公开(公告)号：CN108879321A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201811063243.4

申请日：2018-09-12

申请人： 成都微泰光芯技术有限公司

发明人： 胡艺枫 ,  郑睿

IPC分类号： H01S5/06 ,  H01S5/12 ,  H01S5/40

CPC分类号： H01S5/0601 ,  H01S5/12 ,  H01S5/40

摘要： 本发明公开了一种集成SOA的EML芯片，所述EML芯片包括：衬底、反馈激光器DFB、电吸收调制器EAM、光放大器SOA；反馈激光器DFB、电吸收调制器EAM、光放大器SOA集成在衬底上，反馈激光器DFB和电吸收调制器EAM之间通过第一波导连接，用于实现EML激光器的脉冲输出，输出带有振幅调制的光脉冲；光放大器SOA和电吸收调制器EAM之间通过第二波导连接，光放大器SOA将电吸收调制器EAM输出的带有振幅调制的光脉冲放大后输出；将传统工艺中的耦合损耗减小到最小，由于使用集成方案，不需要额外的光路耦合设计，降低了器件的工艺难度；SOA的放大作用进一步提高芯片的光输出功率，使之能够满足大分束比的PON网络的应用环境。

公开(公告)号：CN102315587A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110185443.9

申请日：2011-06-30

申请人： 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 大木智之 ,  幸田伦太郎 ,  仓本大 ,  宫嶋孝夫 ,  横山弘之

IPC分类号： H01S5/04

CPC分类号： H01S5/50 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/1003 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/141 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4006

摘要： 本发明提供一种半导体光放大器对准方法和一种用于进行该半导体光放大器的对准方法的光输出器件，其中，所述半导体光放大器对来自激光源的激光进行光学放大并输出所光学放大的激光。该对准方法包括以下步骤：通过在使来自所述激光源的所述激光进入所述半导体光放大器的同时向所述半导体光放大器施加给定值的电压(电流)，调整所述半导体光放大器与进入所述半导体光放大器的所述激光的相对位置，使得所述半导体光放大器中的电流(电压)成为最大值。根据本发明，能够在不依靠外部监测器件的情况下实现入射激光与半导体光放大器的光波导之间的耦合效率的优化。

公开(公告)号：CN103515839A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310244679.4

申请日：2013-06-19

申请人： 索尼公司

发明人： 河野俊介 ,  仓本大 ,  齐藤公博 ,  小林诚司

IPC分类号： H01S5/06 ,  G02B27/44

CPC分类号： G02B5/32 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0057 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/06253 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/14 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

摘要： 本发明公开了色散补偿光学设备以及半导体激光设备组件。该色散补偿光学设备包括：第一透射型体积全息图衍射光栅以及第二透射型体积全息图衍射光栅。所述第一和第二透射型体积全息图衍射光栅彼此相对设置。在每个第一和第二透射型体积全息图衍射光栅内，激光的入射角和一级衍射光的出射角的和为90°。

公开(公告)号：CN102460863A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080013611.X

申请日：2010-03-03

申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

发明人： 马克·施尔格雷安斯 ,  阿尔弗雷德·莱尔 ,  迪米特里·蒂尼 ,  阿德里恩·斯蒂芬·阿朗姆梅斯科 ,  克里斯托夫·艾克勒 ,  迪泽尔·科尤恩 ,  特里萨·罗曼

IPC分类号： H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/20 ,  H01S5/30

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34333

摘要： 本发明涉及一种半导体激光器装置(1)。该半导体激光器装置包括：第一区域(2)；第二区域，其具有平坦区带(4f)和从平坦区带突出的区带(4g)；以及有源区(3)，其设置在第一区域(2)和第二区域之间，其中包含半导体材料或透明导电氧化物的盖层(5，5a，5b)至少局部直接设置在突出的区带(4g)上，并且横向地超出突出的区带(4g)。

公开(公告)号：CN1201559A

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN96197975.5

申请日：1996-09-17

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 大户口勳 ,  足立秀人 ,  万浓正也 ,  福久敏哉 ,  高森晃

