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公开(公告)号：CN105990391B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201610159010.9
申请日：2016-03-18
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 在形成延伸通过顶部半导体层以及隐埋绝缘体层并且延伸到绝缘体上半导体(SOI)衬底的处理衬底中的第一沟槽之后，在第一沟槽内形成电介质波导材料堆叠，该电介质波导材料堆叠包括下电介质包覆层、核心层以及上电介质包覆层。接下来，在顶部半导体层的剩余部分中形成至少一个横向双极结型晶体管(BJT)，其可以是PNP BJT、NPN BJT或者一对互补的PNP BJT和NPN BJT。在形成延伸通过电介质波导材料堆叠的第二沟槽以重新暴露第一沟槽的底部表面的一部分之后，在第二沟槽中形成激光二极管。
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公开(公告)号：CN105990391A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610159010.9
申请日：2016-03-18
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 在形成延伸通过顶部半导体层以及隐埋绝缘体层并且延伸到绝缘体上半导体(SOI)衬底的处理衬底中的第一沟槽之后，在第一沟槽内形成电介质波导材料堆叠，该电介质波导材料堆叠包括下电介质包覆层、核心层以及上电介质包覆层。接下来，在顶部半导体层的剩余部分中形成至少一个横向双极结型晶体管(BJT)，其可以是PNP BJT、NPN BJT或者一对互补的PNP BJT和NPN BJT。在形成延伸通过电介质波导材料堆叠的第二沟槽以重新暴露第一沟槽的底部表面的一部分之后，在第二沟槽中形成激光二极管。
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公开(公告)号：CN106024582B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201610176673.1
申请日：2016-03-24
申请人： 国际商业机器公司
发明人： E·里欧班端
摘要： 本公开涉及使用公共释放材料形成多堆叠纳米线。一种用于形成多堆叠纳米线器件的方法，包括在衬底上形成公共释放层，公共释放层包含公共释放材料。方法还包括：在公共释放层的第一部分上形成第一多层堆叠，第一多层堆叠包括通过包含公共释放材料的至少一个层分离的至少两个层；以及在公共释放层的第二部分上形成第二多层堆叠，第二多层堆叠包括通过包含公共释放材料的至少一个层分离的至少两个层。方法还包括：将第一多层堆叠和第二多层堆叠中的每个多层堆叠图案化成一个或多个鳍；以及通过使用公共蚀刻工艺去除公共释放材料来从一个或多个鳍形成两个或更多个堆叠纳米线。
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公开(公告)号：CN105990375A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610137306.0
申请日：2016-03-10
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L27/144 , G02B6/00 , G02B6/12004 , G02B2006/12078 , G02B2006/12121 , G02B2006/12123 , H01L21/84 , H01L25/167 , H01L25/50 , H01L27/092 , H01L31/0304 , H01L31/184 , H01L31/1852 , H01S5/021 , H01S5/0261 , H01S5/3211 , H01S5/32316 , H01L27/12 , H01L27/02 , H01L27/1203 , H01L27/14
摘要： 一种用于将光电子器件和硅器件形成在单个芯片上的方法。该方法可以包括：在单个芯片的第一区域和第二区域中形成硅衬底；将锗层形成在至少第一区域中的衬底之上；将光电子器件形成在第一区域中的锗层上，光电子器件具有顶部熔覆层、底部熔覆层以及有源区域，底部熔覆层处在半导体层上，有源区域邻近波导并且处在底部熔覆层上，顶部熔覆层处在有源区域上；以及将硅器件形成在第二区域中的硅层上。
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公开(公告)号：CN106025799A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610188751.X
申请日：2016-03-29
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/021 , H01S5/0422 , H01S5/0424 , H01S5/1032 , H01S5/105 , H01S5/2214 , H01S2301/173 , H01S2304/12 , H01S5/323
摘要： 一种使用纵横比俘获(ART)生长在硅上形成激光器的方法。方法可以包括：在衬底上形成第一绝缘体层；在第一绝缘体层中刻蚀沟槽从而暴露衬底的顶表面；使用ART生长在沟槽中形成缓冲层；在缓冲层上形成激光器，激光器包括至少一个活性区域以及顶部包覆层；以及形成在顶部包覆层上的顶部接触以及在衬底上的底部接触。
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公开(公告)号：CN105990375B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201610137306.0
申请日：2016-03-10
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L27/144 , G02B6/00 , G02B6/12004 , G02B2006/12078 , G02B2006/12121 , G02B2006/12123 , H01L21/84 , H01L25/167 , H01L25/50 , H01L27/092 , H01L31/0304 , H01L31/184 , H01L31/1852 , H01S5/021 , H01S5/0261 , H01S5/3211 , H01S5/32316
摘要： 一种用于将光电子器件和硅器件形成在单个芯片上的方法。该方法可以包括：在单个芯片的第一区域和第二区域中形成硅衬底；将锗层形成在至少第一区域中的衬底之上；将光电子器件形成在第一区域中的锗层上，光电子器件具有顶部熔覆层、底部熔覆层以及有源区域，底部熔覆层处在半导体层上，有源区域邻近波导并且处在底部熔覆层上，顶部熔覆层处在有源区域上；以及将硅器件形成在第二区域中的硅层上。
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公开(公告)号：CN106024582A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610176673.1
申请日：2016-03-24
申请人： 国际商业机器公司
发明人： E·里欧班端
摘要： 本公开涉及使用公共释放材料形成多堆叠纳米线。一种用于形成多堆叠纳米线器件的方法，包括在衬底上形成公共释放层，公共释放层包含公共释放材料。方法还包括：在公共释放层的第一部分上形成第一多层堆叠，第一多层堆叠包括通过包含公共释放材料的至少一个层分离的至少两个层；以及在公共释放层的第二部分上形成第二多层堆叠，第二多层堆叠包括通过包含公共释放材料的至少一个层分离的至少两个层。方法还包括：将第一多层堆叠和第二多层堆叠中的每个多层堆叠图案化成一个或多个鳍；以及通过使用公共蚀刻工艺去除公共释放材料来从一个或多个鳍形成两个或更多个堆叠纳米线。
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