公开(公告)号：CN106920833A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201611153469.4

申请日：2016-12-14

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 中山达峰 ,  宫本广信 ,  冈本康宏

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78681 ,  H01L21/3006 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66666

摘要： 本公开涉及半导体器件及其制造方法。其中MISFET形成为包括：共掺杂层，形成在衬底之上并且具有n型半导体区域和p型半导体区域；以及栅电极，经由栅极绝缘膜形成在共掺杂层之上。共掺杂层包含的p型杂质Mg的量大于n型杂质Si的量。因此，通过源于p型杂质(这里为Mg)的载体(空穴)来取消源于共掺杂层中的n型杂质(这里为Si)的载体(电子)，从而允许将共掺杂层用作p型半导体区域。通过将氢引入共掺杂层中的将要形成有n型半导体区域的区域来灭活Mg，从而使得该区域用作n型半导体区域。通过如此将氢引入到共掺杂层，可以在同一层中形成p型半导体区域和n型半导体区域。

公开(公告)号：CN103210495A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180052281.X

申请日：2011-07-06

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 斋藤雄 ,  冈田政也 ,  上野昌纪 ,  木山诚

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7788 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3006 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7789

摘要： 提供一种半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法，其中在晶体管操作时，在获得极好纵向击穿电压的情况下，能够抑制漏极泄漏电流。该半导体器件特征在于被提供有：开口（28），其从n+接触层（8）经由p型势垒层（6）到达n型漂移层（4）；再生长层（27），其被定位为覆盖p型势垒层（6）等，该再生长层（27）包括未掺杂的GaN沟道层（22）和载流子供应层（26）；绝缘膜（9），其被定位为覆盖再生长层（27）；和栅电极（G），其位于绝缘膜（9）上。该半导体器件特征还在于，在p型势垒层中Mg浓度A（cm-3）和氢浓度B（cm-3）满足式（1）：0.1＜B/A＜0.9。

公开(公告)号：CN105938799A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610011394.X

申请日：2016-01-08

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 平井友洋 ,  川口宏

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L21/28114 ,  H01L21/3006 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/535 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明的各个实施例涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。本发明使得能够通过使用氮化物半导体来改进半导体器件的特性。在栅极电极上方形成导电膜，该栅极电极在衬底上方、其间中介有层间层绝缘膜；并且通过蚀刻该导电膜来形成源极电极和漏极电极，该源极电极在栅极电极的一侧耦合至阻挡层，该漏极电极在栅极电极的另一侧耦合至阻挡层。在这种情况下，蚀刻源极电极，以便具有延伸超过栅极电极上方至漏极电极之侧并且在栅极电极上方具有间隙(开口)的形状。接着，对衬底进行氢气退火。这样，通过在源极电极的源极场板部分处形成间隙，可以在氢气退火过程中、在其中形成有沟道的区域中，有效地供给氢气。

公开(公告)号：CN103119732A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180046263.0

申请日：2011-07-25

申请人： 塞伦光子学有限公司

发明人： T.王

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L21/30 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/3006 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32

摘要： 一种制造发光器件的方法包括：提供包括III-氮化物半导体材料的发光层的晶片结构；干蚀刻晶片以至少部分地穿过发光层从而留下发光层的暴露表面；以及用等离子体处理发光层的暴露表面。该处理可以是使用热硝酸或氢等离子体。