一种基于稳态零序电流比较的小电流接地系统选线方法

    公开(公告)号:CN109142968A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201810787658.X

    申请日:2018-07-18

    IPC分类号: G01R31/08

    摘要: 本发明提供一种基于稳态零序电流比较的小电流接地系统选线方法,对于配电网经常出现的单相接地故障类型,该方法通过比较采集上传的稳态零序电流,针对中性点不接地系统和经消弧线圈接地系统,分别比较各条线路稳态零序电流和断开一条线路后各条线路稳态零序电流变化量大小,就可以对接地故障线路进行判别。本发明的小电流接地系统选线方法可以有效地实现对配电网单相接地故障进行判别,同时,采用稳态零序电流进行比较,能够快速并准确选择出接地故障线路。

    一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置

    公开(公告)号:CN109860283A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201910040864.9

    申请日:2019-01-16

    IPC分类号: H01L29/739 H01L21/331

    摘要: 本发明提供了一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置,在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层,并对所述场终止层进行激光退火处理;在所述场终止层的底部形成P+集电极层,并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理;在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层,不需要光刻程序,仅需要一次注入即可形成,简化了制作过程,大大提高了制作效率,降低了制作成本。且本发明通过不同激光退火条件实现有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层激光退火,能够降低终端区P+注入效率,减小过渡区电场积累,提高IGBT可靠性。