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公开(公告)号：CN104362141B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410693404.3
申请日：2014-11-26
IPC: H01L25/11 , H01L23/04 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种大功率压接型IGBT模块，模块由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)组成气密性封装壳体。至少一个半导体芯片(1‑1)与第一辅助件(1‑6)、至少一个第二辅助件(1‑2)、至少一个第三辅助件(1‑3)形成的夹层结构布置在子单元壳体(1)与子单元壳盖组件(2)之间的气密性壳体内。不少于一个的上述子单元平行排布在模块外壳(3)中形成大功率IGBT模块。本发明涉及的IGBT模块具有低热阻，高可靠性及适于串联使用的优点。
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公开(公告)号：CN104459277A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410734225.X
申请日：2014-12-04
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明提供了一种大功率压接型IGBT模块电流检测方法，包括步骤1：将罗氏线圈嵌入压接型IGBT的封装内部，采集IGBT芯片的电流信号；步骤2：压接型IGBT的主控单元依据电流信号调整IGBT芯片的驱动信号，以平衡IGBT芯片电流；若压接型IGBT由N个IGBT芯片并联组成时，在每个IGBT芯片对应的凸台的外围套置一个罗氏线圈；若压接型IGBT包括M个并联的IGBT模块，每个IGBT模块由N个IGBT芯片并联组成时，将每个IGBT模块中N个IGBT芯片对应的凸台作为一个凸台组，在每个IGBT模块的凸台组的外围套置一个罗氏线圈。与现有技术相比，本发明提供的一种大功率压接型IGBT模块电流检测方法，能够实现对大功率IGBT的并联均流控制和保护。
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公开(公告)号：CN103624357A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310687706.5
申请日：2013-12-13
Applicant: 国家电网公司 , 国网智能电网研究院 , 国网浙江省电力公司金华供电公司
CPC classification number: B23K1/19 , B23K1/20 , B23K26/361 , B23K35/262 , B23K35/3603 , B23K2101/32 , G01N1/28
Abstract: 本发明属于金属连接领域，具体涉及一种电化学腐蚀试验用低碳钢、紫铜导线的低温连接方法。本发明提供的一种电化学腐蚀试验用低碳钢、紫铜导线的低温连接方法通过将低碳钢试样打磨、洗净后预热，利用加热板将试样加热到240℃～260℃，将混合钎剂布撒到母材打磨后的焊接位置，同时将钎料持续送入焊接位置的熔化液滴中，将浸镀过焊锡的紫铜导线直接插入低碳钢试样焊接位置的焊锡液滴，润湿形成完整的接头，待液滴完全凝固后，可静置冷却至室温得到。本发明提供的连接方法相较于传统焊接方式，具有设备简单、原料简单、工艺简便、焊接温度低等优点。利用本发明提供的连接方法得到的焊接接头具有电阻率低，接头的可重复性好的优良性能。
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公开(公告)号：CN103624357B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310687706.5
申请日：2013-12-13
Applicant: 国家电网公司 , 国网智能电网研究院 , 国网浙江省电力公司金华供电公司
Abstract: 本发明属于金属连接领域，具体涉及一种电化学腐蚀试验用低碳钢、紫铜导线的低温连接方法。本发明提供的一种电化学腐蚀试验用低碳钢、紫铜导线的低温连接方法通过将低碳钢试样打磨、洗净后预热，利用加热板将试样加热到240℃～260℃，将混合钎剂布撒到母材打磨后的焊接位置，同时将钎料持续送入焊接位置的熔化液滴中，将浸镀过焊锡的紫铜导线直接插入低碳钢试样焊接位置的焊锡液滴，润湿形成完整的接头，待液滴完全凝固后，可静置冷却至室温得到。本发明提供的连接方法相较于传统焊接方式，具有设备简单、原料简单、工艺简便、焊接温度低等优点。利用本发明提供的连接方法得到的焊接接头具有电阻率低，接头的可重复性好的优良性能。
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公开(公告)号：CN104459277B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410734225.X
申请日：2014-12-04
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明提供了一种大功率压接型IGBT模块电流检测方法，包括步骤1：将罗氏线圈嵌入压接型IGBT的封装内部，采集IGBT芯片的电流信号；步骤2：压接型IGBT的主控单元依据电流信号调整IGBT芯片的驱动信号，以平衡IGBT芯片电流；若压接型IGBT由N个IGBT芯片并联组成时，在每个IGBT芯片对应的凸台的外围套置一个罗氏线圈；若压接型IGBT包括M个并联的IGBT模块，每个IGBT模块由N个IGBT芯片并联组成时，将每个IGBT模块中N个IGBT芯片对应的凸台作为一个凸台组，在每个IGBT模块的凸台组的外围套置一个罗氏线圈。与现有技术相比，本发明提供的一种大功率压接型IGBT模块电流检测方法，能够实现对大功率IGBT的并联均流控制和保护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104362141A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410693404.3
