公开(公告)号：CN111912538B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202010670448.X

申请日：2020-07-13

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网湖北省电力有限公司

发明人： 张雷 ,  陈中圆 ,  李尧圣 ,  李翠 ,  杨晓亮 ,  吴军民

IPC分类号： G01K1/14 ,  H01L23/34

摘要： 本发明提供了一种压接型半导体器件、压接子模块以及弹性测温封装组件，压接型半导体器件包括若干个压接子模块，弹性测温封装组件与芯片组件相贴合，用于对芯片测温，其包括用于与芯片组件贴合测温的测温探头、用于固定测温探头的探头固定件，以及套设于探头固定件外的限位套筒，探头固定件滑动设于限位套筒内，限位套筒的顶端可与芯片组件抵接，限位套筒内设有弹性件。测温探头可以直接与芯片组件相贴合，从而实现接触式测温，实现了对压接型半导体器件内部芯片的直观和有效的测温，满足压接型半导体器件的测温需要，并且准确度较高、使用面积较广、计算方式较简单以及电绝缘性好，不易受到外部环境的干扰。

公开(公告)号：CN111912538A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010670448.X

申请日：2020-07-13

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网湖北省电力有限公司

发明人： 张雷 ,  陈中圆 ,  李尧圣 ,  李翠 ,  杨晓亮 ,  吴军民

IPC分类号： G01K1/14 ,  H01L23/34

摘要： 本发明提供了一种压接型半导体器件、压接子模块以及弹性测温封装组件，压接型半导体器件包括若干个压接子模块，弹性测温封装组件与芯片组件相贴合，用于对芯片测温，其包括用于与芯片组件贴合测温的测温探头、用于固定测温探头的探头固定件，以及套设于探头固定件外的限位套筒，探头固定件滑动设于限位套筒内，限位套筒的顶端可与芯片组件抵接，限位套筒内设有弹性件。测温探头可以直接与芯片组件相贴合，从而实现接触式测温，实现了对压接型半导体器件内部芯片的直观和有效的测温，满足压接型半导体器件的测温需要，并且准确度较高、使用面积较广、计算方式较简单以及电绝缘性好，不易受到外部环境的干扰。

公开(公告)号：CN109412441A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811168432.8

申请日：2018-10-08

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网河北省电力公司 ,  北京交通大学

发明人： 崔梅婷 ,  李金元 ,  孙帅 ,  黄先进 ,  陈中圆 ,  杜玉杰 ,  张西子 ,  杨晓亮 ,  孙辰军

IPC分类号： H02M7/483 ,  H02M7/5387

CPC分类号： H02M7/483 ,  H02M7/5387

摘要： 本发明实施例提供了一种基于逆阻型IGBT的T型三电平拓扑的MMC控制方法，其中，MMC的子模块为基于逆阻型IGBT的T型三电平拓扑结构，该控制方法包括：根据第一三角载波和正弦调制波，生成MMC的子模块中各开关管的PWM驱动脉冲；对MMC的子模块中各开关管的PWM驱动脉冲进行分割，得到分割后的各开关管的PWM驱动脉冲；将分割后的各开关管的PWM驱动脉冲输入各MMC的子模块中，当PWM驱动脉冲为高电平时，控制开关管导通，当PWM驱动脉冲为低电平时，控制开关管关断。通过本发明实施例提供的控制方法,提高了输出电压的等效开关频率，改善了输出电压的波形，得到的输出电压的正弦度好，且谐波含量低。

公开(公告)号：CN116466203A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202210032116.8

申请日：2022-01-12

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李尧圣 ,  李金元 ,  张雷 ,  杨晓亮 ,  陈中圆 ,  陈艳芳 ,  李翠 ,  张祎慧

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R1/02

摘要： 本发明提供的一种IGBT模块的动态参数测试装置，包括电源模块、切换模块及上位机，其中，电源模块的第一端分别与第二待测器件的第一端及切换模块的第一端连接，电源模块的第二端与第一待测器件的第二端连接；切换模块的第二端与第一待测器件的第二端连接，切换模块的第三端与上位机连接，切换模块的第四端分别与第二待测器件的第二端及第一待测器件的第一端连接；上位机还分别与第一待测器件的控制端及第二待测器件的控制端连接。通过设置两条测试回路，使得两个待测器件互为陪测，当对其中一个待测器件测试结束后，通过切换模块，继续选定下一个待测器件接入测试回路进行动态参数测试，避免了人为替换测试器件，从而提高了测试效率。

公开(公告)号：CN111707919A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010608422.2

申请日：2020-06-29

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李尧圣 ,  李金元 ,  杨晓亮 ,  陈中圆 ,  陈艳芳 ,  李翠 ,  刘颖含

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/52

摘要： 本发明公开了一种IGBT器件测试电路及测试方法，测试电路包括：双脉冲测试模块用于测试IGBT的开通、关断性能；电流耐受能力测试模块用于在模拟换流阀双极性短路情况下，对IGBT的电流耐受能力进行测试；采集模块用于采集IGBT集射极电压及发射极电流；保护模块用于当IGBT集射极电压和/或发射极电流超过对应的预设阈值时，切断双脉冲测试模块与IGBT的连接。本发明利用双脉冲测试模块对IGBT的开通、关断性能进行测试，利用电流源持续输出方波电流来模拟换流阀双极性短路情况下，浪涌电流冲击IGBT的情况，从而进一步提高了对IGBT性能测试的全面性及多样性。

