-
公开(公告)号：CN205151012U
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201520878055.2
申请日：2015-11-05
申请人： 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司 , 国网浙江省电力公司检修分公司
IPC分类号： B65G35/00
摘要： 本申请公开了一种接地线辅助装置，包括具有梯子形状的接地线支架，所述接地线支架的底端垂直固定有基座，所述基座的底面连接有滚动部件，所述支架上设置有用于缠绕接地线的轮毂，所述轮毂上设置有用于连接接地线的接地端的卡扣，所述支架上还设置有用于连接设备的接地线的导体端。本实用新型提供的上述接地线辅助装置，存放搬运便捷，挂设方便，能够实现单人轻松操作，从而提高操作效率。
-
公开(公告)号：CN106298693A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510240562.8
申请日：2015-05-13
申请人： 国网智能电网研究院 , 国网浙江省电力公司国家电网公司
CPC分类号： H01L23/3171 , H01L21/56
摘要： 本发明涉及一种高压芯片钝化层的制造方法，包括：制造高压芯片正面；背面减薄加工；制造高压芯片钝化层；制造除背面减薄工艺的高压芯片背面。本发明提供的技术方案在高压芯片制造过程中，将钝化层工艺进行优化，减少芯片的应力，增强钝化层与芯片的粘合，提高钝化层在后续工艺及应用中的可靠性，提高高压芯片的可靠性。
-
公开(公告)号：CN106033773A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510123044.8
申请日：2015-03-19
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及一种具有空穴旁路结构的IGBT器件及其制造方法，在IGBT器件有源区设有多晶侧壁保护结构、浅P+结构和P+深基区；所述多晶侧壁保护结构位于多晶硅栅极两侧；所述浅P+结构位于N+区和P-基区之间；所述P+深基区设置于P-基区的外侧且包围P-基区，形成空穴旁路结构。本发明引入高掺杂P+深基区，改善了空穴流分布，改善了电场分布，减少了寄生晶闸管栓锁，提高了IGBT可靠性。
-
公开(公告)号：CN106298897A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510249973.3
申请日：2015-05-15
申请人： 国网智能电网研究院 , 国网浙江省电力公司国家电网公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种具有分离式集电极的平面栅IGBT，包括衬底、依次设置在衬底上的正面金属电极、隔离氧化膜和平面栅极，平面栅极与衬底之间的P阱区，依次设置于P阱区内N+型掺杂区和P+型掺杂区，依次设置于衬底背面的背面N型低掺杂缓冲区和背面P+集电区，在背面P+集电区上设有采用绝缘介质填充的背面凹槽，背面凹槽深度大于、等于或小于背面P+集电区的厚度，绝缘介质完全或部分填充凹槽，绝缘介质与P+集电区有交叠，本发明在传统的平面栅型IGBT基础上，通过增加浅凹槽或氧化层隔离结构形成分离式集电极，此结构有效抑制IGBT器件的空穴注入效率，避免过大的反向恢复电荷；有效抑制IGBT器件关断过程中的拖尾电流，降低关断损耗，使得开关速度更快。
-
公开(公告)号：CN106033772A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510122358.6
申请日：2015-03-19
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/0684 , H01L29/42312 , H01L29/66333
摘要： 本发明涉及一种具有改善安全工作区的IGBT器件及其制造方法，在所述IGBT器件有源区设有多晶侧壁保护结构和浅P+结构；所述多晶侧壁保护结构位于多晶硅栅极两侧；所述浅P+结构位于N+区和P-基区之间；在N+区预留空穴通路，形成空穴旁路结构。本发明引入spacer工艺，引入浅P+掺杂工艺；该发明无需增加光刻，可改善N+区下方掺杂分布，改善了空穴流分布，改善了电场分布，减少了寄生晶闸管栓锁。
-
公开(公告)号：CN204577432U
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201520316286.4
申请日：2015-05-15
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/331
