立效率刻度函数。其次根据实际核废物桶体素划分方式确定各体素中心位置坐标，通过TGS发射测量获取γ射线能量。最后将体素中心位置坐标和γ射线能量带入效率刻度函数，快速、准确的计算各个体素的效率。采用该方法在探测系统不变的情况下，对于探测区域内的任意核废物桶位置、断层个数、体素划分方式及体素个数，均可快速、准确实现体素效率刻度，使刻度实现过程通用化、简单快捷化，且效率刻度工作量小。
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公开(公告)号：CN109541675A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811487228.2
申请日：2018-12-06
摘要： 本发明公开了一种解决已有方法通用性差、工作量大、计算繁冗的层析γ扫描体素效率刻度方法。该方法首先采用MCNP程序计算在TGS系统探测空间和多个γ射线能量下的离散点源效率，结合所提出的点源空间效率函数模型，采用多元非线性回归拟合方法，建立效率刻度函数。其次根据实际核废物桶体素划分方式确定各体素中心位置坐标，通过TGS发射测量获取γ射线能量。最后将体素中心位置坐标和γ射线能量带入效率刻度函数，快速、准确的计算各个体素的效率。采用该方法在探测系统不变的情况下，对于探测区域内的任意核废物桶位置、断层个数、体素划分方式及体素个数，均可快速、准确实现体素效率刻度，使刻度实现过程通用化、简单快捷化，且效率刻度工作量小。
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公开(公告)号：CN110887853A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811043829.4
申请日：2018-09-07
IPC分类号： G01N23/044
摘要： 本发明公开了一种解决已有方法通用性差、工作量大、准确度低问题的体素衰减效率加权平均的SGS断层效率刻度方法。该方法首先通过建立空间点源效率函数确定SGS断层体素的无衰减效率，然后计算体素发射的γ射线进入探测器过程中在不同断层里的衰减长度，结合各断层的线衰减系数确定体素的衰减效率，最后对断层中所有体素的衰减效率进行加权平均，实现断层的衰减效率刻度。采用该方法在探测系统不变的情况下，对探测区域内的任意核废物桶位置、断层个数和体素个数，可快速实现断层衰减效率刻度，使刻度实现过程通用化、简单快捷化，避免了蒙特卡罗方法计算量巨大的局限，同时相比传统方法提高了效率刻度准确度。
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公开(公告)号：CN107462914A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710816063.8
申请日：2017-09-12
IPC分类号： G01T1/16
摘要： 本发明公开了一种通用性强，工作量小，精度高的确定点源在桶中的位置，可以帮助在SGS还原点源活度计算中节省时间且提高精度的核废物桶分层γ扫描中确定点源径向位置的方法。该方法首先计算所需要的介质线衰减系数值，然后固定角度旋转测量不同角度下探测器计数率，然后拟合探测器计数率随旋转角度变化的曲线，求得探测器计数率最大值点和最小值点，最后通过探测器计数率最值比计算获得点源所在径向位置。采用本发明所述的核废物桶分层γ扫描中确定点源径向位置的方法确定点源径向位置后，可确定点源对应旋转半径的探测效率，可以提高分层γ扫描技术中估计点源活度精度；对进一步估计核废物桶内放射性核素活度分布具有重要意义。
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公开(公告)号：CN107220215A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710387854.3
申请日：2017-05-27
IPC分类号： G06F17/15
摘要： 本发明公开了一种基于矩估计法的能谱响应函数参数初值的计算方法，解决传统方法选择拟合函数初值的盲目性以及可能导致的不正确拟合甚至得到的拟合函数发散等问题。本发明针对探测器响应函数多个参数值选择难的问题，根据矩估计法，将响应函数中各个参数建立方程组，求得等式结果即为各个参数的初值。该方法解决了传统方法的随机性、偶然性，提高响应函数拟合精度和准确性，相比于传统方法，本方法对于探测器响应函数的确定、谱展宽、峰面积计算更加准确、有效，避免因初始值选择错误而导致响应函数拟合失败，同时提高了γ或α能谱分析的速度和精度，且本方法对于自动峰形函数拟合和能谱解析具有重要意义。
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