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公开(公告)号：CN117333900A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311292854.7
申请日：2023-10-08
申请人： 大连理工大学 , 大连理工大学宁波研究院 , 大连维视科技有限公司
IPC分类号： G06V40/10 , G06V20/52 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0455 , G06N3/084
摘要： 本发明属于行人再识别技术领域，公开一种遮挡状况下的行人再识别方法。根据目标行人出现在图片中心的特点，本发明所提出的数据增广方法随机选择原始图片的某一非中心区域替换为其他行人图像块。在此基础上，一种基于信息流的非目标区域抑制损失被提出用于训练模型，以减少遮挡区域对最终匹配特征的干扰。本发明所提出的行人图像块混合数据增强技术可以模拟多样的非目标行人遮挡情况，扩充了训练数据，进而增强了模型对于未知遮挡的鲁棒性；所提出的基于信息流的非目标区域抑制损失减小了非目标区域向最终特征的信息流动，从而减少了遮挡引入的噪声；所提出的数据增广方法以及损失函数，适用于多种网络结构并不增加推理阶段的计算量。
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公开(公告)号：CN116690332A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310428569.7
申请日：2023-04-20
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明提供一种基于透光辅材的超薄晶片光电催化辅助CMP加工装置及制备方法、加工方法。本发明包括机体、光源和抛光头，机体包括机座、机架、旋转轴、抛光盘、抛光垫和抛光载荷施加装置，抛光头包括连轴套、导电滑环、固定架、基板、导电极以及导电玻璃，抛光头上设置有抛光液缓冲槽和均匀分布的弧形通孔，加工过程中，抛光液先后通过抛光头上的抛光液缓冲槽、弧形通孔以及导电玻璃上面的孔洞，最后在导电玻璃和抛光盘间形成一定厚度的溶液层，导电玻璃表面沉积覆盖一层窄禁带光电催化半导体复合材料薄膜，用于持续产生羟基自由基。本发明光电催化效率高，光能吸收率优良，适用性范围广，结构简单，成本较低，可实现高质高效加工。
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公开(公告)号：CN114800052A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210273295.4
申请日：2022-03-18
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明公开了一种改善光学晶片面形的研磨方法，包括以下步骤：通过有限元分析，建立工件上表面变形函数；根据工件表面轮廓，选择同心环调整方案；研磨加工；检测。本发明在抛光头粘接工件的位置处镶嵌弹性环，将工件粘接在抛光头上，加工过程中受到研磨压力作用，弹性环会被压缩，此时由于工件和弹性环粘接在一起，工件也会向弹性环方向产生变形，加工结束以后，卸下研磨压力，弹性环回弹，由于工件和弹性环粘接在一起，工件也会回弹，工件的反向变形可以补偿研磨加工过程中工件面形轮廓加工误差，从而实现工件面形轮廓改善，使工件具有更高几何精度，该研磨方法既能提高晶片表面平整度，减小平面度误差也能实现其他特定弧度的光学表面加工。
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公开(公告)号：CN114750042A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210303499.8
申请日：2022-03-24
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明公开了一种测量磨削多工位装置的对刀方法，所述装置包括床身、接触式对刀仪、Z向移动模组、X向移动模组、Y向移动模组、磨杆、测杆、测杆夹持座和磨杆夹持座。由于本发明采用测量磨削一体化的加工方式，使具有复杂曲面的非回转类工件在精密加工时，免去了人工找正的过程，实现快速定位，同时测量加工一体化系统的高集成特性能够满足工件具有高性能、高精度的需求。由于本发明采用的测量磨削对刀方式，分别利用测头和磨头的几何尺寸的关系，配合高精度开关，可以快速精确的得到传感器测头和磨头的对刀点在机床中的坐标值，实现了测量磨削一体化加工方式的精密对刀。
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公开(公告)号：CN113218347B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110425735.9
申请日：2021-04-20
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明公开了一种用于回转件同轴装配及测量装置，包括机座、两个定位及运动装置、测量装置和控制系统。所述两个定位及运动装置安装于机座平台上，所述测量装置安装于机座平台上。本发明可将薄壁回转体零件进行定位及夹紧，并进行同轴装配，通过定位及运动装置配合测量装置可对工件的各个截面进行径向跳动测量，对工件的定位精度高，能够有效地提高装配测量精度、效率。本发明采用浮动定位头的结构形式，且定位头和定位盘的上边缘有圆角，能够与锥形回转体内轮廓表面同时进行良好的接触定位，定位精度高，采用真空吸附的方式夹紧工件，使工件受力均匀可控。定位及运动装置可整体进行升降、旋转运动，实现两个工件的同轴装配，提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN111014738B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911287547.3
