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公开(公告)号：CN117238766A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311238579.0
申请日：2023-09-25
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L29/45 , C09K13/08
摘要： 本发明提供了一种特殊半导体器件的钛铝腐蚀方法，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：在有氧化膜和高温退火镍金属膜的晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层；旋涂光刻胶、进行光刻处理；对铝金属层进行腐蚀；配制钛腐蚀液，对金属钛层进行腐蚀；去除所述光刻胶膜，得到所述金属钛铝层的窗口形貌为预设形状。所述方法达到了既完成金属腐蚀，又不影响腐蚀区域的高温镍膜，氧化膜腐蚀量不影响芯片性能的目的。
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公开(公告)号：CN117233562A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310423112.7
申请日：2023-04-19
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种动态测试平台器件状态检测电路，所述动态测试平台状态检测电路的主回路为双脉冲测试回路，包括电容器、电抗器、被测功率半导体器件、续流二极管；检测电路在双脉冲测试电路的基础上增加第一开关，第二开关，第三开关，第四开关，第五开关，电流探头，熔断器，限流电阻、第一电压源和第二电压源。本发明器件从设备电路入手，通过增加检测电路，克服了传统测试设备因器件故障造成的测试失败问题，保证了测试的快速与稳定性，提高了高压动态测试的可靠性。
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公开(公告)号：CN117096094B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN117096094A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN115799085A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211426344.X
申请日：2022-11-15
摘要： 本发明公开了一种绝缘灌封方法及功率半导体器件，该方法包括：在待灌封样品表面形成涂覆层；在待灌封样品形成涂覆层的表面进行第一层灌封，第一层灌封包括第一灌胶和第一脱气处理，第一脱气处理包括多次真空和正压处理；在待灌封样品进行第一层灌封后的表面进行第二层灌封。通过实施本发明，对待灌封样品构建了三道保护防线，其中，形成的涂覆层能够降低局放起始电压，第一层灌封能够对待灌封样品进行绝缘保护，第二层灌封起到支撑和导热作用，同时能够更好的隔绝外部环境水汽，提高器件可靠性。并且，在进行第一层灌封时，第一脱气处理采用真空和正压反复处理，能够通过改变气体的逃逸系数，促使气泡排除/破裂，从而实现无缺陷灌封。
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公开(公告)号：CN117995676A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211358623.7
申请日：2022-11-01
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/308 , H01L29/06
摘要： 一种制备平缓的碳化硅斜面的方法及终端结构，包括：在碳化硅晶圆表面生长掩膜介质层，在所述掩膜介质层上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶进行光刻处理，得到具有预设倾角的斜面形貌的光刻掩膜；基于所述光刻掩膜，对所述掩膜介质层进行湿法腐蚀，得到具有所述倾角的掩膜介质层形貌；根据所述掩膜介质层形貌对应的倾角，对所述碳化硅晶圆进行干法刻蚀，得到具有目标倾角的碳化硅斜坡。本发明通过将湿法腐蚀和干法腐蚀进行结合，对碳化硅晶圆进行全面刻蚀，最终得到一个平缓的碳化硅斜面；通过本发明的方法能够获得一个平缓的斜面碳化硅形貌，且这种形貌用于终端时，可以使曲率半径变大，电场分散，可以较好的减轻主结电场集中效应。
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公开(公告)号：CN116110785A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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公开(公告)号：CN118039454A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211366740.8
申请日：2022-11-01
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网山西省电力公司信息通信分公司
摘要： 一种提高PECVD生长氧化硅薄膜致密性的方法及碳化硅器件，包括：在衬底晶圆上通过等离子体增强化学的气相沉积方法生长设定厚度的二氧化硅介质层；将所述二氧化硅介质层放置在包含氧气的气体氛围内，在退火温度大于预设温度条件下进行退火处理，形成致密的二氧化硅薄膜。本发明通过在包含氧气的气体氛围内，使退火温度大于预设温度条件下，通过大于预设温度的退火温度、退火时间以及包含氧气的气体氛围内对二氧化硅介质层进行退火，从而可以使二氧化硅介质层中处于畸变位置的一些原子，恢复到正常状态，可以进一步消除冻结的缺陷，发生各种再结晶，从而导致晶粒增大晶界减少，提高二氧化硅薄膜的致密性。
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公开(公告)号：CN117096014A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202211687933.3
申请日：2022-12-27
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L21/311
摘要： 一种半导体器件的刻蚀方法，包括如下步骤：晶圆打标号，晶圆清洗，保护层的形成，涂胶工艺，在一定温度和一定真空度下进行低温真空干燥处理，在一定磁场功率和一定射频偏压功率辅助条件下将高压氮气分散到真空干燥处理后的晶圆上，形成光刻胶掩膜步进式光刻机曝光，曝光后显影，刻蚀，去胶，清洁。本发明用于消除光刻胶膜上形成的微波纹，提高光刻胶的致密性和均匀性，达到精准刻蚀的目的。
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公开(公告)号：CN117080267A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311120002.X
申请日：2023-08-31
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
摘要： 本公开提供一种集成混合式PiN‑肖特基二极管的碳化硅MOSFET，可通过调节p+区域的宽度，自芯片边缘至芯片中央呈递增的非均匀分布规律，降低芯片中央区域较高的结温，使芯片的温度分布较为均匀；同时通过集成混合PiN‑肖特基二极管增强体二极管的导通性能和抗浪涌电流能力，避免外接续流二极管，从而降低电路设计复杂度和系统成本，提高SiC MOSFET可靠性。
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