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公开(公告)号：CN117377794A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037075.X
申请日：2022-05-31
申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 三菱电机株式会社
IPC分类号： C30B33/06
摘要： 一种拼接金刚石晶片与异质半导体的接合体(10)，其由具有多个单晶金刚石基板(1A、1B)间的接合边界部(B1)的拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)接合而成，其中，拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)的接合面(1aa)上的最大起伏差为10nm以下。
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公开(公告)号：CN103250233A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180058658.2
申请日：2011-07-12
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/04
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C16/24 , C23C16/45523 , C23C16/505 , H01L21/02532 , H01L31/1816 , Y02E10/50
摘要： 包括微晶半导体薄膜形成工序，在该微晶半导体薄膜形成工序中，对具备等离子体电极和基板的真空容器内一边连续地供给主成分中包含氢的气体，一边断续地供给至少包含硅或者锗的半导体材料气体，并且与供给所述半导体材料气体的期间和不供给所述半导体材料气体的期间同步地对所述等离子体电极供给不同的高频电力，在所述等离子体电极与所述基板之间的等离子体生成空间中生成等离子体，由此形成微晶半导体薄膜，在所述微晶半导体薄膜形成工序中，对所述半导体材料气体的供给进行接通/关断调制而周期性地供给所述半导体材料气体，将接通所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力设为比关断所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力小，使所述接通/关断调制的调制频率或者所述接通/关断调制的占空比随着时间的推移而变化。
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公开(公告)号：CN103035507A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210365272.2
申请日：2012-09-27
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供基板处理装置、基板处理方法及太阳能电池的制造方法。在玻璃基板表面的除缘部以外的区域形成凹凸形状。处理装置具有：真空容器；基板台，配置在真空容器内并载置基板；气体供给部，从与基板台相对的位置供给处理基板的气体；延伸部，在从与处理面垂直的方向透视时，选择性覆盖处理面周缘部地配置且从真空容器的内壁朝基板台延伸；距离调节机构，在处理基板时使周缘部与延伸部的距离接近以使由气体供给部、延伸部及处理面包围的第一空间和其外侧的第二空间彼此分离，在更换基板时使周缘部与延伸部远离；第一排气口，与第一排气装置连接，在处理基板时对第一空间减压；及第二排气口，与第二排气装置连接，在处理基板时对第二空间减压。
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公开(公告)号：CN103250233B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180058658.2
申请日：2011-07-12
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/505
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C16/24 , C23C16/45523 , C23C16/505 , H01L21/02532 , H01L31/1816 , Y02E10/50
摘要： 包括微晶半导体薄膜形成工序，在该微晶半导体薄膜形成工序中，对具备等离子体电极和基板的真空容器内一边连续地供给主成分中包含氢的气体，一边断续地供给至少包含硅或者锗的半导体材料气体，并且与供给所述半导体材料气体的期间和不供给所述半导体材料气体的期间同步地对所述等离子体电极供给不同的高频电力，在所述等离子体电极与所述基板之间的等离子体生成空间中生成等离子体，由此形成微晶半导体薄膜，在所述微晶半导体薄膜形成工序中，对所述半导体材料气体的供给进行接通/关断调制而周期性地供给所述半导体材料气体，将接通所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力设为比关断所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力小，使所述接通/关断调制的调制频率或者所述接通/关断调制的占空比随着时间的推移而变化。
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公开(公告)号：CN102473612A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080035372.8
申请日：2010-04-26
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/509
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/45565
摘要： 在构成等离子体CVD装置(40)的等离子体电极(30)时，设置：设置有工艺气体导入孔(第2工艺气体导入孔(21a))的主电极部(21)、和安装于主电极部的端部并在与该主电极部之间形成气体扩散空间(DS)的气体喷板部(23)，在气体喷板部中形成用于吐出工艺气体的多个气体吐出孔(23a)，在气体扩散空间内，配置具有用于工艺气体流通的多个气体流通孔(25a)的气体扩散板(25)、和穿过气体扩散板的气体流通孔并将气体喷板部和主电极部热连接的多个传热柱部(27)，在气体流通孔的内壁与穿过该气体流通孔的传热柱部的周面之间形成空隙。
