Fe2O3/C@Co2B催化剂的制备方法及在析氧反应中的应用

    公开(公告)号:CN111514896B

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202010517245.7

    申请日:2020-06-09

    摘要: Fe2O3/C@Co2B催化剂的制备方法及在析氧反应中的应用,通过液体等离子体电弧放电法制备出了Fe2O3/C。使用化学还原法制备出了具有核壳结构的Fe2O3/C@Co2B催化剂。催化剂样品经洗涤干燥后,应用于电催化析氧反应过程中。结果表明,在10 mA/cm2的电流密度下,Fe2O3/C@Co2B催化剂的过电势仅为332 mV,相比于商业的RuO2催化剂(365 mV)过电势下降了33 mV。另外,Fe2O3/C@Co2B和RuO2的塔菲尔斜率分别为48 mV/dec和68 mV/dec,Fe2O3/C@Co2B相对于商业的RuO2有更小的塔菲尔斜率,表明Fe2O3/C@Co2B有更快的反应动力学。再者,Fe2O3/C@Co2B的稳定性与Co2B相比也得到了明显的改善,可以稳定催化水电解12 h无明显下降,2000圈CV循环后,过电势没有明显增高。

    一种精确测量曲面上多层微纳米薄膜厚度的方法

    公开(公告)号:CN109059812B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201811058838.0

    申请日:2018-09-11

    IPC分类号: G01B15/02 G01B15/08

    摘要: 一种精确测量曲面上多层微纳米薄膜厚度的方法,所述方法是在一种圆柱形工业传动件上,采用聚焦离子束磨切技术沿垂直薄膜方向切出薄膜的截面,再利用电子显微镜观察薄膜的截面形貌,从而精确测定各层薄膜厚度的方法。该方法工艺步骤简单易控,特别适合测量异形工件的曲面上传统测量方法难以完成的薄膜厚度的测量,能直接在工件上进行测量,且破坏区域小于10μm量级,对工件服役和使用性能的影响可忽略,在精密零部件加工和微机电系统制造等领域有着广泛的应用范围和良好的应用前景。

    一种低温制备CsPbBr3钙钛矿纳米晶的方法

    公开(公告)号:CN110127751A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910373805.3

    申请日:2019-05-07

    IPC分类号: C01G21/00 C09K11/66

    摘要: 本发明涉及一种高效率制备CsPbBr3钙钛矿纳米晶的方法,属于铅卤化物钙钛矿纳米晶的制备领域。本发明利用水作为溶剂通过冷冻干燥的方法,制备了11 nm左右大小的由丁二酸二辛酯磺酸钠作为表面活性剂的立方相的CsPbBr3纳米晶,并且所制备的纳米晶体具有强的光致发光,通过紫外光激发可产生色纯度很高的绿色荧光。本发明的制备方法直接使用水作溶剂制备CsPbBr3纳米晶体,简便易操作,且相比于有机溶剂,水更加环保。本发明的方法为制备铅卤化物钙钛矿纳米晶指出了一条新的有效的途径。

    一种高光电转换效率的有机光伏电池

    公开(公告)号:CN108574045A

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201810424492.5

    申请日:2018-05-07

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/46 H01L51/48

    摘要: 本发明公开了一种具有高光电转换效率的有机光伏电池,由旋涂在ITO基底上的ZnO阴极缓冲层和活性层,顺次蒸镀在活性层上的MoO3阳极修饰层和Al电极层构成,其中活性层是以PTB7为电子给体,PC71BM为电子受体,掺杂利用1-乙基-3-甲基咪唑三氟乙酸盐液相辅助剥离锑得到的二维材料AMQSs构成。本发明将AMQSs掺杂在活性层材料中制备有机光伏电池,有效改善了有机光伏电池的光电转换效率。

    一种PtSe2/PtCo异质界面析氢反应电催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN118166396B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410593965.X

    申请日:2024-05-14

    IPC分类号: C25B11/091 C25B1/04

    摘要: 本发明公开了一种PtSe2/PtCo异质界面析氢反应电催化剂及其制备方法,属于电化学催化技术领域;是将乙酰丙酮铂、四水合乙酸钴、十六烷基三甲基溴化铵加入到N,N‑二甲基甲酰胺溶液中,通过水热反应形成内凹八面体结构的PtCo合金;以PtCo合金为前驱体,在过量的硒源与H2的还原作用下,通过保温加热进行硒化,得到PtSe2/PtCo纳米片;本发明的多孔二维PtSe2/PtCo异质界面结构纳米片提高了活性位的本征催化活性,并且在提高催化剂活性的同时,减少了贵金属Pt的使用量,降低了催化剂的成本。

