公开(公告)号：CN102804424A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080036863.4

申请日：2010-06-14

申请人： 塞伦光子学有限公司

发明人： T.王

IPC分类号： H01L33/50 ,  H01L33/20

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/508

摘要： 一种发光器件包括第一和第二半导体层(14，16)以及在所述半导体层(14，16)之间的发射层(18)，布置以形成发光二极管；在所述层的其中之一中的间隙(30)；以及金属(34)，位于所述间隙(30)中且足够邻近发射层(18)以允许金属(34)与发射层(18)之间的表面等离子体激元耦合。

公开(公告)号：CN103119732A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180046263.0

申请日：2011-07-25

申请人： 塞伦光子学有限公司

发明人： T.王

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L21/30 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/3006 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32

摘要： 一种制造发光器件的方法包括：提供包括III-氮化物半导体材料的发光层的晶片结构；干蚀刻晶片以至少部分地穿过发光层从而留下发光层的暴露表面；以及用等离子体处理发光层的暴露表面。该处理可以是使用热硝酸或氢等离子体。

公开(公告)号：CN103548154A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280021446.1

申请日：2012-02-29

申请人： 塞伦光子学有限公司

发明人： T.王

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02378 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

摘要： 一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有半导体层的半导体晶片；在半导体层之上形成第一掩模层；在第一掩模层之上形成第二掩模层；对第二掩模层进行退火以形成岛；采用岛为掩模蚀刻通过第一掩模层和半导体层以形成柱阵列；以及在柱之间且然后在柱的顶部之上生长半导体材料。