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公开(公告)号：CN113538688B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202110653567.9
申请日：2021-06-11
Applicant: 国网上海市电力公司
IPC: G06T17/20 , G06T3/4038 , G06Q10/20 , G06Q10/0631 , G06Q50/26
Abstract: 本发明涉及一种市政基础设施监测运维方法、系统及存储介质，其中监测运维方法包括：步骤1：建立三维激光扫描仪工作路径，设置路径基准；步骤2：驱动三维激光扫描仪沿预设路径对基础设施结构轮廓进行连续扫描，获得基础设施轮廓点云数据；步骤3：进行点云图像的拼接，获得轮廓特征图；步骤4：获得拼接图像的轮廓特征图与预存的基础设施施工轮廓图之间的匹配度，若匹配度低于预设阈值，则执行步骤5，否则，返回步骤1；步骤5：获取基础设施结构变形区域的变形量数据；步骤6：对变形量数据进行可视化处理，同时进行预警，实现基础设施的监测运维。与现有技术相比，本发明具有布置难度低、成本低、处理速度快等优点。
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公开(公告)号：CN103545269A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310341881.9
申请日：2013-08-07
Abstract: 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种大功率压接式IGBT封装模块。上端盖子、子模块、门极针、下端底座，上端盖子盖于下端底座上，所述子模块设置于上端盖子和下端底座之间，所述门极针设置于下端底座中绝缘底板的凹槽内。所述子模块包括顶部钼片、芯片、底部钼片、导电银片和PBI高性能塑料框架，在所述PBI高性能塑料框架的槽面内顶部钼片、芯片、底部钼片和导电银片自上到下依次压接，所述顶部钼片的上表面与上端盖子的下表面电极接触，所述子模块里导电银片的下表面与下端底座中凸台的上表面压接。本发明具有制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好等优点。
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公开(公告)号：CN103594356A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310385233.3
申请日：2013-08-30
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66333 , H01L29/36 , H01L29/7395 , H01L29/66325
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域的制造方法，具体涉及一种场终止型IGBT器件的制造方法。该方法包括下述步骤：选择N型掺杂FZ单晶硅片，厚度根据电压等级确定；从硅片背面离子注入磷杂质并实施高温退火，形成厚度15～70um和掺杂浓度2×1013～2×1015/cm3的N型掺杂缓冲层；腐蚀掉背面保护层，采用腐蚀或喷砂方法将背面打毛，形成吸杂源；去除正面保护层，在硅片正面进行IGBT元胞区的制作；从硅片背面研磨5～30um厚度的硅衬底，背面再腐蚀～2um厚度，留下厚度10～65um的N型缓冲层作为场终止区；完成背面集电极区的制作。本发明不需要昂贵的高能离子注入设备或外延设备可形成10～65um的场终止区，适合1700～6500V 场终止型 IGBT器件制造。
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公开(公告)号：CN113538688A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110653567.9
申请日：2021-06-11
Applicant: 国网上海市电力公司
Abstract: 本发明涉及一种市政基础设施监测运维方法、系统及存储介质，其中监测运维方法包括：步骤1：建立三维激光扫描仪工作路径，设置路径基准；步骤2：驱动三维激光扫描仪沿预设路径对基础设施结构轮廓进行连续扫描，获得基础设施轮廓点云数据；步骤3：进行点云图像的拼接，获得轮廓特征图；步骤4：获得拼接图像的轮廓特征图与预存的基础设施施工轮廓图之间的匹配度，若匹配度低于预设阈值，则执行步骤5，否则，返回步骤1；步骤5：获取基础设施结构变形区域的变形量数据；步骤6：对变形量数据进行可视化处理，同时进行预警，实现基础设施的监测运维。与现有技术相比，本发明具有布置难度低、成本低、处理速度快等优点。
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公开(公告)号：CN103594356B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201310385233.3
申请日：2013-08-30
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66333 , H01L29/36 , H01L29/7395
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域的制造方法，具体涉及一种场终止型IGBT器件的制造方法。该方法包括下述步骤：选择N型掺杂FZ单晶硅片，厚度根据电压等级确定；从硅片背面离子注入磷杂质并实施高温退火，形成厚度15～70um和掺杂浓度2×1013～2×1015/cm3的N型掺杂缓冲层；腐蚀掉背面保护层，采用腐蚀或喷砂方法将背面打毛，形成吸杂源；去除正面保护层，在硅片正面进行IGBT元胞区的制作；从硅片背面研磨5～30um厚度的硅衬底，背面再腐蚀～2um厚度，留下厚度10～65um的N型缓冲层作为场终止区；完成背面集电极区的制作。本发明不需要昂贵的高能离子注入设备或外延设备可形成10～65um的场终止区，适合1700～6500V场终止型IGBT器件制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531620B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310527108.1