申请日：2019-12-14
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明提供一种单激励三维超声椭圆车削装置。本发明包括：超声电源、装置壳体及固定在其中的超声椭圆振动切削单元，所述超声电源连接在装置壳体上，所述装置壳体固定在机床的工作台上，所述超声椭圆振动切削单元包括固定在装置壳体上的输入端、连接刀具的输出端和连接于输入端与输出端之间的多个传振杆，所述多个传振杆结构性质有所差异，使得每相振动间存在相位差，从而输出三维椭圆轨迹。该装置具有结构简单，加工干涉小，切削效率高、刀具三维振动轨迹可调及适用性较强等特点。
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公开(公告)号：CN110640565B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910866704.X
申请日：2019-09-12
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明公开了一种基于控制力的氧化镓防解理加工方法，采用控制磨削力和卧式平面磨削法对易解理的氧化镓晶片进行磨削加工，步骤为将氧化镓晶片固定在工作台上，其下设有力传感器；分别采用粗、细粒度金刚石砂轮对氧化镓晶片进行粗、精磨削，分别设定粗、精磨削时工作台纵向初始纵向进给速度、最大磨削力F粗和F精、砂轮一次垂直进给深度、磨削深度，并且在粗、精磨削过程中保证磨削力在F粗±0.1N和F精±0.1N的范围内。负反馈系统实时接收由数据处理器采集并放大的力传感器测得的磨削力的信号，不断地反馈给控制系统控制工作台纵向进给速度或工作台纵向进给速度和砂轮垂直进给深度提高了成品率。
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公开(公告)号：CN110328568B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910544038.8
申请日：2019-06-21
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明公开了大长径比弱刚性磨杆磨削圆环端面的加工方法，将圆环端面加工分为底孔圆环端面处同轴孔的磨削加工、同轴孔孔壁去除加工及底孔圆环端面光整加工三步。在同轴孔加工过程中，通过测针测量同轴孔孔底与工件左端面间的距离Z4‑Z3，与工件图纸上底孔圆环端面与工件左端面间的公称尺寸L做差，当L‑Z4+Z3≤30μm时，进行同轴孔孔壁去除加工，最后进行底孔圆环端面光整加工，并通过测针测量底孔圆环端面与工件左端面间的距离直至达到图纸尺寸公差要求，完成磨削加工。本发明所述方法避免了传统工件自旋转磨削加工方法中，由于轴向和径向磨削力作用引起的磨杆振颤失稳导致的砂轮磨粒快速脱落或局部破碎的问题，提高了加工效率和砂轮的使用寿命，降低了废品率，且易于实现自动化。
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公开(公告)号：CN110802398B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201911076976.6
申请日：2019-11-06
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： B23P21/00
摘要： 本发明公开了一种同轴度调整装置及方法，所述同轴度调整装置，包括：第一调整座，其用于调整位于其上的第一零件的轴线在竖直方向上移动和与水平面之间的夹角；第二调整座，其用于调整位于其上的第二零件的轴线在水平方向上移动和与竖直平面之间的夹角；支架，其可沿水平方向移动；以及，滑台，其上设有所述第二调整座，所述滑台位于所述支架侧壁且其可沿所述支架侧壁在竖直方向上移动。本发明将两个零件分别放置在第一调整座和第二调整座上进行同轴度调整，调整同轴度过程中对零件本身不会施加作用力，对零件不会造成应力和损伤，不仅适用于普通零件，也适用于精密零件和易碎零件的调整对中。
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公开(公告)号：CN110632733B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201911076985.5
申请日：2019-11-06
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G02B7/182
摘要： 本发明公开了一种低应力夹持装置，包括镜框，镜框具有贯穿所述镜框的阶梯孔，阶梯孔包括位于镜框前端的大端孔和位于镜框后端的小端孔；反光镜通过设置在其周向上的密封垫圈与大端孔的内壁贴合；密封垫圈前端面周向均匀设有多个弧形槽，弧形槽内设有与其相匹配的铜垫片，大端孔的外壁设有与弧形槽相对应且延伸至密封垫圈外壁的螺纹通孔，螺纹通孔内设有调整旋钮；镜框前端还设有多个均匀分布的挡板和多个均匀分布的压板。本发明通过夹层结构密封垫圈，在保证密封性的同时，通过四周的调整旋钮压紧铜垫片，使夹紧力通过密封垫圈间接传递给反光镜，在夹紧力大小不变的情况下，增大了反光镜的接触面积，使反光镜受力均匀，完成对反光镜的低应力夹持。
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