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公开(公告)号：CN217529540U
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202220997002.2
申请日：2022-04-24
申请人： 大族激光科技产业集团股份有限公司 , 深圳市大族半导体装备科技有限公司
摘要： 本实用新型公开一种芯片去除装置，所述芯片去除装置包括：运动组件；吸附组件，所述吸附组件连接所述运动组件；以及加热组件，所述加热组件连接所述吸附组件；所述芯片去除装置还包括控制器，所述运动组件、所述吸附组件和所述加热组件均连接所述控制器，所述控制器控制所述运动组件驱动所述吸附组件运动，所述控制器控制加热组件对所述吸附组件进行加热。本实用新型技术方案的芯片去除装置能有效去除基板上焊接的芯片，使得返修后的产品良率较高。
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公开(公告)号：CN116344393A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310201940.6
申请日：2023-02-23
申请人： 深圳市大族半导体装备科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L33/00
摘要： 本申请适用于半导体技术领域，提供一种修复设备，该修复设备包括底座、点胶装置、料框组件、抓取组件、激光焊接装置和两个输送装置，输送装置、点胶装置、料框组件、抓取组件和激光焊接装置均设置于底座；输送装置用于输送产品，点胶装置用于在产品的缺点位置点胶，料框组件用于放置替补元件，抓取组件用于抓取替补元件，激光焊接装置用于将替补元件焊接于缺点位置。一个输送装置用于将产品输送至点胶装置的点胶区域，并用于将点胶后的产品输送至另一输送装置。本申请实施例由于点胶装置、抓取组件和激光焊接装置均设置于同一底座，因此可以减小修复设备的体积；并且彼此互不干涉，可以提高修复效率。
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公开(公告)号：CN218608900U
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202222329273.3
申请日：2022-09-01
申请人： 深圳市大族半导体装备科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种搅拌装置及半导体加工设备。所述搅拌装置包括支撑结构、转动件和搅拌件，转动件与支撑结构转动连接，转动件适于绕第一方向转动；搅拌件与支撑结构转动连接，搅拌件适于绕第二方向转动，原料适于添加在转动件或搅拌件上，原料适于由搅拌件和转动件之间通过。本实用新型通过转动件和搅拌件的速度差产生上、下不同的挤压力，挤压力会使原料产生旋转翻滚，由此实现了原料的搅拌，避免原料凝固。并且可转动的搅拌件与转动件可以保障原料可以由搅拌件与转动件之间顺畅的通过，尤其是对于浓度较高、流动性较差的膏状原料，转动的搅拌件可以保障膏状原料的正常出料。
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公开(公告)号：CN219677239U
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202320371169.2
申请日：2023-02-21
申请人： 深圳市大族半导体装备科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本实用新型公开了一种吸嘴安装结构，包括安装轴、螺母座、吸嘴和锁紧螺母。安装轴的内部设有第一气道，吸嘴的内部设有第二气道。组装时，螺母座设置于安装轴的底端，吸嘴穿设于螺母座内，使第一气道连通第二气道；然后将锁紧螺母锁紧在螺母座上，并对吸嘴进行固定，防止吸咀脱出螺母座。当吸嘴因磨损而需要更换时，可先将锁紧螺母从螺母座上旋下，再将磨损的吸嘴从螺母座中取出，重新放入新的吸嘴，并重新将锁紧螺母旋紧在螺母座上，使新吸嘴被锁紧螺母所固定，此时新吸嘴内的第二气道连通安装轴内的第一气道，完成吸咀的更换。整个过程简单快捷，且无需采用各类工具、治具。
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公开(公告)号：CN218808988U
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202223095884.2
申请日：2022-11-17
申请人： 深圳市大族半导体装备科技有限公司
IPC分类号： B65G47/91
