公开(公告)号：CN113714649A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110978556.8

申请日：2021-08-25

申请人： 大族激光科技产业集团股份有限公司

发明人： 李春昊 ,  郝宏伟 ,  巫礼杰 ,  任达 ,  仰瑞 ,  贺少鹏 ,  童灿钊 ,  尹建刚 ,  高云峰

IPC分类号： B23K26/362 ,  B23K26/70 ,  B23P23/04

摘要： 本申请提供了一种晶片的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：借助激光的照射，在所述晶锭内距离第一表面相当于所述晶片厚度的深度位置上沿着C面形成剥离层，所述剥离层将晶锭分成晶锭本体部分和晶锭待分离部分；晶锭的第一表面通过热加载后的粘结层粘附于固体衬底上，其中，所述粘结层的热膨胀系数与所述晶锭的热膨胀系数有差异；保持晶锭本体部分和固体衬底相对于固定，并使所述粘结层冷却用于在所述晶锭中产生应力，所述剥离层在该应力的作用下将晶锭待剥离部分剥离，生成晶片；以及降低粘结层的粘结性，将生成的所述晶片与固体衬底分离。上述晶片的制造方法的整个剥离过程简单可靠，且生产成本低。

公开(公告)号：CN113972160A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202010728811.9

申请日：2020-07-24

申请人： 大族激光科技产业集团股份有限公司

发明人： 李春昊 ,  卢建刚 ,  张小军 ,  邓正东 ,  杨国会 ,  陈锐 ,  尹建刚 ,  高云峰

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  B23K26/50

摘要： 本申请实施例属于激光分片技术领域，涉及一种固体材料的激光分片方法。本申请提供的技术方案包括如下步骤：利用激光在在固体材料内部形成剥离面；将固体材料通过热塑性胶水粘结到固体衬底表面；将固体材料沿剥离面分离，获得预定厚度的薄层晶片。利用激光在待分离的固体材料内部形成剥离面，保证薄层晶片厚度的一致性，并且采用热塑性胶水和固体衬底辅助剥离，剥离过程简单可靠，并且剥离后的获得的薄层晶片容易从固体衬底上分离开，降低了生产成本，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN109909627A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910213922.3

申请日：2019-03-20

申请人： 大族激光科技产业集团股份有限公司

发明人： 陈畅 ,  柳啸 ,  李春昊 ,  杨深明 ,  李福海 ,  高云峰

IPC分类号： B23K26/40 ,  B23K26/064 ,  B23K26/082

摘要： 本发明公开了一种SiC晶锭的激光加工设备，该设备包括激光隐切装置、激光解裂片装置和传送装置，激光隐切装置发射的第一激光光束聚焦到待加工SiC晶锭内部，在待加工SiC晶锭内部形成切割改制区域，传送装置用于将待加工SiC晶锭传送至激光解裂片装置的目标加工区域，目标加工区域与待加工SiC晶锭内部的切割改制区域重合，激光解裂片装置发射的第二激光光束聚焦到待加工SiC晶锭内部的切割改制区域进行激光热加工，从待加工SiC晶锭中分离得到SiC片。本发明提供的SiC晶锭的激光加工设备，可以解决现有技术中SiC晶锭的切片效率低，材料损耗大、加工成本高的技术问题。

公开(公告)号：CN114823465A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210323719.3

申请日：2022-03-30

申请人： 大族激光科技产业集团股份有限公司 ,  深圳市大族半导体装备科技有限公司

发明人： 李春昊 ,  郝宏伟 ,  王金生 ,  仰瑞 ,  巫礼杰 ,  高云峰

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种半导体元件的制备方法。所述半导体元件的制备方法包括在基底层的一侧面生长形成第一外延层；利用激光在基底层内形成第一改质层；将基底层沿第一改质层分离出预设厚度范围的第一衬底；其中，第一外延层位于第一衬底上；在第一外延层表面制备第一器件。本发明通过将激光由基底层的任意一侧入射，激光在基底层内部加工出第一改质层，直接加工出预设厚度范围的第一衬底，第一衬底厚度通常为50μm～150μm。由此可以提高加工效率，并且通过对第一衬底的剥离面进行磨抛，只需要将激光作用后的缺陷区域修平就可以得到预设厚度范围的第一衬底，可以有效地减小材料的过多浪费。

公开(公告)号：CN113894426A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202010576343.8

申请日：2020-06-22

申请人： 大族激光科技产业集团股份有限公司

发明人： 王亭入 ,  卢建刚 ,  李春昊 ,  柳啸 ,  陈畅 ,  任达 ,  巫礼杰 ,  尹建刚 ,  高云峰

IPC分类号： B23K26/362 ,  B23K26/53

摘要： 本发明属于激光加工技术领域，涉及一种半导体晶片的激光加工方法及采用该方法的系统，该方法包括：生成第一激光束，调节其焦点至半导体晶片的上表面，控制第一激光束的焦点沿预先设定的至少一条切割轨迹运动，去除半导体晶片的上表面在所述切割轨迹上的镀膜层；生成第二激光束，调节其焦点至半导体晶片内部，控制第二激光束的焦点在半导体晶片内部沿所述切割轨迹运动，形成至少一个改质层，使改质层沿着半导体晶片的厚度方向形成扩展裂纹；对加工后的半导体晶片进行裂片处理。通过本方案，可在半导体晶片较厚且半导体晶片表面镀有激光无法穿透或透过率极低的膜层的情况下，避免切割过程中产生明显崩边甚至损伤晶粒的问题，从而提高分片良率。

公开(公告)号：CN113714650A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110980368.9