申请日：2013-10-30
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术，具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层；所述N型注入层在有源区包括以下设置方式：所述N型注入层包围P-基区；所述N型注入层包围P-基区且延伸到栅氧化层的下方和所述N型注入层包围P-基区且未包围P-基区拐角处。还提供了一种IGBT芯片的制造方法，本发明中在IGBT设计时引入N型注入层，优化了终端区的设计，降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压，提高了芯片的电流能力。本发明在不影响IGBT芯片其他性能的前提下，通过引入N型注入层，优化IGBT芯片各功能区域的比例，提高了IGBT芯片的电流能力。
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公开(公告)号：CN103531620A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310527108.1
申请日：2013-10-30
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0615 , H01L29/66325
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术，具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层；所述N型注入层在有源区包括以下设置方式：所述N型注入层包围P-基区；所述N型注入层包围P-基区且延伸到栅氧化层的下方和所述N型注入层包围P-基区且未包围P-基区拐角处。还提供了一种IGBT芯片的制造方法，本发明中在IGBT设计时引入N型注入层，优化了终端区的设计，降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压，提高了芯片的电流能力。本发明在不影响IGBT芯片其他性能的前提下，通过引入N型注入层，优化IGBT芯片各功能区域的比例，提高了IGBT芯片的电流能力。
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公开(公告)号：CN103400831A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310308903.1
申请日：2013-07-22
Abstract: 本发明涉及电力半导体器件技术领域的功率器件及其装配方法，具体涉及一种全压接IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块及其装配方法。该IGBT模块包括至少一个IGBT组件、至少一个二极管芯片组件和PCB板，所述至少一个IGBT组件、至少一个二极管芯片组件均被压接在PCB板上对应的孔位内，所述PCB板通过PCB板定位块定位，设置于上、下端盖之间；IGBT封装结构为至少一层IGBT组件和二极管组件组合的叠层结构。本发明不用加工凸出电极群，降低加工量，提升加工效率，降低新产品设计成本，同时可降低模块尺寸及重量；整体结构更加简单紧凑、制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好。
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公开(公告)号：CN113663253A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111008956.2
申请日：2021-08-31
Applicant: 国网上海市电力公司
Abstract: 本发明涉及一种配电装置楼消防系统，包括设置在配电装置楼内的室内消火栓设备、主变水喷雾设备、地下消防水池、地下消防水泵房、消火栓设备给水管和主变水喷雾设备给水管，地下消防水泵房通过消火栓设备给水管和主变水喷雾设备给水管将地下消防水池中的消防用水分别提供给室内消火栓设备和主变水喷雾设备。与现有技术相比，本发明具有占地面积小、运维量少等优点。
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公开(公告)号：CN103545269B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310341881.9
申请日：2013-08-07
Abstract: 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种大功率压接式IGBT封装模块。上端盖子、子模块、门极针、下端底座，上端盖子盖于下端底座上，所述子模块设置于上端盖子和下端底座之间，所述门极针设置于下端底座中绝缘底板的凹槽内。所述子模块包括顶部钼片、芯片、底部钼片、导电银片和PBI高性能塑料框架，在所述PBI高性能塑料框架的槽面内顶部钼片、芯片、底部钼片和导电银片自上到下依次压接，所述顶部钼片的上表面与上端盖子的下表面电极接触，所述子模块里导电银片的下表面与下端底座中凸台的上表面压接。本发明具有制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好等优点。
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