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公开(公告)号:CN101802987B
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN200880106579.2
申请日:2008-09-05
申请人: 国立大学法人东北大学 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
IPC分类号: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC分类号: H05K3/048 , H01L21/0331 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H05K1/0306 , H05K3/107 , H05K2201/0166 , H05K2201/0175
摘要: 电子器件的制造方法,在基板上形成的透明树脂膜中,选择性地埋设用于形成栅极的金属膜,在栅极部分通过溅射将金属膜直接形成在基板上,而在栅极部分以外的部分则通过溅射将金属膜形成在绝缘性涂布膜上。随着绝缘性涂布膜被蚀刻去除,绝缘性涂布膜上的金属膜通过化学剥离被去除。本发明提供一种在具有超大面积的基板上均匀形成导体层的制造电子器件的方法。
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公开(公告)号:CN101802987A
公开(公告)日:2010-08-11
申请号:CN200880106579.2
申请日:2008-09-05
申请人: 国立大学法人东北大学 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
IPC分类号: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC分类号: H05K3/048 , H01L21/0331 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H05K1/0306 , H05K3/107 , H05K2201/0166 , H05K2201/0175
摘要: 电子器件的制造方法,在基板上形成的透明树脂膜中,选择性地埋设用于形成栅极的金属膜,在栅极部分通过溅射将金属膜直接形成在基板上,而在栅极部分以外的部分则通过溅射将金属膜形成在绝缘性涂布膜上。随着绝缘性涂布膜被蚀刻去除,绝缘性涂布膜上的金属膜通过化学剥离被去除。本发明提供一种在具有超大面积的基板上均匀形成导体层的制造电子器件的方法。
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公开(公告)号:CN101563782B
公开(公告)日:2011-07-13
申请号:CN200780047515.5
申请日:2007-12-19
申请人: 国立大学法人东北大学 , 日本瑞翁株式会社 , 宇部日东化成株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC分类号: H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号: H01L29/4908 , H01L27/1292 , H01L29/78639
摘要: 本发明涉及具有透明性和平坦性优异的栅极绝缘膜的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。由RxMOy表示的氧化物形成的透明绝缘体膜131作为设置在栅极和导电体层之间的栅极绝缘膜。此外,所述透明绝缘体膜131是有下述涂布剂形成,所述涂布剂由将RxMXm-x表示的化合物进行水解缩合反应而得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成,或是将两种以上的上述混合液进行混合而得到。
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公开(公告)号:CN101563782A
公开(公告)日:2009-10-21
申请号:CN200780047515.5
申请日:2007-12-19
申请人: 国立大学法人东北大学 , 日本瑞翁株式会社 , 宇部日东化成株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC分类号: H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号: H01L29/4908 , H01L27/1292 , H01L29/78639
摘要: 本发明涉及具有透明性和平坦性优异的栅极绝缘膜的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。由RxMOy表示的氧化物形成的透明绝缘体膜131作为设置在栅极和导电体层之间的栅极绝缘膜。此外,所述透明绝缘体膜131是有下述涂布剂形成,所述涂布剂由将RxMXm-x表示的化合物进行水解缩合反应而得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成,或是将两种以上的上述混合液进行混合而得到。
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公开(公告)号:CN103339534A
公开(公告)日:2013-10-02
申请号:CN201180062349.2
申请日:2011-12-12
申请人: 宇部日东化成株式会社
IPC分类号: G02B1/11
摘要: 本发明的防反射材料,其为设置在具有透光性的基材表面的至少一部分而成的、由粘合剂、二氧化硅粒子和存留空气构成的涂布膜,其特征在于,所述二氧化硅粒子自基材表面以2层排列,作为基材侧的第1层在铺满粒子的同时,在所述基材与所述二氧化硅粒子之间具有所述存留空气,且第2层的二氧化硅粒子将所述第1层的二氧化硅粒子的一部分覆盖,同时在所述第1层的二氧化硅粒子与所述第2层的二氧化硅粒子之间具有所述存留空气。
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