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公开(公告)号：CN102460863A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080013611.X
申请日：2010-03-03
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/221 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及一种半导体激光器装置(1)。该半导体激光器装置包括：第一区域(2)；第二区域，其具有平坦区带(4f)和从平坦区带突出的区带(4g)；以及有源区(3)，其设置在第一区域(2)和第二区域之间，其中包含半导体材料或透明导电氧化物的盖层(5，5a，5b)至少局部直接设置在突出的区带(4g)上，并且横向地超出突出的区带(4g)。
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公开(公告)号：CN102246527A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980150254.9
申请日：2009-10-19
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H04N9/31
CPC分类号： H04N9/3161 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01S5/4093 , H04N9/3129
摘要： 在发光装置(1)的至少一个实施形式中，该发光装置包含：至少一个半导体激光器(2)，其构建为发射波长在360nm到485nm之间的初级辐射(P)，其中包括边界值。此外，发光装置(1)包括至少一个转换装置(3)，其设置在半导体激光器(2)之后并且构建为将初级辐射(P)的至少一部分转换为具有与初级辐射(P)不同的更大波长的次级辐射(S)。由发光装置(1)发射的辐射(R)具有最高为50μm的光学相干长度。
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公开(公告)号：CN102460863B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201080013611.X
申请日：2010-03-03
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/221 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及一种半导体激光器装置(1)。该半导体激光器装置包括：第一区域(2)；第二区域，其具有平坦区带(4f)和从平坦区带突出的区带(4g)；以及有源区(3)，其设置在第一区域(2)和第二区域之间，其中包含半导体材料或透明导电氧化物的盖层(5，5a，5b)至少局部直接设置在突出的区带(4g)上，并且横向地超出突出的区带(4g)。
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公开(公告)号：CN102246527B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980150254.9
申请日：2009-10-19
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H04N9/31
CPC分类号： H04N9/3161 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01S5/4093 , H04N9/3129
摘要： 在发光装置(1)的至少一个实施形式中，该发光装置包含：至少一个半导体激光器(2)，其构建为发射波长在360nm到485nm之间的初级辐射(P)，其中包括边界值。此外，发光装置(1)包括至少一个转换装置(3)，其设置在半导体激光器(2)之后并且构建为将初级辐射(P)的至少一部分转换为具有与初级辐射(P)不同的更大波长的次级辐射(S)。由发光装置(1)发射的辐射(R)具有最高为50μm的光学相干长度。
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