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公开(公告)号：CN108346597B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201711465595.8
申请日：2017-12-28
Applicant: 大族激光科技产业集团股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , B23K26/064 , B23K26/18
Abstract: 本发明公开了一种真空加热系统、晶片剥离装置及方法，所述真空加热系统包括：加热圈固定板，呈环状，且带有一圈环状的凹槽；加热圈，呈环状，设置在加热圈固定板的凹槽内；隔热板，呈环状，设置在加热圈的上部；吸嘴固定板，设置在隔热板的上部；以及多个真空吸嘴，对称均匀的设置在吸嘴固定板上用于吸附剥离后的晶片将其移开。本发明通过设置真空加热系统，能够在晶片被粘合的区域上对粘合层材料进行加热，使其融化，从而使得晶片剥离完全；同时通过真空加热系统的真空吸嘴可以对剥离后的晶片进行吸附，便于晶片的搬运，避免破损，提高晶片剥离的良率。
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公开(公告)号：CN110449732A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201810426586.6
申请日：2018-05-07
Applicant: 大族激光科技产业集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种激光加工系统及激光加工方法，涉及激光加工技术领域，包括：加工平台放置待加工工件并带动待加工工件进行直线运动，激光器发射激光束，光束转动系统设置于所述激光束的传输光路中，所述光束转动系统的转动轴与光轴重合，且所述光束转动系统以所述光轴作为旋转轴进行旋转并将经过所述光束转动系统的激光束的传输方向偏移预设角度；聚焦镜用于将激光束聚焦至待加工工件上；其中，所述光束转动系统的旋转运动与待加工工件的直线运动相互配合，使得所述激光束在待加工工件上形成螺旋形的加工轨迹。可以保证光斑能量密度不变的前提下，扩大加工轨迹的宽度、且能够实现充分加工，从而提高产品的加工良率。
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公开(公告)号：CN108500477A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810271895.0
申请日：2018-03-29
Applicant: 大族激光科技产业集团股份有限公司
IPC: B23K26/38 , B23K26/06 , B23K26/067
Abstract: 本发明涉及一种LED晶圆片的切割方法，包括以下步骤：将激光束分束得到至少两个子光束；将所述至少两个子光束聚焦于待切割的LED晶圆片；利用所述至少两个子光束沿所述LED晶圆片上的横向切割道和纵向切割道扫描，以在所述LED晶圆片内形成炸点轨迹；将所述LED晶圆片沿所述炸点轨迹裂开，以形成多个单独的芯粒。上述LED晶圆片的切割方法适用于较小尺寸芯粒的切割，能够有效提高生产效率。
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公开(公告)号：CN108400088B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201810180105.8
申请日：2018-03-05
Applicant: 大族激光科技产业集团股份有限公司
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种晶片结合及剥离的方法，包括以下步骤：在基板或晶片上形成释放层，将所述基板和所述晶片粘合，且所述释放层位于所述基板和所述晶片之间；对所述晶片远离所述释放层的表面进行加工；将呈高斯分布的激光束整形为矩形平顶光束或线光束后，扫描所述释放层以将所述释放层分解，使得所述基板和所述晶片剥离。上述晶片结合及剥离的方法剥离成功率高。
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公开(公告)号：CN108515273B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201810271897.X
申请日：2018-03-29
Applicant: 大族激光科技产业集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种LED晶圆片的切割装置，包括：激光器，用以发射激光束；扩束元件，设于激光束的传播光路上，对激光束进行准直和扩束；衍射光学元件，对经过准直和扩束的激光束进行分束得到两个子光束；聚焦镜，对两个子光束进行聚焦得到两个聚焦光斑；加工平台，放置待切割的LED晶圆片，并带动其运动；控制系统，控制激光器发射激光束并控制加工平台的运动状态；其中，两个子光束经过聚焦镜聚焦于LED晶圆片内部，加工平台带动LED晶圆片运动，以使聚焦光斑在LED晶圆片内形成炸点。采用衍射光学元件，使得晶圆片切割道内形成相互错开的两列炸点，切割后的芯粒截面呈斜面，增大了发光面积，同时衍射光学元件也便于调节光斑位置，提高加工精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108335994A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201711465613.2
