公开(公告)号：CN1294657C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200310121567.6

申请日：2003-12-22

申请人： 国际商业机器公司

发明人： P·M·所罗门 ,  K·K·钱 ,  H·I·哈纳菲

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L29/78648

摘要： 一种双栅极场效应晶体管结构及其这种结构的形成方法，其中源/漏区下的寄生电容显著减少。在本发明中，提供自对准隔离区以减少DGFET结构中的寄生电容。此外，本发明密封了含Si沟道并使背栅极氧化到更大的程度，由此减小了更远结构的寄生电容。

公开(公告)号：CN1770391A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510080761.3

申请日：2005-06-30

申请人： 国际商业机器公司

发明人： D·C·博伊德 ,  J·蔡 ,  K·K·钱 ,  P·M·穆尼 ,  K·里姆

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7842 ,  Y10S438/938

摘要： 本发明提供了用于MOSFET器件的半导体结构及其制造方法。以这样的方式制造半导体结构，从而使形成n－MOSFET的晶片区域中的层结构不同于形成p－MOSFET的晶片区域中的层结构。通过这样的步骤制造该结构，首先在含硅衬底的表面内通过如He的轻原子的离子注入形成一个损伤区域。然后在包括该损伤区域的含硅衬底上形成应变SiGe合金。然后进行退火步骤，以通过缺陷诱导应变弛豫使应变SiGe合金基本弛豫。接着，在弛豫SiGe合金上形成如应变Si的应变半导体覆层。

公开(公告)号：CN1531103A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200310121567.6

申请日：2003-12-22

申请人： 国际商业机器公司

发明人： P·M·所罗门 ,  K·K·钱 ,  H·I·哈纳菲

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L29/78648

摘要： 一种双栅极场效应晶体管结构及其这种结构的形成方法，其中源/漏区下的寄生电容显著减少。在本发明中，提供自对准隔离区以减少DGFET结构中的寄生电容。此外，本发明密封了含Si沟道并使背栅极氧化到更大的程度，由此减小了更远结构的寄生电容。

公开(公告)号：CN1510756A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310121549.8

申请日：2003-12-18

申请人： 国际商业机器公司

发明人： K·K·钱 ,  G·M·科昂 ,  M·莱昂 ,  R·A·罗伊 ,  P·M·所罗门 ,  杨敏

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/26533 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/78648

摘要： 一种双栅极场效应晶体管(DGFET)结构及其这种结构的形成方法，其中源/漏区下的寄生电容显著减少。本发明引入了两个新措施，以减小源/漏区下的寄生电容。首先，将栅极外的硅区转变成氧化物，用具有第一横向厚度的第一间隔层保护了与栅极相邻的硅凸缘。使用自对准的氧注入或其它粒种注入促进氧化。其次，除去第一间隔层，用横向厚度小于第一间隔层的横向厚度的第二间隔层代替，通过使用横向选择性外延过生长并使用现在露出的硅凸缘作为籽晶在自对准的隔离区上生长新的硅源/漏区。这样可以获得到背平面的低电容，同时可以保持控制阈值电压。

公开(公告)号：CN100405534C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200510080761.3

申请日：2005-06-30

申请人： 国际商业机器公司

发明人： D·C·博伊德 ,  J·蔡 ,  K·K·钱 ,  P·M·穆尼 ,  K·里姆

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

摘要： 本发明提供了用于MOSFET器件的半导体结构及其制造方法。以这样的方式制造半导体结构，从而使形成n-MOSFET的晶片区域中的层结构不同于形成p-MOSFET的晶片区域中的层结构。通过这样的步骤制造该结构，首先在含硅衬底的表面内通过如He的轻原子的离子注入形成一个损伤区域。然后在包括该损伤区域的含硅衬底上形成应变SiGe合金。然后进行退火步骤，以通过缺陷诱导应变弛豫使应变SiGe合金基本弛豫。接着，在弛豫SiGe合金上形成如应变Si的应变半导体覆层。

公开(公告)号：CN100337334C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200310121549.8

申请日：2003-12-18

申请人： 国际商业机器公司

发明人： K·K·钱 ,  G·M·科昂 ,  M·莱昂 ,  R·A·罗伊 ,  P·M·所罗门 ,  杨敏

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

摘要： 一种双栅极场效应晶体管(DGFET)结构及其这种结构的形成方法，其中源/漏区下的寄生电容显著减少。本发明引入了两个新措施，以减小源/漏区下的寄生电容。首先，将栅极外的硅区转变成氧化物，用具有第一横向厚度的第一间隔层保护了与栅极相邻的硅凸缘。使用自对准的氧注入或其它粒种注入促进氧化。其次，除去第一间隔层，用横向厚度小于第一间隔层的横向厚度的第二间隔层代替，通过使用横向选择性外延过生长并使用现在露出的硅凸缘作为籽晶在自对准的隔离区上生长新的硅源/漏区。这样可以获得到背平面的低电容，同时可以保持控制阈值电压。