声波装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104242862B

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201410255261.8

    申请日:2014-06-10

    IPC分类号: H03H9/17 H03H3/02

    摘要: 本发明提供了一种声波装置。该声波装置包括:压电膜,其位于基板上;下电极和上电极,其隔着压电膜而彼此面对;温度补偿膜,其位于下电极和上电极中的至少一个的与压电膜相反的一侧的表面上,并且具有符号与压电膜的弹性常数温度系数相反的弹性常数温度系数;以及附加膜,其位于温度补偿膜的与压电膜相反的一侧的表面上,并且具有大于温度补偿膜的声学阻抗的声学阻抗。

    压电薄膜共振器、滤波器和双工器

    公开(公告)号:CN104639087B

    公开(公告)日:2017-10-31

    申请号:CN201410643401.9

    申请日:2014-11-06

    IPC分类号: H03H9/15 H03H3/02

    摘要: 本发明涉及压电薄膜共振器、滤波器和双工器。该压电薄膜共振器包括:压电膜,该压电膜设置在基板上;下电极和上电极,所述下电极和上电极夹着压电膜的至少一部分并且彼此面对;以及插入膜,该插入膜插入在压电膜中并且设置在共振区域的外周区域中并且不设置在共振区域的中心区域中,其中:在共振区域中下电极的边缘面与下电极的下表面之间的角是锐角;并且在用于从共振区域引出上电极的一侧、插入膜在共振区域中的宽度大于在用于从共振区域引出下电极的一侧、插入膜在共振区域中的另一宽度。

    双工器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103138032B

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201210479096.5

    申请日:2012-11-22

    IPC分类号: H01P1/20

    摘要: 本发明提供了一种双工器。该双工器包括具有不同通带的发送滤波器和接收滤波器,其中:构成发送滤波器和接收滤波器的作为串联谐振器或并联谐振器并且在保护频带侧形成裙边特性的第一谐振器是温度补偿型压电薄膜谐振器或使用拉夫波的表面声波谐振器,并且在保护频带的相反侧形成裙边特性的第二谐振器是非温度补偿型压电薄膜谐振器、使用钽酸锂基板或者通过将钽酸锂基板结合在蓝宝石基板上制成的基板的表面声波谐振器以及使用拉夫波的表面声波谐振器中的一种。

    电子电路和电子模块
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102811032B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201210177224.0

    申请日:2012-05-31

    IPC分类号: H03H9/54 H03H9/68 H03H9/70

    摘要: 本发明提供电子电路和电子模块。所述电子电路包括:多个双工器,该多个双工器耦合到天线端子并且具有彼此不同的通带;以及多个声波滤波器,该多个声波滤波器分别耦合在所述天线端子和所述多个双工器之间,其中,所述多个声波滤波器中的第一声波滤波器的滤波特性被设置为:允许所述多个双工器中耦合到第一声波滤波器的第一双工器的用于发射的通带和用于接收的通带两者中的信号通过,并且抑制所述多个双工器中与第一双工器不同的第二双工器的用于发射的通带和用于接收的通带两者中的信号通过。

    声波滤波器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102916674A

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201210273497.5

    申请日:2012-08-02

    IPC分类号: H03H9/64

    摘要: 本发明提供了一种声波滤波器。一种包括多个压电薄膜谐振器的声波滤波器,其中至少两个所述压电薄膜谐振器包括:基板;位于所述基板上的压电膜;隔着至少一部分所述压电膜设置的下电极和上电极;用于频率控制的质量负荷膜,其位于下电极与上电极彼此面对的谐振区内,并且具有与谐振区的形状不同的形状;以及温度补偿膜,其弹性常数的温度系数具有与压电膜的弹性常数的温度系数的符号相反的符号,至少一部分所述温度补偿膜在谐振区中位于下电极与上电极之间,并且所述至少两个所述压电薄膜谐振器的质量负荷膜的面积彼此不同。

    压电薄膜谐振器、通信模块、通信装置

    公开(公告)号:CN102754342A

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201180008837.5

    申请日:2011-01-11

    CPC分类号: H03H9/13 H03H9/131

    摘要: 简单地降低不需要的寄生波。越靠近上部电极(45)与下部电极(43)的相对区域的中心部越密集配置质量负载膜(51)中的岛图案(51a),越靠近相对区域的外周部越稀疏配置质量负载膜(51)中的岛图案(51a),由此,能够廉价地实现降低了不需要的寄生波的特性优良的压电薄膜谐振器。即,将质量负载膜(51)的岛图案(51a)在相对区域的中心部密集配置,在相对区域的外周部稀疏配置,这模拟地与将中心部的膜密度设为较高,将外周部的膜密度设为较低相等。结果,引起作为主振动的厚度纵向振动以外的不需要的寄生波的、横向弹性波的锁定效应减小,从而降低不需要的寄生波。