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公开(公告)号：CN104253157B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410294991.9
申请日：2014-06-26
申请人： 国际商业机器公司
发明人： M·J·阿鲍-科哈利尔 , A·B·伯塔拉 , M·D·贾菲 , A·J·乔瑟夫 , J·A·斯林克曼
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78654 , H01L21/28123 , H01L21/84 , H01L29/66613
摘要： 本发明涉及薄本体开关晶体管，具体公开了一种集成的凹陷薄本体场效应晶体管及其制造方法。该方法包括使半导体材料的一部分凹陷。该方法还包括在半导体材料的凹陷部分内形成至少一个栅极结构。
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公开(公告)号：CN104253157A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410294991.9
申请日：2014-06-26
申请人： 国际商业机器公司
发明人： M·J·阿鲍-科哈利尔 , A·B·伯塔拉 , M·D·贾菲 , A·J·乔瑟夫 , J·A·斯林克曼
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78654 , H01L21/28123 , H01L21/84 , H01L29/66613 , H01L21/28026 , H01L29/0684
摘要： 本发明涉及薄本体开关晶体管，具体公开了一种集成的凹陷薄本体场效应晶体管及其制造方法。该方法包括使半导体材料的一部分凹陷。该方法还包括在半导体材料的凹陷部分内形成至少一个栅极结构。
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公开(公告)号：CN102668079B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201080052924.6
申请日：2010-09-30
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L29/78603 , H01L21/84 , H01L27/1203
摘要： 公开了一种半导体结构(100)，具有在半导体衬底(110)上的绝缘体层(120)以及在绝缘体层上的器件层(130)。衬底(110)掺杂有具有给定导电类型的相对较低剂量的掺杂剂(111)，从而使其具有相对较高电阻率。此外，半导体衬底紧邻绝缘体层的一部分(102)可以掺杂有稍高剂量的相同掺杂剂(111)、具有相同导电类型的不同掺杂剂(112)及其组合(111和112)。可选地，在该相同部分(102)中形成微腔(122、123)以便使任何电导率的增加与相应电阻率的增加相抵消。提高半导体衬底-绝缘体层界面处的掺杂剂浓度将增大任何所得的寄生电容器的阈值电压(Vt)，并且因此减少了谐波行为。在此也公开了一种用于这种半导体结构的方法和设计结构的实施例。
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公开(公告)号：CN102668079A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080052924.6
申请日：2010-09-30
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L29/78603 , H01L21/84 , H01L27/1203
摘要： 公开了一种半导体结构(100)，具有在半导体衬底(110)上的绝缘体层(120)以及在绝缘体层上的器件层(130)。衬底(110)掺杂有具有给定导电类型的相对较低剂量的掺杂剂(111)，从而使其具有相对较高电阻率。此外，半导体衬底紧邻绝缘体层的一部分(102)可以掺杂有稍高剂量的相同掺杂剂(111)、具有相同导电类型的不同掺杂剂(112)及其组合(111和112)。可选地，在该相同部分(102)中形成微腔(122、123)以便使任何电导率的增加与相应电阻率的增加相抵消。提高半导体衬底-绝缘体层界面处的掺杂剂浓度将增大任何所得的寄生电容器的阈值电压(Vt)，并且因此减少了谐波行为。在此也公开了一种用于这种半导体结构的方法和设计结构的实施例。
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