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公开(公告)号：CN108027541B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201680052503.0
申请日：2016-09-08
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
摘要： 本发明涉及TFT基板，像素具有：栅极电极，其选择性地配置在基板之上；栅极绝缘膜，其将栅极电极覆盖；半导体沟道层，其选择性地配置在栅极绝缘膜之上；保护绝缘膜，其配置在半导体沟道层之上；第1层间绝缘膜，其设置在基板之上；源极电极及漏极电极，它们经过将第1层间绝缘膜及保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与半导体沟道层接触；以及像素电极，其是从漏极电极延伸出的，在俯视观察时，以至少与沟道区域重叠的方式在保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜，在俯视观察时，以与半导体沟道层及所1遮光膜重叠的方式在源极电极之上及漏极电极之上配置有第2遮光膜。
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公开(公告)号：CN108027541A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052503.0
申请日：2016-09-08
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G09F9/30 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1259 , H01L27/1288 , H01L29/78633 , H01L29/7869
摘要： 本发明涉及TFT基板，像素具有：栅极电极，其选择性地配置在基板之上；栅极绝缘膜，其将栅极电极覆盖；半导体沟道层，其选择性地配置在栅极绝缘膜之上；保护绝缘膜，其配置在半导体沟道层之上；第1层间绝缘膜，其设置在基板之上；源极电极及漏极电极，它们经过将第1层间绝缘膜及保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与半导体沟道层接触；以及像素电极，其是从漏极电极延伸出的，在俯视观察时，以至少与沟道区域重叠的方式在保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜，在俯视观察时，以与半导体沟道层及所1遮光膜重叠的方式在源极电极之上及漏极电极之上配置有第2遮光膜。
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公开(公告)号：CN102473612B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201080035372.8
申请日：2010-04-26
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/509
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/45565
摘要： 在构成等离子体CVD装置(40)的等离子体电极(30)时，设置：设置有工艺气体导入孔(第2工艺气体导入孔(21a))的主电极部(21)、和安装于主电极部的端部并在与该主电极部之间形成气体扩散空间(DS)的气体喷板部(23)，在气体喷板部中形成用于吐出工艺气体的多个气体吐出孔(23a)，在气体扩散空间内，配置具有用于工艺气体流通的多个气体流通孔(25a)的气体扩散板(25)、和穿过气体扩散板的气体流通孔并将气体喷板部和主电极部热连接的多个传热柱部(27)，在气体流通孔的内壁与穿过该气体流通孔的传热柱部的周面之间形成空隙。
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公开(公告)号：CN102714234A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180005891.4
申请日：2011-01-07
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0201 , H01L31/02013 , H02S40/34 , Y02E10/50
摘要： 本发明的目的在于，提供一种提高了电连接部及绝缘部的长期使用时的可靠性的薄膜太阳能电池模块，并且减少在其制造中使用的部件，简化工序。作为薄膜太阳能电池模块内部的电线（15），使用具有由金属薄板构成的线材、和在线材表面烧结绝缘涂料而形成的厚度比线材的厚度薄的被膜的被覆电线。在与输出电极（21）连接的母线区域（15a）中，在输出电极（21）的相反侧附着有被膜，该面的被膜在弯折区域（15t）中被折返，由此在内部引线区域（15b）中与薄膜太阳能电池单元（10）相对。
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公开(公告)号：CN116868351A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202180093557.2
申请日：2021-02-17
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L29/812
摘要： 本公开的目的在于，在作为基板具有金刚石的氮化物半导体装置中低成本地得到期望的高频特性。在本公开所涉及的氮化物半导体装置(101)中，设置从金刚石层(11)的第1主面(S1)贯通金刚石层(11)、中间层(12)以及氮化物半导体层(13)而到达电极(14)的通路孔(16)。通路孔(16)是具有与金刚石层(11)的第1主面(S1)相接的大口径通路孔(16b)和面对电极(14)且比大口径通路孔(16b)小径并且锥形形状的小口径通路孔(16a)的多级构造。
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