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公开(公告)号：CN106298897A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510249973.3
申请日：2015-05-15
申请人： 国网智能电网研究院 , 国网浙江省电力公司国家电网公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种具有分离式集电极的平面栅IGBT，包括衬底、依次设置在衬底上的正面金属电极、隔离氧化膜和平面栅极，平面栅极与衬底之间的P阱区，依次设置于P阱区内N+型掺杂区和P+型掺杂区，依次设置于衬底背面的背面N型低掺杂缓冲区和背面P+集电区，在背面P+集电区上设有采用绝缘介质填充的背面凹槽，背面凹槽深度大于、等于或小于背面P+集电区的厚度，绝缘介质完全或部分填充凹槽，绝缘介质与P+集电区有交叠，本发明在传统的平面栅型IGBT基础上，通过增加浅凹槽或氧化层隔离结构形成分离式集电极，此结构有效抑制IGBT器件的空穴注入效率，避免过大的反向恢复电荷；有效抑制IGBT器件关断过程中的拖尾电流，降低关断损耗，使得开关速度更快。
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公开(公告)号：CN106033772A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510122358.6
申请日：2015-03-19
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/0684 , H01L29/42312 , H01L29/66333
摘要： 本发明涉及一种具有改善安全工作区的IGBT器件及其制造方法，在所述IGBT器件有源区设有多晶侧壁保护结构和浅P+结构；所述多晶侧壁保护结构位于多晶硅栅极两侧；所述浅P+结构位于N+区和P-基区之间；在N+区预留空穴通路，形成空穴旁路结构。本发明引入spacer工艺，引入浅P+掺杂工艺；该发明无需增加光刻，可改善N+区下方掺杂分布，改善了空穴流分布，改善了电场分布，减少了寄生晶闸管栓锁。
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公开(公告)号：CN105720107B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201410742344.X
申请日：2014-12-05
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法，该快恢复二极管结构包括N型本征区，缓变可控缓冲区，P型发射区，阳极P+区，阴阳极金属，氧化层；以及局域寿命控制区、全局寿命控制区，本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局域寿命控制方式提高FRD的性能，“波浪型”有源区结构可有效调节阳极注入效率，缓变缓冲层结构采用多次外延方式形成，工艺易控、一致性好，三者结合利于FRD性能的折中优化。
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公开(公告)号：CN106298693A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510240562.8
申请日：2015-05-13
申请人： 国网智能电网研究院 , 国网浙江省电力公司国家电网公司
CPC分类号： H01L23/3171 , H01L21/56
摘要： 本发明涉及一种高压芯片钝化层的制造方法，包括：制造高压芯片正面；背面减薄加工；制造高压芯片钝化层；制造除背面减薄工艺的高压芯片背面。本发明提供的技术方案在高压芯片制造过程中，将钝化层工艺进行优化，减少芯片的应力，增强钝化层与芯片的粘合，提高钝化层在后续工艺及应用中的可靠性，提高高压芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN106033773A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510123044.8
申请日：2015-03-19
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及一种具有空穴旁路结构的IGBT器件及其制造方法，在IGBT器件有源区设有多晶侧壁保护结构、浅P+结构和P+深基区；所述多晶侧壁保护结构位于多晶硅栅极两侧；所述浅P+结构位于N+区和P-基区之间；所述P+深基区设置于P-基区的外侧且包围P-基区，形成空穴旁路结构。本发明引入高掺杂P+深基区，改善了空穴流分布，改善了电场分布，减少了寄生晶闸管栓锁，提高了IGBT可靠性。
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公开(公告)号：CN105720107A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410742344.X
申请日：2014-12-05
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法，该快恢复二极管结构包括N型本征区，缓变可控缓冲区，P型发射区，阳极P+区，阴阳极金属，氧化层；以及局域寿命控制区、全局寿命控制区，本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局域寿命控制方式提高FRD的性能，“波浪型”有源区结构可有效调节阳极注入效率，缓变缓冲层结构采用多次外延方式形成，工艺易控、一致性好，三者结合利于FRD性能的折中优化。
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公开(公告)号：CN204577432U
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201520316286.4
申请日：2015-05-15
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/331
摘要： 本实用新型涉及一种具有分离式集电极的平面栅IGBT，包括衬底、依次设置在衬底上的正面金属电极、隔离氧化膜和平面栅极，平面栅极与衬底之间的P阱区，依次设置于P阱区内N+型掺杂区和P+型掺杂区，依次设置于衬底背面的背面N型低掺杂缓冲区和背面P+集电区，在背面P+集电区上设有采用绝缘介质填充的背面凹槽，背面凹槽深度大于、等于或小于背面P+集电区的厚度，绝缘介质完全或部分填充凹槽，绝缘介质与P+集电区有交叠，本实用新型在传统的平面栅型IGBT基础上，通过增加浅凹槽或氧化层隔离结构形成分离式集电极，此结构有效抑制IGBT器件的空穴注入效率，避免过大的反向恢复电荷；有效抑制IGBT器件关断过程中的拖尾电流，降低关断损耗，使得开关速度更快。
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公开(公告)号：CN204243050U
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201420765448.8
申请日：2014-12-05
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本实用新型涉及一种快恢复二极管，该快恢复二极管结构包括N型本征区，缓变可控缓冲区，P型发射区，阳极P+区，阴阳极金属，氧化层；以及局域寿命控制区、全局寿命控制区，本实用新型采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局域寿命控制方式提高FRD的性能，“波浪型”有源区结构可有效调节阳极注入效率，缓变缓冲层结构采用多次外延方式形成，工艺易控、一致性好，三者结合利于FRD性能的折中优化。
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公开(公告)号：CN106558624B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201510638966.2
申请日：2015-09-30
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L21/28
摘要： 本发明提供一种快速恢复二极管及其制造方法，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)；所述制造方法包括：1)初始氧化；2)形成有源区和分压环；3)形成PN结；4)多晶生长：5)寿命控制；6)多晶场板；7)形成阳极金属电极并表面钝化；8)形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag阴极金属电极。本发明制造方法利用多晶实现激光退火终端保护，避免激光退火导致终端受损以致耐压失效。
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公开(公告)号：CN103594356B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201310385233.3
申请日：2013-08-30
IPC分类号： H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66333 , H01L29/36 , H01L29/7395
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域的制造方法，具体涉及一种场终止型IGBT器件的制造方法。该方法包括下述步骤：选择N型掺杂FZ单晶硅片，厚度根据电压等级确定；从硅片背面离子注入磷杂质并实施高温退火，形成厚度15～70um和掺杂浓度2×1013～2×1015/cm3的N型掺杂缓冲层；腐蚀掉背面保护层，采用腐蚀或喷砂方法将背面打毛，形成吸杂源；去除正面保护层，在硅片正面进行IGBT元胞区的制作；从硅片背面研磨5～30um厚度的硅衬底，背面再腐蚀～2um厚度，留下厚度10～65um的N型缓冲层作为场终止区；完成背面集电极区的制作。本发明不需要昂贵的高能离子注入设备或外延设备可形成10～65um的场终止区，适合1700～6500V场终止型IGBT器件制造。
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