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公开(公告)号：CN109581473B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811524655.3
申请日：2018-12-13
申请人： 四川理工学院 , 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 , 西南科技大学 , 成都理工大学
IPC分类号： G01T3/00
摘要： 本发明公开一种涂硼微孔中子成像探测器及其测量方法，解决现有技术制作工艺复杂、穿丝工艺繁琐、工作可靠性受阳极丝稳定性影响较大，微孔表面涂硼工艺难度大及中子探测效率低的问题。本发明成像探测器包括场笼，阴极板，GEM膜，WSA阳极，石英玻璃片，探测器主体，石英玻璃片设狭缝和硼层。本发明测量方法为中子与硼发生核反应并生成带电粒子。带电粒子进入工作气体电离产生电子，在场笼电场的作用下电子漂移到GEM膜上进行电子信号倍增，并被WSA阳极获取，得到中子位置信息，进行信号探测。本发明制作过程工艺简便，采用玻璃作为涂硼中子探测器的基体材料，减少中子散射对中子测量造成的影响，使中子位置测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN109541675B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201811487228.2
申请日：2018-12-06
摘要： 本发明公开了一种解决已有方法通用性差、工作量大、计算繁冗的层析γ扫描体素效率刻度方法。该方法首先采用MCNP程序计算在TGS系统探测空间和多个γ射线能量下的离散点源效率，结合所提出的点源空间效率函数模型，采用多元非线性回归拟合方法，建立效率刻度函数。其次根据实际核废物桶体素划分方式确定各体素中心位置坐标，通过TGS发射测量获取γ射线能量。最后将体素中心位置坐标和γ射线能量带入效率刻度函数，快速、准确的计算各个体素的效率。采用该方法在探测系统不变的情况下，对于探测区域内的任意核废物桶位置、断层个数、体素划分方式及体素个数，均可快速、准确实现体素效率刻度，使刻度实现过程通用化、简单快捷化，且效率刻度工作量小。
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公开(公告)号：CN109541675A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811487228.2
申请日：2018-12-06
摘要： 本发明公开了一种解决已有方法通用性差、工作量大、计算繁冗的层析γ扫描体素效率刻度方法。该方法首先采用MCNP程序计算在TGS系统探测空间和多个γ射线能量下的离散点源效率，结合所提出的点源空间效率函数模型，采用多元非线性回归拟合方法，建立效率刻度函数。其次根据实际核废物桶体素划分方式确定各体素中心位置坐标，通过TGS发射测量获取γ射线能量。最后将体素中心位置坐标和γ射线能量带入效率刻度函数，快速、准确的计算各个体素的效率。采用该方法在探测系统不变的情况下，对于探测区域内的任意核废物桶位置、断层个数、体素划分方式及体素个数，均可快速、准确实现体素效率刻度，使刻度实现过程通用化、简单快捷化，且效率刻度工作量小。
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公开(公告)号：CN109581473A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811524655.3
申请日：2018-12-13
申请人： 四川理工学院 , 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 , 西南科技大学 , 成都理工大学
IPC分类号： G01T3/00
摘要： 本发明公开一种涂硼微孔中子成像探测器及其测量方法，解决现有技术制作工艺复杂、穿丝工艺繁琐、工作可靠性受阳极丝稳定性影响较大，微孔表面涂硼工艺难度大及中子探测效率低的问题。本发明成像探测器包括场笼，阴极板，GEM膜，WSA阳极，石英玻璃片，探测器主体，石英玻璃片设狭缝和硼层。本发明测量方法为中子与硼发生核反应并生成带电粒子。带电粒子进入工作气体电离产生电子，在场笼电场的作用下电子漂移到GEM膜上进行电子信号倍增，并被WSA阳极获取，得到中子位置信息，进行信号探测。本发明制作过程工艺简便，采用玻璃作为涂硼中子探测器的基体材料，减少中子散射对中子测量造成的影响，使中子位置测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN107272049B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201710569098.6
申请日：2017-07-13
IPC分类号： G01T5/02
摘要： 本发明公开了一种基于脉冲宽度的数字n‑γ甄别方法，包括：在混合辐射场中采用探测器和采集卡进行自触发式数字波形Sn采样并存储；将采样数字波形Sn进行三次样条插值处理，获得4倍采样点的数字波形S4n；数字波形S4n经一阶导数法处理，获得数字波形S4n的峰值点P和峰值Vp；计算最大白噪音Vn与触发阈值VT的比值R，且还为脉冲起止点幅值Vs与峰值Vp的比值；利用比值R，反推获得起止点幅值Vs，并确定脉冲的起始点K和截止点Q；起始点K与截止点Q之间的宽度即为脉冲宽度W，利用脉冲宽度W获得n‑γ甄别结果。该甄别方法具有计算简便、排除主观参数设定影响、甄别准确等优点，在辐射探测技术领域具有很高的实用价值和推广价值。
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公开(公告)号：CN109118947A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810804933.4
申请日：2018-07-20
IPC分类号： G09F3/02
摘要： 本发明公开了一次成型制作目标防伪图案的核孔防伪薄膜的方法，解决了现有技术中工艺复杂，防伪膜机械性能不好，防伪力度差的问题。本发明的方法，利用金属Gd对热中子吸收特性，在塑料薄膜前放置具有镂空防伪图案的Gd mask薄片后，放于热中子束流上进行辐照，在所述塑料薄膜得到核孔组合形成的防仿图案。本发明基于热中子束流辐照，利用金属Gd对热中子吸收特性，一次成型制备核孔防伪膜图案。本发明提高了防伪膜制作门槛，降低了核孔防伪膜图案制作的复杂程度，提高了核孔防伪膜的机械强度，更利于应用。
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公开(公告)号：CN106990429B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201710355479.4
申请日：2017-05-19
摘要： 本发明公开了一种γ、中子双射线能谱测量装置及测量方法，利用一种闪烁晶体同时对γ射线和中子敏感的特性，通过粒子甄别将γ射线信号和中子信号区分，分别对两种信号进行脉冲幅度分析，得到γ沉积谱和中子沉积谱；γ射线在闪烁晶体中具有峰响应，γ沉积谱即为测量的γ射线能谱；而中子在闪烁晶体中是连续响应，中子能谱则通过单能中子的响应矩阵与中子沉积谱最小二乘求解。最后通过能谱数据分析，识别关键核素并计算其含量，计算γ剂量和中子剂量。本发明有效提高了混合辐射场测量的仪器便携性，并避免了γ射线与中子的相互干扰。
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公开(公告)号：CN107272049A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710569098.6
申请日：2017-07-13
IPC分类号： G01T5/02
CPC分类号： G01T5/02
摘要： 本发明公开了一种基于脉冲宽度的数字n-γ甄别方法，包括：在混合辐射场中采用探测器和采集卡进行自触发式数字波形Sn采样并存储；将采样数字波形Sn进行三次样条插值处理，获得4倍采样点的数字波形S4n；数字波形S4n经一阶导数法处理，获得数字波形S4n的峰值点P和峰值Vp；计算最大白噪音Vn与触发阈值VT的比值R，且还为脉冲起止点幅值Vs与峰值Vp的比值；利用比值R，反推获得起止点幅值Vs，并确定脉冲的起始点K和截止点Q；起始点K与截止点Q之间的宽度即为脉冲宽度W，利用脉冲宽度W获得n-γ甄别结果。该甄别方法具有计算简便、排除主观参数设定影响、甄别准确等优点，在辐射探测技术领域具有很高的实用价值和推广价值。
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