IPC分类号： H01S3/18

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S3/1118 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/0615 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/347

摘要： 在一n型GaAS基底701上分别形成一n型GaAS缓冲层702,n型AlGaInP包层703,由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。由于可饱和吸收层的体积被减小。并设置了光导层。实现了具有稳定的自激振荡特性,且具有相对低的噪声强度的半导体激光器。

公开(公告)号：CN106785896A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611181765.5

申请日：2016-12-19

申请人： 南京邮电大学

发明人： 朱刚毅 ,  王永进

IPC分类号： H01S5/06 ,  H01S5/065 ,  H01S5/10

CPC分类号： H01S5/1042 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/0657

摘要： 本发明公开了一种氮化物锁模回音壁微激光器及其制备方法，在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻工艺和深硅刻蚀工艺制备悬空的带缺口的环形薄膜微腔，然后在微腔的缺口中修饰金纳米棒作为半导体饱和吸收体，在合适的光泵浦条件下，实现氮化物的锁模回音壁激光。

公开(公告)号：CN102474072B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201080035587.X

申请日：2010-08-03

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： P.H.格拉克

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/026 ,  H01S5/06

CPC分类号： H01S5/18308 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/0611 ,  H01S5/0624 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/18

摘要： 本发明的目的是改善VCSEL内载流子的限制。作为本发明的一般概念，提出了将光电晶体管层结构集成到VCSEL的叠层中。

公开(公告)号：CN1983749A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610146855.0

申请日：2006-11-27

申请人： 冲电气工业株式会社

发明人： 荒平慎

IPC分类号： H01S5/065 ,  H01S5/00

CPC分类号： H04L7/0075 ,  B82Y20/00 ,  G04F5/14 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/0609 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/125 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34

摘要： 本发明提供一种无源模式同步半导体激光器和光时钟信号提取装置，可不依赖于输入光信号的偏光方向来提取光时钟信号，增益区域(30)中利用恒定电流源(28)经由n侧共通电极(12)和增益区域的p侧电极(24)进行电流注入。在可饱和吸收区域(32)中，利用恒定电压源(26)经由n侧共通电极(12)和可饱和吸收区域的p侧电极(22)施加逆向偏压。增益区域的光导波路(16)使用体结晶或者导入了拉伸应变的量子阱结构来形成，可饱和吸收区域的光导波路(18)使用导入了拉伸应变的量子阱结构来形成。而且，在增益区域中，对于TE模式的光学增益被设定得大于对于TM模式的光学增益，在可饱和吸收区域中，对于TE模式的吸收饱和能量被设定得大于对于TM模式的吸收饱和能量。

公开(公告)号：CN1117419C

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN96197975.5

申请日：1996-09-17

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 大户口勳 ,  足立秀人 ,  万浓正也 ,  福久敏哉 ,  高森晃

IPC分类号： H01S5/30

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S3/1118 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/0615 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/347

摘要： 在-n型GaAS基底701上分别形成-n型GaAS缓冲层702，n型AlGaInP包层703，由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。由于可饱和吸收层的体积被减小。并设置了光导层。实现了具有稳定的自激振荡特性，且具有相对低的噪声强度的半导体激光器。

公开(公告)号：CN108683078A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810645722.0

申请日：2018-06-21

申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

发明人： 林中晞 ,  林琦 ,  徐玉兰 ,  陈景源 ,  钟杏丽 ,  朱振国 ,  薛正群 ,  苏辉

IPC分类号： H01S5/06 ,  H01S5/10

CPC分类号： H01S5/0601 ,  H01S5/1042

摘要： 本发明涉及一种波长可调谐的半导体激光器，包括：有源层、波导层和分离限制层；其中，波导层位于有源层和分离限制层之间；波导层包括脊波导和微腔，微腔位于脊波导的一侧。本发明提供的波长可调谐的半导体激光器，利用电调制脊波导的饱和吸收区产生的增益杠杆效应，能够增大半导体激光器的3dB带宽，实现高速调制。本发明提出的半导体激光器还利用半导体激光器侧边上的微腔结构，实现对半导体激光器波长的选择性输出。