公开(公告)号：CN101802987B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880106579.2

申请日：2008-09-05

申请人： 国立大学法人东北大学 ,  宇部兴产株式会社 ,  宇部日东化成株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  藤村诚 ,  小池匡 ,  番场昭典 ,  小林章洋 ,  绵贯耕平

IPC分类号： H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786

CPC分类号： H05K3/048 ,  H01L21/0331 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/107 ,  H05K2201/0166 ,  H05K2201/0175

摘要： 电子器件的制造方法，在基板上形成的透明树脂膜中，选择性地埋设用于形成栅极的金属膜，在栅极部分通过溅射将金属膜直接形成在基板上，而在栅极部分以外的部分则通过溅射将金属膜形成在绝缘性涂布膜上。随着绝缘性涂布膜被蚀刻去除，绝缘性涂布膜上的金属膜通过化学剥离被去除。本发明提供一种在具有超大面积的基板上均匀形成导体层的制造电子器件的方法。

公开(公告)号：CN101802987A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106579.2

申请日：2008-09-05

申请人： 国立大学法人东北大学 ,  宇部兴产株式会社 ,  宇部日东化成株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  藤村诚 ,  小池匡 ,  番场昭典 ,  小林章洋 ,  绵贯耕平

IPC分类号： H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786

CPC分类号： H05K3/048 ,  H01L21/0331 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/107 ,  H05K2201/0166 ,  H05K2201/0175

摘要： 电子器件的制造方法，在基板上形成的透明树脂膜中，选择性地埋设用于形成栅极的金属膜，在栅极部分通过溅射将金属膜直接形成在基板上，而在栅极部分以外的部分则通过溅射将金属膜形成在绝缘性涂布膜上。随着绝缘性涂布膜被蚀刻去除，绝缘性涂布膜上的金属膜通过化学剥离被去除。本发明提供一种在具有超大面积的基板上均匀形成导体层的制造电子器件的方法。