申请日：2017-12-28
Applicant: 大族激光科技产业集团股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明公开了晶片接合结构、晶片接合方法、晶片剥离方法及装置，所述晶片接合结构包括：晶片；基板，采用可透过紫外激光的材料；粘合层，包含通过紫外线或热固化的有机材料，涂覆于晶片表面；以及释放层，包含吸收紫外激光而分解的材料，涂覆于基板表面，并且与粘合层接合。所述晶片剥离方法包括步骤：将紫外激光束由高斯分布的圆形光斑整形为平顶分布的矩形光斑；以及采用整形得到的平顶分布的矩形光斑扫描释放层，通过释放层材料对紫外激光的吸收使释放层材料分解，实现晶片与基板的分离。本发明所述晶片接合结构方便实现晶片与基板的分离。本发明所述晶片剥离方法可以显著提高晶片的加工质量和生产良率。
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公开(公告)号：CN110064841B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910333327.3
申请日：2019-04-24
Applicant: 大族激光科技产业集团股份有限公司
IPC: B23K26/073 , B23K26/06
Abstract: 本发明公开了一种激光加工装置、激光开槽方法和激光全切方法，其中激光加工装置包括激光器、扩束镜、第一半波片、第一分光晶体、第一反射镜组、光阑、光斑整形器、第二分光晶体、末端反射镜和聚焦镜，激光光束依次经过扩束镜和第一半波片后被分为全反射光束或全投射光束；全反射光束经第一分光晶体、第一反射镜组、第二分光晶体、末端反射镜后射入聚焦镜，最终聚焦于待加工件的表面；全透射光束依次经过光阑、光斑整形器、第二分光晶体、末端反射镜后射入聚焦镜中，最终聚焦于待加工件的表面。本发明利用光斑整形器对椭圆形光斑的方向进行调节，达到激光全切工艺效果，从而实现不同的加工要求。
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公开(公告)号：CN110064841A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910333327.3
申请日：2019-04-24
Applicant: 大族激光科技产业集团股份有限公司
IPC: B23K26/073 , B23K26/06
Abstract: 本发明公开了一种激光加工装置、激光开槽方法和激光全切方法，其中激光加工装置包括激光器、扩束镜、第一半波片、第一分光晶体、第一反射镜组、光阑、光斑整形器、第二分光晶体、末端反射镜和聚焦镜，激光光束依次经过扩束镜和第一半波片后被分为全反射光束或全投射光束；全反射光束经第一分光晶体、第一反射镜组、第二分光晶体、末端反射镜后射入聚焦镜，最终聚焦于待加工件的表面；全透射光束依次经过光阑、光斑整形器、第二分光晶体、末端反射镜后射入聚焦镜中，最终聚焦于待加工件的表面。本发明利用光斑整形器对椭圆形光斑的方向进行调节，达到激光全切工艺效果，从而实现不同的加工要求。
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公开(公告)号：CN108608120A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810380280.1
申请日：2018-04-25
Applicant: 大族激光科技产业集团股份有限公司
IPC: B23K26/36 , B23K26/402 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种芯片衬底的激光剥离方法，包括以下步骤：将待激光剥离的样品放置于加工平台上，所述样品包括衬底和生长于所述衬底的外延层；根据预设扫描轨迹，控制所述加工平台运动，以使激光器发射的激光束沿所述预设扫描轨迹对所述样品的外延层进行扫描，其中，当检测到所述加工平台每移动预设距离时，控制所述激光器发射激光束对所述样品进行加工，以使所述预设扫描轨迹上相邻光斑的间距相同。上述芯片衬底的激光剥离方法有效提高了激光剥离的良品率。
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公开(公告)号：CN108515273A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810271897.X
申请日：2018-03-29
Applicant: 大族激光科技产业集团股份有限公司
CPC classification number: B23K26/38 , B23K26/70 , B23K26/702 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种LED晶圆片的切割装置，包括：激光器，用以发射激光束；扩束元件，设于激光束的传播光路上，对激光束进行准直和扩束；衍射光学元件，对经过准直和扩束的激光束进行分束得到两个子光束；聚焦镜，对两个子光束进行聚焦得到两个聚焦光斑；加工平台，放置待切割的LED晶圆片，并带动其运动；控制系统，控制激光器发射激光束并控制加工平台的运动状态；其中，两个子光束经过聚焦镜聚焦于LED晶圆片内部，加工平台带动LED晶圆片运动，以使聚焦光斑在LED晶圆片内形成炸点。采用衍射光学元件，使得晶圆片切割道内形成相互错开的两列炸点，切割后的芯粒截面呈斜面，增大了发光面积，同时衍射光学元件也便于调节光斑位置，提高加工精度。
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