摘要： 本申请适用于芯片制造技术领域，提供一种抓取装置及加工设备，该抓取装置包括吸嘴、流量检测器件、第一电磁阀、正压气源和负压气源，流量检测器件与吸嘴连通；第一电磁阀与流量检测器件连通；正压气源与第一电磁阀连通；负压气源与第一电磁阀连通。本申请实施例通过流量检测器件检测流经流量检测器件内的气流流量，判断吸嘴内的负压是否足够完全吸附芯片，以通过控制负压气源在吸嘴内提供足够的负压，从而实现稳定吸附芯片的目的，提高了吸嘴吸附芯片的稳定性；可以减小流量检测器件测量的流量的误差，以便根据流量检测器件检测得到的流量能更准确地判断吸嘴是否完全吸附芯片，提高吸嘴吸附芯片的稳定性。
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公开(公告)号：CN219677234U
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202320372307.9
申请日：2023-02-23
申请人： 深圳市大族半导体装备科技有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本申请适用于半导体技术领域，提供一种修复设备，该修复设备包括底座、输送装置、第一滑动座、第二滑动座、去晶组件、激光焊接组件、抓取组件和点胶装置，输送装置设置于底座；第一滑动座和第二滑动座均滑设于底座；去晶组件和激光焊接组件均设置于第一滑动座；抓取组件和点胶装置均设置于第二滑动座；其中，第一滑动座用于将去晶组件和激光焊接组件带动到输送装置的上方；第二滑动座用于将抓取组件和点胶装置带动到输送装置的上方。本申请实施例可以使设置于第一滑动座上的去晶组件和激光焊接组件以及设置于第二滑动座上的抓取组件和点胶装置可以交替加工，从而提高修复设备的修复效率。
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公开(公告)号：CN218482267U
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202222333181.2
申请日：2022-09-01
申请人： 深圳市大族半导体装备科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种顶针机构及半导体加工设备。所述顶针机构包括第一支撑结构、顶帽组件和顶针组件，产品适于放置在顶帽组件上，产品的表面贴有薄膜材料，顶帽组件适于吸附薄膜材料；顶帽组件适于带动薄膜材料向远离产品的方向移动，以实现产品与薄膜材料的分离。本实用新型通过将产品放置到顶帽组件上，外部吸附机构向产品方向移动对产品进行吸附，同时顶针组件顶出将产品固定，顶帽组件将薄膜材料吸住，使得薄膜材料向远离产品的方向移动，实现产品的脱膜。并且在产品进行脱膜的过程中，产品相对保持静止，从而有效地提高了产品脱膜的稳定性，且外部吸附机构的取片方式更简单，可以实现更快的速度和更好的效果。
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公开(公告)号：CN214672557U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202120191987.5
申请日：2021-01-22
申请人： 大族激光科技产业集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/66 , H01L33/48
摘要： 本实用新型涉及一种修复装置及设有其的加工设备，修复装置包括基体、激光发射件及吸附件，激光发射件及吸附件配接于基体，吸附件具有负压腔，吸附件上开设有与负压腔连通的吸附孔，吸附孔被配置为允许激光发射件发射的光束穿过并射出。本实用新型提供的修复装置及设有其的加工设备可降低LED显示面板的不良率。
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公开(公告)号：CN215091337U
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202120179005.0
申请日：2021-01-21
申请人： 大族激光科技产业集团股份有限公司
IPC分类号： B23K26/064 , B23K26/70
摘要： 本实用新型提供一种光阑装置，包括光阑座，设置有第一透光孔，所述光阑座上形成有挡光部，所述挡光部用于遮挡部分激光；若干个光阑片，设置在所述光阑座上，所述光阑片之间可围成与所述第一透光孔相对设置的第二透光孔，每个所述光阑片可移动设置在所述光阑座上以能够改变透过所述第二透光孔的激光的形状和尺寸；驱动件，与每个所述光阑片连接以驱动光阑片移动。通过在光阑座上设置挡光部，挡光部用于遮挡部分激光，这样可以避免激光射到空白区，光阑片的移动可以改变激光的形状和尺寸，使得激光的形状与焊盘的形状一致，激光的尺寸达到预设值。通过挡光部和光阑片的配合，就可以使得激光覆盖焊盘，避免激光损伤基板位于焊盘外的空白区。
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