摘要： 本实用新型涉及一种具有分离式集电极的平面栅IGBT，包括衬底、依次设置在衬底上的正面金属电极、隔离氧化膜和平面栅极，平面栅极与衬底之间的P阱区，依次设置于P阱区内N+型掺杂区和P+型掺杂区，依次设置于衬底背面的背面N型低掺杂缓冲区和背面P+集电区，在背面P+集电区上设有采用绝缘介质填充的背面凹槽，背面凹槽深度大于、等于或小于背面P+集电区的厚度，绝缘介质完全或部分填充凹槽，绝缘介质与P+集电区有交叠，本实用新型在传统的平面栅型IGBT基础上，通过增加浅凹槽或氧化层隔离结构形成分离式集电极，此结构有效抑制IGBT器件的空穴注入效率，避免过大的反向恢复电荷；有效抑制IGBT器件关断过程中的拖尾电流，降低关断损耗，使得开关速度更快。
-
公开(公告)号：CN107171368A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710592221.6
申请日：2017-07-19
申请人： 国家电网公司 , 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司西北分部 , 国网陕西省电力公司
摘要： 本发明公开一种基于风电场功率控制的风力发电一次调频功能实现方法，其特征在于，包括：在并网运行集中接入的风电场的有功功率控制装置中，增加风电场功率的下垂频率调节控制策略；并实时监测并网运行集中接入的风电场频率f，当电网频率f超过设定的一次调频死区后根据控制策略计算一次调频动作后风电场功率给定目标值P1，有功功率控制装置将新的功率给定目标值P1重新分配至各风力发电机组，风力发电机组根据指令调节各自出力，实现风电场整体的一次调频功能。本发明不必要求风电场内的单台风电机组具备一次调频能力，直接通过风电场功率控制的手段，使得整个风电场具备类似同步发电机依靠调速器作用产生的一次调频效果。
-
公开(公告)号：CN108521142B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810321926.9
申请日：2018-04-11
申请人： 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司西北分部 , 西安五常电力技术有限公司 , 国家电网公司
摘要： 本发明公开了一种风电机组一次调频协调控制方法，包括以下步骤：1、实时测量并网点系统频率及频率变化率；2、通过变桨距对机组进行减载控制，使风电机组在不同风况下具备稳定的有功调频容量；3、通过转子动能控制引入附加转矩补偿环节，使风电机组具备快速有功响应特性；4、通过转子动能和功率备用协调控制实现了风电机组对系统频率变化的快速、持续响应，本方法适用于各风速，且在不同风速下可以具备同样大小的备用容量，使风机一次调频能力不再受风速大小制约。
-
公开(公告)号：CN107171368B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201710592221.6
申请日：2017-07-19
申请人： 国家电网公司 , 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司西北分部 , 国网陕西省电力公司
摘要： 本发明公开一种基于风电场功率控制的风力发电一次调频功能实现方法，其特征在于，包括：在并网运行集中接入的风电场的有功功率控制装置中，增加风电场功率的下垂频率调节控制策略；并实时监测并网运行集中接入的风电场频率f，当电网频率f超过设定的一次调频死区后根据控制策略计算一次调频动作后风电场功率给定目标值P1，有功功率控制装置将新的功率给定目标值P1重新分配至各风力发电机组，风力发电机组根据指令调节各自出力，实现风电场整体的一次调频功能。本发明不必要求风电场内的单台风电机组具备一次调频能力，直接通过风电场功率控制的手段，使得整个风电场具备类似同步发电机依靠调速器作用产生的一次调频效果。
-
公开(公告)号：CN106908660B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710109551.5
申请日：2017-02-27
申请人： 国家电网公司 , 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司西北分部 , 国网陕西省电力公司 , 西安理工大学
IPC分类号： G01R23/02
摘要： 本发明公开一种非电网大扰动条件下的电网频率静态特性系数测试方法，包括：1)、退出电网并网机组的AGC及其他二次调频调节操作；2)、选择电网中作为电网功率扰动的试验机组；逐步增减试验机组出力，每次增减出力后，稳定一段时间，以便电网通过调节形成新的稳态频率；3)、试验结束后，分析试验过程中电网各个稳点运行工况点总出力与稳定频率，绘制电网总出力与电网稳态频率的关系图，进一步通过数据拟合，得到电网在不同频率段内的频率静态特性关系曲线；该曲线的斜率为实测的电网频率静态特性系数。本发明有效的解决目前电网频率静态特性系数测试方法或者局限性、不确定性很强，易受二次调频影响，或者试验难度和安全风险大的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
129 条记录 (耗时 0.127 秒)