    高主元单相密排六方结构的高熵合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN109554602B

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201811624543.5

    申请日:2018-12-28

    IPC分类号: C22C30/00 C22C1/02

    摘要: 本发明公开了一种高主元单相密排六方结构的高熵合金及其制备方法,其名义成分为ScxYxLaxNdxGdxTbxDyxHoxErxLux(x为原子百分比,x=10),是针对高熵合金这一全新领域中密排六方结构高熵合金开发的实际情况,以纯度达99.99%的钪、钇、镧、钕、钆、铽、镝、钬、铒、镥为原料,采用真空电弧炉进行熔炼,在高纯氩气保护气氛下反复熔炼5‑6次,以确保熔炼出来的纽扣合金锭的均匀性。本发明通过热力学参数的计算预测出该合金为密排六方结构的高熵合金,进一步利用X射线衍射仪和透射电子显微镜对合金结构进行测试,确定本合金为单相密排六方结构的高熵合金。

    微米阵列LED制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106505076A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201610984382.5

    申请日:2016-11-09

    IPC分类号: H01L27/15 H01L33/00

    CPC分类号: H01L27/153 H01L33/005

    摘要: 一种微米阵列LED制备方法,包括:步骤1:准备LED芯片并对其进行清洗。步骤2:将清洗好的芯片放入聚焦离子束切割设备中的样品台。步骤3:利用FIB中的扫描电镜功能观察芯片并把样品台移动到离子束的工作距离和位置。步骤4:先利用小束流离子束观察芯片,选取芯片的刻蚀区域。步骤5:将离子束束流切换到大束流观察芯片,在所选取的芯片刻蚀区域绘制周期性实心方格阵列,利用离子束对所绘制阵列图案区域进行刻蚀。步骤6:离子束刻蚀所选区域完毕后,可重复步骤4、5再次选取刻蚀区域进行刻蚀。步骤7:在整个芯片刻蚀完毕后,关闭离子束源,取出芯片。步骤8:对刻蚀芯片采用轻微湿法腐蚀去除离子束刻蚀对InGaN/GaN量子阱造成的辐照损伤,完成制备。

    一种电弧放电法制备纳米孔石墨烯过滤膜的方法

    公开(公告)号:CN105399423A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201510848838.0

    申请日:2015-11-30

    IPC分类号: C04B35/52 C04B38/06

    摘要: 一种电弧放电法制备纳米孔石墨烯过滤膜的方法是将光谱纯石墨棒电极浸没于硫酸盐溶液的液面下,通过电弧放电使阳极蒸发,碳蒸汽及反应生成的H2和CO将溶液中的金属阳离子还原成纳米级的金属颗粒,反应生成的金属颗粒与电弧剥离出的石墨烯薄膜发生碳热还原反应,而参与碳热还原反应的碳原子以二氧化碳或一氧化碳形式离开石墨烯片层,从而在石墨烯片层上刻蚀出纳米级孔洞,经收集干燥获得纳米孔石墨烯过滤膜。本方法在硫酸盐溶液中进行大电流电弧放电,一步法直接形成纳米孔石墨烯过滤膜,无需后续刻蚀步骤,省去了抽真空和循环水系统,简化了设备,降低了成本;而且石墨烯过滤膜具有优良的电磁和光学性能,应用范围十分广泛。

    一种富含催化活性边界的二维Pd纳米筛的制备方法

    公开(公告)号:CN113560593B

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202110821344.9

    申请日:2021-07-20

    IPC分类号: B22F9/24 H01M4/92 B82Y40/00

    摘要: 本发明涉及二维贵金属纳米材料技术领域,公开了一种富含催化活性边界的二维Pd纳米筛的制备方法;具体是将乙酰丙酮钯、六羰基钼,十六烷基三甲基溴化铵与抗坏血酸加入到乙醇与水的混合溶液中,搅拌均匀反应后,然后将所得固液混合物分离过清洗并干燥后,得到Pd纳米筛;可用于燃料电池与电化学氧气还原过程中的高效电催化剂;本发明超薄的多孔纳米结构具有大比表面积和优异的电荷传输能力;孔洞的边缘暴露出大量对氧还原催化有利的低指数晶面及台阶,大大增加了不饱和活性位点的数量,有效提高了电催化活性;本发明方法产量高,易操作,能耗低,有利于对二维贵金属纳米材料进一步科学研究和推广应用。