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公开(公告)号:CN101488520A
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200910003572.4
申请日:2009-01-15
申请人: 国际商业机器公司
IPC分类号: H01L29/49 , H01L21/288 , H01L21/28 , C25D3/56
CPC分类号: C25D3/567 , C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28176 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517
摘要: 公开了用于互补金属氧化物半导体(“CMOS”)应用的稳定金属栅极电极和制作稳定的金属栅极电极的方法。具体而言,通过合金化来稳定金属栅极电极,其中合金包括从Re、Ru、Pt、Rh、Ni、Al及其组合中选择的金属和从W、V、Ti、Ta及其组合中选择的元素。
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公开(公告)号:CN106024266B
公开(公告)日:2018-11-02
申请号:CN201610169775.0
申请日:2016-03-23
申请人: 国际商业机器公司
摘要: 本公开涉及片上磁性结构及其形成方法,其中一种片上磁性结构包括磁性材料,包括基于磁性材料的总原子数、在从约80至约90原子百分比范围中的钴,基于磁性材料的总原子数、在从约4至约9原子百分比范围中的钨,基于磁性材料的总原子数、在从约7至约15原子百分比范围中的磷,以及基本上分散遍布磁性材料的钯。
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公开(公告)号:CN106024266A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610169775.0
申请日:2016-03-23
申请人: 国际商业机器公司
CPC分类号: H01L28/10 , C23C18/16 , C23C18/1605 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1673 , C23C18/168 , C23C18/1694 , C23C18/1696 , C23C18/1831 , C23C18/50 , H01F1/04 , H01F5/00 , H01F27/00 , H01F27/24 , H01F27/28 , H01F41/046 , H01F41/26 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L23/5227 , H01F10/137 , H01F41/205
摘要: 本公开涉及片上磁性结构及其形成方法,其中一种片上磁性结构包括磁性材料,包括基于磁性材料的总原子数、在从约80至约90原子百分比范围中的钴,基于磁性材料的总原子数、在从约4至约9原子百分比范围中的钨,基于磁性材料的总原子数、在从约7至约15原子百分比范围中的磷,以及基本上分散遍布磁性材料的钯。
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