公开(公告)号：CN100527614C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN02826271.9

申请日：2002-12-18

Applicant: 埃普科斯股份有限公司

Inventor： A·施特尔茨尔 ,  H·克吕格尔 ,  E·克里斯特尔

IPC: H03H9/10

Abstract: 本发明涉及以倒装结构形式装在一个基底(25)上的元器件的密封封装，该元器件由具有元器件构造(5)的芯片(1)构成。本发明建议，在芯片底边上和基底的与芯片相邻的部位上涂上一种材料(35)，接着，将连贯的第一金属层(40)涂在芯片背面、该材料(35)以及基底的邻接于该材料的边缘部位上。接着，为了密闭封装，封闭的第二金属层(45)借助无溶剂的作业被至少涂覆在第一金属层(40)的盖住该材料(35)的那些部位上。

公开(公告)号：CN1608345A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN02826271.9

申请日：2002-12-18

Applicant: 埃普科斯股份有限公司

Inventor： A·施特尔茨尔 ,  H·克吕格尔 ,  E·克里斯特尔

IPC: H03H9/10

Abstract: 本发明涉及以倒装结构形式装在一个基底(25)上的元器件的密封封装，该元器件由具有元器件构造(5)的芯片(1)构成。本发明建议，在芯片底边上和基底的与芯片相邻的部位上涂上一种材料(35)，接着，将连贯的第一金属层(40)涂在芯片背面、该材料(35)以及基底的邻接于该材料的边缘部位上。接着，为了密闭封装，封闭的第二金属层(45)借助无溶剂的作业被至少涂覆在第一金属层(40)的盖住该材料(35)的那些部位上。

公开(公告)号：CN100380649C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN02804487.8

申请日：2002-01-21

Applicant: 埃普科斯股份有限公司

Inventor： G·费尔塔格 ,  A·施特尔茨尔 ,  H·克吕格尔

IPC: H01L23/498 ,  H03H3/00 ,  H03H9/05 ,  H03H9/15 ,  H05K1/11

CPC classification number: H03H9/059 ,  H01L23/49816 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/09701 ,  H03H9/1078 ,  H03H9/1092 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/114 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供一种基片，在基片上按照倒装法技术并借助焊料球装有元件即芯片，其中：基片包括至少一层陶瓷；设有一些穿过至少一层陶瓷的通孔；在通孔之上设有作为大面积连接面的第一金属化层；基片和连接面在芯片侧通过可光致结构化的层被盖住，在可光致结构化的层内设有一些孔；在孔内设有第一金属化层的焊料球金属化底区，其与通孔相连；焊料球电镀沉积或无电流地沉积在焊料球金属化底区上。在本发明方法中，在陶瓷生膜里形成用于通孔金属化的通孔；将多层生膜和设置在其中的印制导线结合成一个多层结构；对多层结构进行烧结；在结构的表面上，借助光致结构化限定出焊盘的边界和这些与所述通孔相连的印制导线，借助金属电镀沉积或者无电流的金属沉积来加强。

公开(公告)号：CN1511347A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN02804487.8

申请日：2002-01-21

Applicant: 埃普科斯股份有限公司

Inventor： G·费尔塔格 ,  A·施特尔茨尔 ,  H·克吕格尔

IPC: H01L23/498 ,  H03H3/00 ,  H03H9/05 ,  H03H9/15

CPC classification number: H03H9/059 ,  H01L23/49816 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/09701 ,  H03H9/1078 ,  H03H9/1092 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/114 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2224/0401

Abstract: 为按倒装法技术装配的元件且尤其是表面波元件提议，采用一种收缩小的陶瓷基片，在该基片上，在必要时通过金属沉积形成多层金属化体。通过自调整的金属沉积，也可以形成焊料球。