申请日：2021-08-25

申请人： 大族激光科技产业集团股份有限公司

发明人： 李春昊 ,  郝宏伟 ,  巫礼杰 ,  任达 ,  仰瑞 ,  贺少鹏 ,  童灿钊 ,  尹建刚 ,  高云峰

IPC分类号： B23K26/362 ,  B23K26/70

摘要： 本申请提供了一种晶片的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：借助激光的照射，在所述晶锭内距离第一表面相当于所述晶片厚度的深度位置上沿着C面形成剥离层；将所述晶锭的第一表面通过粘结层粘附于固体衬底上；对所述固体衬底和/或所述剥离层远离第一表面一端的晶锭施加外力，使所述剥离层两端的晶锭产生相对运动，由此以所述剥离层为界面将晶锭的一部分剥离而生成晶片；以及降低粘结层的粘结性，将生成的所述晶片与固体衬底分离。上述制造方法中晶锭的剥离过程简单可靠，降低了生产成本，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN112935576A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110098802.0

申请日：2021-01-25

申请人： 大族激光科技产业集团股份有限公司

发明人： 贺少鹏 ,  巫礼杰 ,  仰瑞 ,  童灿钊 ,  李迁 ,  李福海 ,  李春昊 ,  赵冬冬 ,  高云峰

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/70

摘要： 本发明公开了一种激光加工调焦系统，包括：拍摄模块，其用于拍摄待加工材料的轮廓；材料高度检测模块，其用于检测待加工材料的高度；调焦模块，其用于检测和调整激光焦点位于待加工材料的高度；位置检测模块，其用于检测待加工材料的水平位置；控制模块，其与拍摄模块、位置检测模块、材料高度检测模块、调焦模块电性连接；其中，控制模块用于根据待加工材料的轮廓、水平位置以及高度确定待加工材料的边缘坐标，并根据边缘坐标控制调焦模块在移出待加工材料的边缘时保持激光焦点的高度不变。通过实施本发明可以极大地改善调焦模块在待加工材料的边缘处的调焦效果。

公开(公告)号：CN112008251A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201910475208.1

申请日：2019-05-31

申请人： 大族激光科技产业集团股份有限公司

发明人： 李春昊 ,  陈畅 ,  黄汉杰 ,  杨深明 ,  柳啸 ,  李福海 ,  卢建刚 ,  尹建刚 ,  高云峰

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/402 ,  B23K26/60

摘要： 本发明公开了一种激光切割硅晶圆的方法及激光切割装置，其中一种激光切割硅晶圆的方法，具体步骤如下：将硅晶圆片的下表面粘贴到蓝膜上方；将所述硅晶圆片的上表面涂覆光刻胶涂覆层；通过双光点激光装置发出激光光束，并在所述硅晶圆片上表面聚焦为两个聚焦光点，用以切割硅晶圆，将硅晶圆片切割为多个晶粒；去除硅晶圆片上表面的光刻胶涂覆层；通过扩张蓝膜将所述多个晶粒分离。以上方案中的一种激光切割硅晶圆的方法，在获得优良切割质量优良的同时，也保证了切割效率。在硅晶圆切割，尤其是对表面具有low-k层、金属层或胶体材料的晶圆切割时，具有广阔的应用空间。

公开(公告)号：CN110216389A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910585540.3

申请日：2019-07-01

申请人： 大族激光科技产业集团股份有限公司

发明人： 王亭入 ,  余俊华 ,  黎国柱 ,  徐志军 ,  卢建刚 ,  李春昊 ,  巫礼杰 ,  尹建刚 ,  高云峰

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/53

摘要： 本发明涉及晶圆加工领域，具体涉及一种晶圆的激光加工方法及系统。预设有晶圆的切割轨迹，所述激光加工方法包括步骤：通过激光沿着切割轨迹从晶圆上表面入射在晶圆内部进行改质加工，形成至少一层改质层；再通过激光沿着切割轨迹在晶圆上表面进行划切操作，产生从上表面向下延伸的裂纹；对晶圆进行裂片操作，分离成多个晶粒。本发明通过设计一种晶圆的激光加工方法及系统，能够在切割道更窄或切割道功能区镀有膜层的情况下，避免分片过程中产生明显崩边甚至损伤晶粒的问题，以提升分片良率和效率。同时，即使不是切割道更窄或切割道功能区镀有膜层的情况下，本方案依然可以提升晶圆分片的良率和效率。

公开(公告)号：CN110091075A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910471772.6

申请日：2019-05-31

申请人： 大族激光科技产业集团股份有限公司

发明人： 陈畅 ,  黄汉杰 ,  柳啸 ,  李春昊 ,  杨深明 ,  卢建刚 ,  尹建刚 ,  高云峰

IPC分类号： B23K26/364 ,  B23K26/073 ,  B23K26/067 ,  B23K26/064 ,  B23K26/03

摘要： 本发明涉及激光加工的技术领域，尤其涉及一种晶圆开槽方法及装置。该晶圆开槽方法包括：将激光束分束得到第一光束及第二光束；将第一光束及第二光束聚焦于晶圆背面的金属层上；使第一光束及第二光束沿同一直线对切割道进行切割，以去除与切割道对应的金属层，在晶圆的背面形成凹槽。该晶圆加工方法对晶圆的背面进行开槽加工，将与晶圆正面的切割道所对应的金属层完全去除，这样，在后续对晶圆的正面进行隐切加工及机械裂片时，不会产生双晶现象，从而改进了晶圆的分片良率和效率。该晶圆加工装置，包括激光器、分光组件、聚焦元件、第一反射镜组及加工平台。