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公开(公告)号：CN105811942B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201410850809.3
申请日：2014-12-30
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/08
摘要： 本发明涉及一种带有过流保护功能的MOSFET驱动电路及其应用方法，所述电路包括隔离电路、脉冲放大电路、过流检测电路、逻辑处理电路和保护执行电路；所述隔离电路、脉冲放大电路、电阻和MOSFET依次连接；所述隔离电路、保护执行电路、逻辑处理电路和过流检测电路依次连接。所述方法包括脉冲信号经隔离电路进入到脉冲放大电路，脉冲放大电路将信号功率放大，其输出侧经门极电阻连接MOSFET门极；过流检测电路连接MOSFET的S极，当MOSFET的S极流过的电流达到保护阈值时，过流检测电路检测到过流状态，逻辑处理电路的输出电平跳变，触发保护执行电路，将脉冲放大电路的输入侧脉冲信号封锁，MOSFET关断。
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公开(公告)号：CN105389421A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510686381.8
申请日：2015-10-21
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管C5D50065D的仿真模型，包括相互串联的第一压控电流源和温控电阻；与第一压控电流源和温控电阻并联的第二压控电流源，其中，第一压控电流源用于模拟碳化硅肖特基二极管的正向特性和反向特性，温控电阻用于模拟碳化硅肖特基二极管的漂移区电阻，第二压控电流源用于模拟碳化硅肖特基二极管的结电容；为第一压控电流源、温控电阻和第二压控电流源进行建模的建模模块。本发明具有如下优点：不需要建模者具有深入的器件半导体知识和专业的器件测试条件，为碳化硅肖特基二极管C5D50065D的建模提供了一种新的思路，能够广泛应用于含有碳化硅肖特基二极管C5D50065D的电力电子电路仿真。
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公开(公告)号：CN105389421B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201510686381.8
申请日：2015-10-21
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管C5D50065D的仿真模型，包括相互串联的第一压控电流源和温控电阻；与第一压控电流源和温控电阻并联的第二压控电流源，其中，第一压控电流源用于模拟碳化硅肖特基二极管的正向特性和反向特性，温控电阻用于模拟碳化硅肖特基二极管的漂移区电阻，第二压控电流源用于模拟碳化硅肖特基二极管的结电容；为第一压控电流源、温控电阻和第二压控电流源进行建模的建模模块。本发明具有如下优点：不需要建模者具有深入的器件半导体知识和专业的器件测试条件，为碳化硅肖特基二极管C5D50065D的建模提供了一种新的思路，能够广泛应用于含有碳化硅肖特基二极管C5D50065D的电力电子电路仿真。
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公开(公告)号：CN105811942A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410850809.3
申请日：2014-12-30
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/08
摘要： 本发明涉及一种带有过流保护功能的MOSFET驱动电路及其应用方法，所述电路包括隔离电路、脉冲放大电路、过流检测电路、逻辑处理电路和保护执行电路；所述隔离电路、脉冲放大电路、电阻和MOSFET依次连接；所述隔离电路、保护执行电路、逻辑处理电路和过流检测电路依次连接。所述方法包括脉冲信号经隔离电路进入到脉冲放大电路，脉冲放大电路将信号功率放大，其输出侧经门极电阻连接MOSFET门极；过流检测电路连接MOSFET的S极，当MOSFET的S极流过的电流达到保护阈值时，过流检测电路检测到过流状态，逻辑处理电路的输出电平跳变，触发保护执行电路，将脉冲放大电路的输入侧脉冲信号封锁，MOSFET关断。
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公开(公告)号：CN104037794A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410275915.3
申请日：2014-06-19
IPC分类号： H02J3/30
CPC分类号： Y02E60/16
摘要： 本发明涉及一种飞轮储能系统及其控制方法，飞轮储能系统包括两个三相电压型PWM变流器、LCL滤波器和直流支撑电容；两个三相电压型PWM变流器通过直流母线上并联的直流支撑电容相互连接，其中一个三相电压型PWM变流器通过输出LCL滤波器与电网侧连接，另一个三相电压型PWM变流器与永磁同步电机连接，为永磁同步电机的定子电枢绕组供电。控制方法基于复矢量PI电流调节器的控制实现，包括电网侧三相电压型PWM变流器控制策略和电机侧三相电压型PWM变流器控制策略；本发明消除系统对电路参数的依赖性，增加系统鲁棒性，采用复矢量PI电流调节器的零极点能完全抵消，不受电感参数等变化的影响，控制性能更加优异。