申请日：2014-11-26
IPC: H01L25/11 , H01L23/04 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种大功率压接型IGBT模块，模块由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)组成气密性封装壳体。至少一个半导体芯片(1-1)与第一辅助件(1-6)、至少一个第二辅助件(1-2)、至少一个第三辅助件(1-3)形成的夹层结构布置在子单元壳体(1)与子单元壳盖组件(2)之间的气密性壳体内。不少于一个的上述子单元平行排布在模块外壳(3)中形成大功率IGBT模块。本发明涉及的IGBT模块具有低热阻，高可靠性及适于串联使用的优点。
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公开(公告)号：CN204230238U
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201420721791.2
申请日：2014-11-26
IPC: H01L25/11 , H01L23/04 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型涉及一种大功率压接型IGBT模块，模块由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)组成气密性封装壳体。至少一个半导体芯片(1-1)与第一辅助件(1-6)、至少一个第二辅助件(1-2)、至少一个第三辅助件(1-3)形成的夹层结构布置在子单元壳体(1)与子单元壳盖组件(2)之间的气密性壳体内。不少于一个的上述子单元平行排布在模块外壳(3)中形成大功率IGBT模块。本实用新型涉及的IGBT模块具有低热阻，高可靠性及适于串联使用的优点。
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公开(公告)号：CN108387783A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201711432966.2
申请日：2017-12-26
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网公司
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置，其中方法包括：获取待测IGBT器件在开通瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同开通电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同开通电压值；根据测试参数，分别建立至少四个电压关系式，其分别包含四个不同的设定参数，四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值；计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在开通瞬态下其集电极多个不同开通电流值和发射极与集电极之间的多个不同开通电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。
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公开(公告)号：CN108281405A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201711307593.6
申请日：2017-12-11
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L23/488 , H01L29/739 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种功率器件封装结构及方法，该功率器件封装结构包括：第一组件、至少一个发射极上金属片和至少一个功率器件，至少一个发射极上金属片与至少一个功率器件一一对应设置；第一组件从上至下依次包括发射极顶板、第一弹簧、挡板及第二弹簧，第一弹簧和第二弹簧均为至少一个，第一弹簧、第二弹簧与发射极上金属片一一对应设置；第一组件设置在至少一个发射极上金属片上，至少一个发射极上金属片设置在至少一个功率器件上，功率器件的发射极在功率器件上侧；功率器件的栅极在功率器件上侧，通过栅极探针连接至挡板上。相比现有采用引线键合的方式将功率器件的栅极引出的方案，本发明避免了寄生电感的增加，增强了功率器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN107731701A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710842123.3
申请日：2017-09-18
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L2224/83053 , H01L2224/83095 , H01L2224/8384
Abstract: 本发明提供的半导体器件的烧结方法及半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括半导体芯片、金属基板以及设置在所述半导体芯片与所述金属基板之间的焊膏，半导体器件的烧结方法包括：将所述半导体器件升温至第一预定温度；在酸性环境下保持所述第一预定温度第一预定时间；将所述半导体器件继续升温至第二预定温度，所述第二预定温度大于所述第一预定温度；保持所述第二预定温度第二预定时间。可以使焊膏内部的组织充分均匀化，有利于焊膏内部各成分之间的均匀扩散，提高了整个焊膏的导电性能。
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