公开(公告)号：CN110216389A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910585540.3

申请日：2019-07-01

Applicant: 大族激光科技产业集团股份有限公司

Inventor： 王亭入 ,  余俊华 ,  黎国柱 ,  徐志军 ,  卢建刚 ,  李春昊 ,  巫礼杰 ,  尹建刚 ,  高云峰

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/53

Abstract: 本发明涉及晶圆加工领域，具体涉及一种晶圆的激光加工方法及系统。预设有晶圆的切割轨迹，所述激光加工方法包括步骤：通过激光沿着切割轨迹从晶圆上表面入射在晶圆内部进行改质加工，形成至少一层改质层；再通过激光沿着切割轨迹在晶圆上表面进行划切操作，产生从上表面向下延伸的裂纹；对晶圆进行裂片操作，分离成多个晶粒。本发明通过设计一种晶圆的激光加工方法及系统，能够在切割道更窄或切割道功能区镀有膜层的情况下，避免分片过程中产生明显崩边甚至损伤晶粒的问题，以提升分片良率和效率。同时，即使不是切割道更窄或切割道功能区镀有膜层的情况下，本方案依然可以提升晶圆分片的良率和效率。