公开(公告)号：CN111751697A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010643033.3

申请日：2020-07-06

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 陈中圆 ,  李金元 ,  李尧圣 ,  杨晓亮 ,  陈艳芳 ,  金锐

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本申请提供的一种压接型IGBT热阻检测方法及装置，该方法包括：根据发射极散热器的进水口温度和出水口温度，以及集电极散热器的进水口温度和出水口温度，计算IGBT的发射极与集电极的散热比例；根据IGBT的电流和IGBT发射极与集电极之间的压降，确定IGBT的发热功率；根据IGBT的发射极与集电极的散热比例、IGBT的发热功率、发射极壳温及结温，确定IGBT的发射极侧热阻；根据IGBT的发射极与集电极的散热比例、IGBT的发热功率、集电极壳温及结温，确定IGBT的集电极侧热阻。无需对芯片进行直接接触，解决了无法对压接型IGBT进行热阻检测的技术问题，为判断压接型IGBT器件的可靠性奠定了基础。

公开(公告)号：CN110865291A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201911136076.6

申请日：2019-11-19

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院

发明人： 杨晓亮 ,  崔梅婷 ,  陈艳芳 ,  李翠 ,  陈中圆 ,  李金元

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件大电流关断能力检测电路及方法，所述电路包括：三相不控整流模块、变流器模块、辅助换流器件、被测功率半导体器件和续流吸收回路；三相不控整流模块的正极端子连接所述变流器模块的前级输入正极端子，三相不控整流模块的负极端子连接所述变流器模块的前级输入负极端子；变流器模块的后级输出正极端子分别连接所述辅助换流器件的集电极、被测功率半导体器件的集电极和续流吸收回路的正极端子；变流器模块的后级输出负极端子分别连接所述辅助换流器件的发射极、被测功率半导体器件的发射极和续流吸收回路的负极端子。本发明提供的检测电路提高了检测系统的扩展性和灵活性，检测方法保证检测结果的准确。

公开(公告)号：CN110416194A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910501701.6

申请日：2019-06-11

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 张雷 ,  杨晓亮 ,  杜玉杰 ,  李金元 ,  张西子 ,  陈艳芳

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L29/739 ,  H01L23/04 ,  H01L23/08

摘要： 本发明提供一种用于压接型IGBT的绝缘框架结构，其包括内凹槽、E极立柱、G极立柱、导向隔板和伞裙；导向隔板和伞裙分别位于内凹槽的下侧和外侧，E极立柱和G极立柱均竖直设置在内凹槽内部；伞裙包括至少两层依次排列的L型伞裙片。本发明提供的绝缘框架结构体积小，通用性和稳定性强，易加工，定位简单，可有效解决不同高电压等级下的绝缘配合问题，满足器件内部多芯片并联结构的固定定位要求。本发明采用改性塑料开模注塑成型，可实现批量加工，电气绝缘强度高，抗爬电，机械性能优良，灌胶口和排气孔有利于灌注硅凝胶并排除空气，降低气泡引起的局部放电和受热膨胀带来的不利影响。

公开(公告)号：CN111537105A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN202010362211.5

申请日：2020-04-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 吴鹏飞 ,  李翠 ,  张雷 ,  杨晓亮 ,  李尧圣 ,  李金元 ,  吴军民

IPC分类号： G01K13/00 ,  G01K1/14 ,  G01K1/18

摘要： 本发明提供一种功率半导体器件壳温多点测量装置，设置于换热器(2)上，其包括测温基板(1-1)和多个测温元件(1-2)；所述测温基板(1-1)安装于换热器(2)上，所述多个测温元件(1-2)安装于所述测温基板(1-1)上；测量时，所述多个测温元件(1-2)置于半导体功率器件的外壳上，用于对功率半导体器件壳温进行多点测量，测试过程简单，提高了测试效率和准确性；多个测温元件(1-2)实现功率半导体器件壳温的多点测量，测温基板内部的丰字型沟槽结构布置有效避开了芯片位置，对被测器件电热机械等性能影响小，容易加工；可用于不同封装形式的功率半导体器件壳温测量，通用性好。

公开(公告)号：CN110488172A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910628381.0

申请日：2019-07-12

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 张雷 ,  李尧圣 ,  杜玉杰 ,  李金元 ,  杨晓亮 ,  刘颖含 ,  张祎慧 ,  张西子

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种大功率IGBT结温检测电路、系统及方法，结温检测电路包括：阻断漏电流-结温检测电路和导通压降-结温检测电路，阻断漏电流-结温检测电路用于进行不同温度下被测IGBT器件的阻断漏电流-结温检测标定；导通压降-结温检测电路用于进行不同温度下被测IGBT器件导通压降-结温检测标定，本发明提供的大功率IGBT结温检测电路、系统及方法，可以作为大功率IGBT器件开关全工况的阻断漏电流-结温检测或导通压降-结温检测，也可以对两种不同的检测方式进行对比测试，其过程不需改变安装条件，可自动完成测试，简单易行高效。