公开(公告)号：CN100377320C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN03817967.9

申请日：2003-07-26

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： 钟宪尧 ,  T·格特

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/321 ,  H01L21/762 ,  H01L21/322 ,  H01L21/32 ,  H01L21/763

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31666 ,  H01L21/3228 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735 ,  H01S5/18311 ,  Y10S438/94

摘要： 本发明涉及一种氧化层的方法及基板的相关支持装置。本发明乃解释了一种处理方法，尤其是一待氧化层在一单基板程序中进行处理的方法，而在该处理期间的处理温度乃直接于该基板(114)、或是在用于该基板(114)的一支持装置(110)处进行记录，因此，其有可能产生具有一精确预先决定的氧化宽度的氧化层。

公开(公告)号：CN1672249A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03817967.9

申请日：2003-07-26

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： 钟宪尧 ,  T·格特

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/321 ,  H01L21/762 ,  H01L21/322 ,  H01L21/32 ,  H01L21/763

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31666 ,  H01L21/3228 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735 ,  H01S5/18311 ,  Y10S438/94

摘要： 本发明涉及一种氧化层的方法及基板的相关支持装置。本发明乃解释了一种处理方法，尤其是一待氧化层在一单基板程序中进行处理的方法，而在该处理期间的处理温度乃直接于该基板(114)、或是在用于该基板(114)的一支持装置(110)处进行记录，因此，其有可能产生具有一精确预先决定的氧化宽度的氧化层。