一种激光切割硅晶圆的方法及激光切割装置

    公开(公告)号:CN112008251A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN201910475208.1

    申请日:2019-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种激光切割硅晶圆的方法及激光切割装置,其中一种激光切割硅晶圆的方法,具体步骤如下:将硅晶圆片的下表面粘贴到蓝膜上方;将所述硅晶圆片的上表面涂覆光刻胶涂覆层;通过双光点激光装置发出激光光束,并在所述硅晶圆片上表面聚焦为两个聚焦光点,用以切割硅晶圆,将硅晶圆片切割为多个晶粒;去除硅晶圆片上表面的光刻胶涂覆层;通过扩张蓝膜将所述多个晶粒分离。以上方案中的一种激光切割硅晶圆的方法,在获得优良切割质量优良的同时,也保证了切割效率。在硅晶圆切割,尤其是对表面具有low-k层、金属层或胶体材料的晶圆切割时,具有广阔的应用空间。

    一种加工蓝宝石衬底LED晶圆的方法及激光装置

    公开(公告)号:CN110625267A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201910780535.8

    申请日:2019-08-22

    Abstract: 本发明提供了一种加工蓝宝石衬底LED晶圆的方法及激光装置,加工蓝宝石衬底LED晶圆的方法包括:划线,用划线激光在晶圆蓝宝石表面划线形成初始裂纹;切割,用红外激光沿着初始裂纹对蓝宝石表面加热;沿着初始裂纹对LED晶圆蓝宝石表面冷却。红外激光加热组件包括:红外激光器、红外光束第一反射镜组、红外激光束扩束镜组、光束整形组件和红外光束第二反射镜组。通过在LED蓝宝石晶圆表面用划线激光划线,再用红外激光对划线形成的初始裂纹加热,之后对加热区域进行冷却,使LED蓝宝石晶圆在拉应力和压应力的结合下沿初始裂纹裂开,切割质量更佳,切割端面光滑,利于光线通过,增加边缘强度,提高LED芯片的发光效率和使用寿命。

    激光加工装置及方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106271048B

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201610753873.9

    申请日:2016-08-29

    Abstract: 本发明涉及一种激光加工装置及方法;激光加工装置包括:激光发射器,所述激光发射器能够发出激光;驱动机构,设置于所述激光发射器的一侧;棱镜,所述棱镜与所述驱动机构相联动,所述驱动机构能够驱动所述棱镜运动,以使所述棱镜进入所述激光发射器发出的激光的路径,并对所述激光发射器发出的激光进行反射;倍频片,所述棱镜能够将所述激光发射器发出的激光反射至所述倍频片上,所述激光发射器能够发出激光在所述倍频片上形成可见光形成的光斑图像;及,检测机构,所述检测机构能够采集所述光斑图像的信息,并对所述光斑图像的信息进行分析。上述激光加工装置及方法能够对光斑进行实时监控。

    晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法

    公开(公告)号:CN103537805B

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201210246671.7

    申请日:2012-07-17

    Abstract: 本发明提供了一种晶圆片激光切割方法,其包括如下步骤:提供一晶圆片,所述晶圆片具有正面及带有电极的背面,所述晶圆片的背面具有切割道;于所述晶圆片背面贴膜;将贴膜的晶圆片定位于一激光切割加工设备中,所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割。通过在晶圆片的同一个切割道内,不同的深度进行两次激光加工,大大改善了激光切割厚的晶圆片造成斜裂不良的问题,有效地避免了激光切割斜裂过大而造成的电极破坏。对传统的单次激光切割具有相当大的优势和良率。本发明还提供一种晶圆片的加工方法。

    晶圆加工方法及装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109909608B

    公开(公告)日:2021-10-12

    申请号:CN201910265825.9

    申请日:2019-04-03

    Abstract: 本发明涉及一种晶圆加工方法及装置,晶圆加工方法包括以下步骤:激光从晶圆的正面入射金属导电薄膜,并沿切割轨迹在所述金属导电薄膜上移动,以使得金属导电薄膜上产生与切割轨迹相对应的划痕;调整激光的聚焦点,对晶圆内部进行改质加工,以使得晶圆内形成改质层,调整后的激光的聚焦点到晶圆的正面的距离d满足如下条件:其中,H为晶圆剔除金属导电薄膜后的厚度。本申请的晶圆加工方法及装置,在对加工晶圆时,会在金属导电薄膜上产生与切割道相对应的划痕,从而避免分片过程中产生背金黏连和双晶问题,以提升分片效率和良率,同时,通过调整激光的聚焦高度,对晶圆内部进行改质以形成改质层,从而提高分割精度,以适应精细切割分片的需要。

    一种激光加工装置、激光开槽方法和激光全切方法

    公开(公告)号:CN110064841B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201910333327.3

    申请日:2019-04-24

    Abstract: 本发明公开了一种激光加工装置、激光开槽方法和激光全切方法,其中激光加工装置包括激光器、扩束镜、第一半波片、第一分光晶体、第一反射镜组、光阑、光斑整形器、第二分光晶体、末端反射镜和聚焦镜,激光光束依次经过扩束镜和第一半波片后被分为全反射光束或全投射光束;全反射光束经第一分光晶体、第一反射镜组、第二分光晶体、末端反射镜后射入聚焦镜,最终聚焦于待加工件的表面;全透射光束依次经过光阑、光斑整形器、第二分光晶体、末端反射镜后射入聚焦镜中,最终聚焦于待加工件的表面。本发明利用光斑整形器对椭圆形光斑的方向进行调节,达到激光全切工艺效果,从而实现不同的加工要求。

    一种LED晶圆的紫外激光表面切割方法

    公开(公告)号:CN107437532B

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201610362405.9

    申请日:2016-05-26

    Abstract: 本发明涉及激光加工技术领域,公开了一种LED晶圆的紫外激光表面切割方法,首先将晶圆片平放在载台上;用储存胶水的容器移至晶圆片上方,并喷出胶水滴到晶圆片上;然后启动载台使其高速旋转,甩干晶圆片上的胶水并使胶水平铺在晶圆片的表面;采用多光点激光装置发出激光光束,并在晶圆片的激光入射面形成多光点聚焦,激光切割晶圆片;清洗晶圆片上的胶水,通过喷水装置喷水到晶圆片的激光入射面,同时旋转载台以去除晶圆片上的胶水;加工完成,晶圆片分离成芯粒。本发明能够解决现有的红黄光LED晶圆效率慢、加工效果有待提升等问题,使加工效率大幅提升,加工效果更加优良,表面切割线条更加均匀,且无熔渣、飞溅物、烧蚀等现象。

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