-
公开(公告)号：CN106771930A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710039258.6
申请日：2017-01-17
申请人： 国家电网公司 , 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 清华大学 , 中国电力科学研究院 , 国网陕西省电力公司
IPC分类号： G01R31/12
CPC分类号： G01R31/1263
摘要： 本发明公开一种用于观测接地棒周围土壤冲击放电特性的装置及方法，装置包括回流电极和被试接地棒；回流电极采用同轴金属圆筒结构，回流电极，分三段：两端是对称布置的均压段，中间直线段为测试段；均压段包括依次连接的均压环、四分之一圆弧段和均压直线段；均压直线段与测试段之间通过绝缘圆筒隔开；回流电极轴心放置被试接地棒，被试接地棒与回流电极之间填充土壤；均压段和测试段各通过一条接地线相互连接，最后通过接地线接地；雷电冲击发生器高压输出端接在被试接地棒上，低压输出端接在回流电极的接地线上。利用本发明能够获得土壤中线‑板间隙放电下的电压、电流关系，用于评估测量接地导体周围土壤放电特性，指导接地工程建设。
-
公开(公告)号：CN106841942A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710032007.5
申请日：2017-01-17
申请人： 国家电网公司 , 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 清华大学 , 国网陕西省电力公司 , 中国电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/12
CPC分类号： G01R31/1263
摘要： 本发明公开一种获得冲击下接地体周围土壤电离放电起始场强的方法，采用接地棒与圆筒形回流电极结构测试，通过测量接地棒与回流电极之间土壤的电阻随施加的冲击电压的变化曲线，使用变化曲线的斜率推导出电离放电的其实电压，并通过电磁场理论获得相应接地体周围土壤电离放电起始场强。由于通过接地棒与圆筒之间土壤的电阻变化获得冲击下接地体周围土壤电离放电起始场强，结果更客观；由于采用接地棒与圆筒结构测试，接地棒表面场强更均匀。本发明能够用于评估测量接地导体周围土壤放电特性，指导接地工程建设。
-
公开(公告)号：CN106841942B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710032007.5
申请日：2017-01-17
申请人： 国家电网公司 , 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 清华大学 , 国网陕西省电力公司 , 中国电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明公开一种获得冲击下接地体周围土壤电离放电起始场强的方法，采用接地棒与圆筒形回流电极结构测试，通过测量接地棒与回流电极之间土壤的电阻随施加的冲击电压的变化曲线，使用变化曲线的斜率推导出电离放电的起始电压，并通过电磁场理论获得相应接地体周围土壤电离放电起始场强。由于通过接地棒与圆筒之间土壤的电阻变化获得冲击下接地体周围土壤电离放电起始场强，结果更客观；由于采用接地棒与圆筒结构测试，接地棒表面场强更均匀。本发明能够用于评估测量接地导体周围土壤放电特性，指导接地工程建设。
-
公开(公告)号：CN106771930B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710039258.6
申请日：2017-01-17
申请人： 国家电网公司 , 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 清华大学 , 中国电力科学研究院 , 国网陕西省电力公司
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明公开一种用于观测接地棒周围土壤冲击放电特性的装置及方法，装置包括回流电极和被试接地棒；回流电极采用同轴金属圆筒结构，回流电极，分三段：两端是对称布置的均压段，中间直线段为测试段；均压段包括依次连接的均压环、四分之一圆弧段和均压直线段；均压直线段与测试段之间通过绝缘圆筒隔开；回流电极轴心放置被试接地棒，被试接地棒与回流电极之间填充土壤；均压段和测试段各通过一条接地线相互连接，最后通过接地线接地；雷电冲击发生器高压输出端接在被试接地棒上，低压输出端接在回流电极的接地线上。利用本发明能够获得土壤中线‑板间隙放电下的电压、电流关系，用于评估测量接地导体周围土壤放电特性，指导接地工程建设。
-
公开(公告)号：CN105652139A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201511027777.8
申请日：2015-12-30
申请人： 国家电网公司 , 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 清华大学 , 中国电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/02
CPC分类号： G01R31/025
