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    晶片薄化装置以及晶片处理系统
    1.
    发明公开
    晶片薄化装置以及晶片处理系统 有权

    公开(公告)号：CN101083205A

    公开(公告)日：2007-12-05

    申请号：CN200710108704.0

    申请日：2007-05-28

    申请人： 大日本网目版制造株式会社

    发明人： 广江敏朗 ,  新居健一郎

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

    CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67276

    摘要： 本发明涉及一种晶片薄化装置以及晶片处理系统，该晶片薄化装置使至少电路形成面被保护着的晶片浸渍到处理液中而进行处理。所述装置包括：承载台，其用于承载容置器，该容置器按照给定范围的厚度对多张晶片进行分组，并且容置同组的多张晶片；处理槽，其贮存处理液，并容置所述容置器；搬运机构，其在所述承载台与所述处理槽之间搬运容置器；控制部，其操作所述搬运机构，以将容置器按顺序搬运到所述处理槽中，并且，根据组别来改变容置器在所述处理槽中的浸渍时间。

    基板处理装置
    3.
    发明授权
    基板处理装置 失效

    公开(公告)号：CN100557766C

    公开(公告)日：2009-11-04

    申请号：CN200710006225.8

    申请日：2007-02-07

    申请人： 大日本网目版制造株式会社

    发明人： 广江敏朗 ,  内田博章

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306

    摘要： 本发明涉及一种基板处理装置，用于使用处理液对基板实施处理，其具有：一侧的板，其与所述基板的一侧的面以隔开间隔的方式对置设置，并且在与所述一侧的面对置的面上形成有多个喷出口以及吸引口；一侧的处理液供给机构，其用于向所述一侧的板的所述喷出口供给处理液；一侧的吸引机构，其用于对所述一侧的板的所述吸引口内进行吸引。

    晶片薄化装置以及晶片处理系统
    4.
    发明授权
    晶片薄化装置以及晶片处理系统 有权

    公开(公告)号：CN100543930C

    公开(公告)日：2009-09-23

    申请号：CN200710108704.0

    申请日：2007-05-28

    申请人： 大日本网目版制造株式会社

    发明人： 广江敏朗 ,  新居健一郎

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

    CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67276

    摘要： 本发明涉及一种晶片薄化装置以及晶片处理系统，该晶片薄化装置使至少电路形成面被保护着的晶片浸渍到处理液中而进行处理。所述装置包括：承载台，其用于承载容置器，该容置器按照给定范围的厚度对多张晶片进行分组，并且容置同组的多张晶片；处理槽，其贮存处理液，并容置所述容置器；搬运机构，其在所述承载台与所述处理槽之间搬运容置器；控制部，其操作所述搬运机构，以将容置器按顺序搬运到所述处理槽中，并且，根据组别来改变容置器在所述处理槽中的浸渍时间。

    基板处理装置
    5.
    发明公开
    基板处理装置 失效

    公开(公告)号：CN101017768A

    公开(公告)日：2007-08-15

    申请号：CN200710006225.8

    申请日：2007-02-07

    申请人： 大日本网目版制造株式会社

    发明人： 广江敏朗 ,  内田博章

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306

    摘要： 本发明涉及一种基板处理装置，用于使用处理液对基板实施处理，其具有：一侧的板，其与所述基板的一侧的面以隔开间隔的方式对置设置，并且在与所述一侧的面对置的面上形成有多个喷出口以及吸引口；一侧的处理液供给机构，其用于向所述一侧的板的所述喷出口供给处理液；一侧的吸引机构，其用于对所述一侧的板的所述吸引口内进行吸引。