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公开(公告)号：CN104660079A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510102606.0
申请日：2015-03-09
IPC分类号： H02M7/483
CPC分类号： Y02B70/1483 , Y02P80/112 , H02M3/33523 , H02M2001/0054
摘要： 本发明提供了一种基于碳化硅MOSFET的三电平双谐振变流器包括开关单元、谐振单元和负载单元；谐振单元包括并联的第一谐振电路和第二谐振电路；负载单元包括依次并联的全桥电路、滤波电容Co和负载电阻RLd；全桥电路接入变压器的副边绕组。与现有技术相比，本发明提供的一种基于碳化硅MOSFET的三电平双谐振变流器，能够降低碳化硅MOSFET的电流电压应力和开关损耗，提高了变流器的整体效率。
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公开(公告)号：CN113839596B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202110929658.0
申请日：2021-08-13
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： H02P21/32 , H02P21/18 , H02P23/14 , H02P25/022
摘要： 本发明涉及一种永磁电机初始转子位置及速度检测方法，具体包括：步骤1：设计采样电路，利用采样电路对断电状态下永磁同步电机反电势正弦线电压进行采样，输出脉冲信号；步骤2：将采样电路输出脉冲信号输入至控制器，利用控制器对电机转子位置和电机转速进行估计，得到估计值；步骤3：利用电机转子位置和电子转速的估计值进行带速重投控制操作。本发明提出了一种简单低成本的电压检测方法，设计了采样电路，通过输出脉冲信息可简单估计出电机转子位置和转速信息，为无位置传感器条件下电机带速重投控制提供了较为准确的电机转子位置初始角和初始转速，实现了较好的带速重投控制的性能。
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公开(公告)号：CN112821730B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110196868.3
申请日：2021-02-22
申请人： 北京交通大学
摘要： 本发明公开了一种新型驱动拓扑及其驱动方法与串扰抑制方法，适用于半桥电路的碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管，包括原边逻辑处理单元、两个隔离单元、两个副边逻辑处理单元、两个多电平驱动电路、两个驱动电阻网络、两个关断漏极电流检测反馈电路。本发明根据检测电路反馈信息确定下一次多电平脉冲信号，可以检测反馈自适应以优化关断特性，通过副边逻辑控制单元做减法运算有效消除检测电路固有检测电路硬件延迟的影响，从而抑制半桥电路开关管的关断瞬态振荡与电压过冲。在主动管动作时，通过调整被动管的栅源极电平来抑制串扰的影响，从而防止寄生开通与栅源极负压过冲，从而提高器件的使用可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN113098306B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110341629.2
申请日：2021-03-30
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： H02M7/483 , H02M7/5395
摘要： 本发明涉及一种五电平及多电平层叠式多单元变换器调制控制方法，五电平层叠式多单元变换器，包括三个桥臂，每个桥臂为一相。每个桥臂均包括：第一模块单元、第二模块单元、上悬浮电容和下悬浮电容；多电平层叠式多单元变换器，包括三个桥臂，每个桥臂为一相。每个桥臂均包括：n个模块单元、n‑1个上悬浮电容和n‑1个下悬浮电容；所述载波调制方法相比原有方法的主要优势在于直接通过载波比较方式获取各个开关管的驱动信号，且能实现对于所述五电平及多电平层叠式多单元变换器中点电压和悬浮电容电压的同时控制。此外，该方案自然的避免了大换流回路开关切换过程，具有动态响应快、悬浮电容电压波动小、开关频率更低的优势。
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公开(公告)号：CN105576984A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610108244.0
申请日：2016-02-26
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： H02M3/335
CPC分类号： Y02B70/1491 , H02M3/33553
摘要： 本发明公开了一种用于列车辅助供电的软开关隔离DC-DC变换器，该变换器包括：用于对接入变换器的电源电压进行升压处理，获得预定高电压的升压模块、基于当前时刻的电路状态，实现零电流关断的谐振模块和根据当前升压模块的关断状态，将预定电压逆变为预定低电压的逆变模块；所述升压模块、谐振模块和逆变模块依次串联连接。本发明所述技术方案能够减小电路总的尺寸和重量，同时，能够在输出功率的整个范围内的操作保证较高准确性，即使在空载的情况下，也无需更改变换器的控制方式。
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