摘要： 本发明公开一种测试接地网导通性的方法：使用30kHz交流电源替代现有的直流电源，与现有的直流电流测量相比，电压信号更容易测得，测量结果更加可靠。高频下由于电流引线与接地网的互感作用，接地网上的电流主要集中在接地点和电流引线附近，难以流到接地网的其他区域，电流分布很集中；本发明测量结果主要体现接地点和电流引线附近的接地体导通情况，从而实现接地网局部测量，反映接地网局部的腐蚀、断裂情况。由于电流从接地网一点流入，从另外一点流出，电流主要在接地导体内流动，流入周围土壤的电流很少，因此测试结果受土壤电阻率在历史上的变化影响很小，因此可以通过与历史上的测试结果进行比对来判断接地网的导通状况和腐蚀状况。
-
公开(公告)号：CN105486929A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410483980.5
申请日：2014-09-19
IPC分类号： G01R27/20
摘要： 本发明涉及一种考虑火花放电效应的冲击接地电阻计算方法，包括以下步骤：分别确定接地体导体的泄漏电流、轴向电流和节点电位彼此之间的关系；确定所述接地体导体的泄漏电流、轴向电流和节点电位；确定接地体导体段等效半径；确定接地体导体的轴向电阻、自感与频变特性；确定接地体导体的对地自电阻、导体间互阻与时变特性；确定接地体导体节点泄露电流与导体段等效半径的关系。本发明采用电磁场与电路结合的分析法，以电磁场方法求解导体参数，以电路方法求解暂态响应，能够适应复杂形状的接地体，可以综合考虑火花放电效应、电感效应、电位屏蔽效应等冲击大电流情况下可能产生的情况，相比传统的计算方法更加接近冲击状态下接地装置的伏安特性。
-
公开(公告)号：CN118050615A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410024127.0
申请日：2024-01-08
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供了一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构与测量方法，具体为：所述芯片替代结构包括PCB电路板，所述PCB电路板的其中一面包括阳极面，另一面包括阴极面，所述PCB电路板上焊接有已知容值的贴片电容；所述PCB电路板上还设有连接阳极面与贴片电容正极的通路，所述贴片电容的负极与阴极面连接。本发明使用特制的PCB电路板替代芯片，在保证封装结构、电学回路不变的前提下，令电容值已知且精确，从而提高结果的准确程度，测试无需完整产品，方法简便。
-
公开(公告)号：CN116937957A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210365352.1
申请日：2022-04-07
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及可关断器件与晶闸管串联换流器的缓冲回路及其控制方法。其中缓冲回路包括多个相同的桥臂，每个桥臂由晶闸管阀串和可关断阀串串联而成；所述可关断阀串用于延长晶闸管阀串恢复时间；可关断阀串包括相互并联的第一支路、第二支路与第三支路。控制方法包括以下步骤：电流过零或者可关断阀串主动关断时，TVS二极管上会先出现正向电压，晶闸管处在恢复阶段，缓冲电容上没有充电电流；电压逐渐升高，晶闸管完成恢复完全关断时或者完全关断之后，TVS二极管上的电压达到阈值，TVS二极管被击穿；可关断阀串和晶闸管上的电压一起上升。本发明能够使主动器件优先承受正压时晶闸管不会重新导通，同时还可以避免主动器件两端电压过高而烧毁。
-
公开(公告)号：CN116387358B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310645829.6
申请日：2023-06-02
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/744 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/332
摘要： 本发明提供一种门极换流晶闸管及其制备方法。该门极换流晶闸管包括：第一导电类型基区；设置在第一导电类型基区上的第二导电类型基区；第二导电类型基区包括设置在第一导电类型基区上的第二导电类型第三基区、设置在第二导电类型第三基区上的第二导电类型第二基区和设置在第二导电类型第二基区上的第二导电类型第一基区；覆盖第二导电类型第一基区部分上表面的具有凸台结构的第一导电类型发射极；以及位于第二导电类型第一基区和第二导电类型第二基区两侧的第二导电类型掺杂区域。本发明可以提高门极换流晶闸管关断电流的能力。
-
公开(公告)号：CN116387358A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310645829.6
申请日：2023-06-02
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/744 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/332
摘要： 本发明提供一种门极换流晶闸管及其制备方法。该门极换流晶闸管包括：第一导电类型基区；设置在第一导电类型基区上的第二导电类型基区；第二导电类型基区包括设置在第一导电类型基区上的第二导电类型第三基区、设置在第二导电类型第三基区上的第二导电类型第二基区和设置在第二导电类型第二基区上的第二导电类型第一基区；覆盖第二导电类型第一基区部分上表面的具有凸台结构的第一导电类型发射极；以及位于第二导电类型第一基区和第二导电类型第二基区两侧的第二导电类型掺杂区域。本发明可以提高门极换流晶闸管关断电流的能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
99 条记录 (耗时 0.08 秒)