-
公开(公告)号：CN118899363A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410845987.0
申请日：2024-06-27
申请人： 宁波大学 , 北京铭镓半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/102 , H01L27/144 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y80/00 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种全角度光电探测器的制备方法、装置及全角度光电探测器。方法包括：在SiO2基板上旋涂光刻胶；采用飞秒激光双光子3D打印技术在光刻胶SiO2板上制造出圆柱体阵列；采用干法刻蚀机对光刻胶阵列SiO2板进行图形转移，将光刻胶上的图形转移到SiO2基板上；去除图形化光刻胶阵列SiO2板中的光刻胶，并进行薄膜沉积；使用飞秒激光双光子3D打印技术在带有薄膜的图形化阵列SiO2板上制作电极掩膜；对第一图形化电极阵列SiO2板进行金属银沉积，形成带有金属银薄膜的第二图形化电极阵列SiO2板；对第二图形化电极阵列SiO2板进行杂质去除，生成图形化器件阵列的全角度光电探测器。
-
公开(公告)号：CN114141909A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111423249.X
申请日：2021-11-26
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/09 , C23C16/40
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，具体公开了在蓝宝石衬底生长不同晶向氧化镓薄膜的方法及基于该薄膜的紫外光探测器的制备方法。在蓝宝石衬底生长不同晶向氧化镓薄膜的方法，包括：利用MOCVD设备在蓝宝石衬底上，在不同温度条件下，外延生长不同晶向的Ga2O3薄膜；上述技术方案原料易得，薄膜制备简单，晶格间结合紧密，匹配度高，外延层不易脱落；本申请还提出了基于上述薄膜的紫外光探测器的制备方法，包括：采用光刻的叉指电极掩膜板制备光敏遮挡层，利用磁控溅射的技术在Ga2O3薄膜表面分别溅射Ti/Au叉指金属电极作为电极的S端和D端，获得紫外光探测器；上述技术方案制备的紫外光电探测器响应度高，响度速度快，暗电流小。
-
公开(公告)号：CN117403207A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311342720.1
申请日：2023-10-17
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56
摘要： 本申请涉及半导体薄膜材料技术领域，具体公开了一种Si:Ga2O3薄膜及其制备方法。本申请提供的Si:Ga2O3薄膜包括衬底子与Ga原子的摩尔比为、以及衬底上生长的外延薄膜（6.97×10‑6~9.06；Si:Ga×10‑22）O3：薄膜中100；上述，SiSi:原Ga2O3薄膜的制备方法包括以下步骤：Fe:Ga2O3衬底清洗，将Fe:Ga2O3衬底置于MOCVD反应腔，以有机镓化合物作为镓源、无机硅源作为掺杂源、氩气作为载气，反应腔加热使Fe:Ga2O3衬底表面生长外延薄膜；经原位退火处理获得Si:Ga2O3薄膜。本申请提供的Si:Ga2O3薄膜的制备方法能够实现Si原子流量的精准控制，获得的Si:Ga2O3薄膜的表面粗糙度低、电学参数可控，能够满足不同类型功率器件的制备需求。
-
公开(公告)号：CN112322256B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010996340.X
申请日：2020-09-21
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 本申请涉及半导体材料的技术领域，具体公开了一种氧化镓晶片精细研磨液及其制备方法，所述研磨液包括氧化铝粉、水和悬浮液，所述氧化铝粉、水、悬浮液的重量比为（2‑4）：（4‑8）：（0.5‑2）；所述悬浮液包括分散剂、悬浮剂和pH调节剂，所述分散剂、悬浮剂、pH调节剂的重量比为（0.25‑1.75）：（4.5‑6.5）：（0.25‑1.75）；所述研磨液的制备方法包括混合液的制备、过滤和超声处理。利用本申请的研磨液对氧化镓晶片进行研磨，能够有效提高氧化镓晶片的研磨质量，进而提高淹了氧化镓晶片的加工质量，促进氧化镓晶片的推广应用以及相关产业的进一步地发展。
-
公开(公告)号：CN117626436A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311673603.3
申请日：2023-12-07
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种磷化铟多晶的合成装置和合成工艺，涉及化合物半导体材料制备技术领域。本申请提出的磷化铟多晶的合成工艺借助于双石英舟实现，并通过对双石英舟的上下石英舟的尺寸、放置在石英舟上的铟的质量以及合成过程的工艺条件进行控制，提升了磷化铟多晶的生产效率，实现了磷化铟多晶的高效合成。
-
公开(公告)号：CN117403209A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311347635.4
申请日：2023-10-17
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/34
摘要： 本申请涉及氧化镓外延膜加工技术领域，具体公开了一种MOCVD设备及使用方法和氧化镓外延膜。MOCVD设备包括设备机台、反应室，设备机台上还设置有与反应室连通的载氧气路、主管路，主管路上连通有镓源气路、掺杂源气路，掺杂源气路连通有无机硅源控制系统，无机硅源控制系统包括与掺杂源气路连通的外接管路，外接管路上连通有无机硅源气路、稀释气路，该MOCVD设备，具备稳定性好、操控简单、稀释无机硅烷流量稳定、稀释无机硅烷硅含量可调的优点，且获得的氧化镓外延膜，表面光滑、致密、结晶质量高，掺杂均匀，掺杂量容易控制，载流子浓度稳定，载流子浓度可调，重复性好，可用于批量的商业化制备，具有经济价值。
-
公开(公告)号：CN114108088B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202111437474.9
申请日：2021-11-26
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
摘要： 本申请涉及宽禁带半导体结晶技术领域，具体公开了一种β‑氧化镓晶体及其生长方法与应用，一种β‑氧化镓晶体的生长方法，包括以下操作步骤：（1）于0.4‑0.6MPa惰性气体下，加热氧化镓原料，熔融；（2）下降籽晶，熔接；提拉籽晶，开始引晶；（3）引晶后，继续提拉籽晶，同时升举坩埚，坩埚的上升速率小于籽晶的提拉速率，使晶体自发放肩；放肩后，停止升举坩埚，降温，使晶体等径生长；脱模，停止提拉籽晶，冷却至23℃，即得β‑氧化镓晶体。本申请β‑氧化镓晶体的位错密度最低为0.98x104条/cm2，摇摆曲线半峰宽可达43弧秒，提高了β‑氧化镓晶体的生长质量。
-
公开(公告)号：CN112474550B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010997736.6
申请日：2020-09-21
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
摘要： 本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种氧化镓晶片CMP后的清洗方法。其方法为：S1、用包含硫酸、双氧水和去离子水的清洗液Ⅰ清洗CMP后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S2、用包含氨水、双氧水和去离子水的清洗液Ⅱ清洗S1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S3、用包含氢氟酸和去离子水的清洗液Ⅲ清洗S2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S4、用包含盐酸、双氧水和去离子水的清洗液Ⅳ清洗S3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S5、在超声功率为150‑300w的环境下超声清洗S4清洗后的氧化镓晶片。
-
公开(公告)号：CN114141910B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202111426791.0
申请日：2021-11-27
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/09 , C23C14/08
摘要： 本申请涉及半导体材料的技术领域，具体公开了一种蓝宝石衬底生长纯相Ga2O3薄膜的方法及日盲紫外探测器，该方法包括以下步骤：通过磁控溅射方法在蓝宝石衬底上沉积得到纯相Ga2O3薄膜，磁控溅射参数为：衬底温度为500‑800℃，所述蓝宝石衬底选用（0006）、（30#imgabs0#0）、（01#imgabs1#2）取向的蓝宝石晶片中的任意一种或几种；本申请中公开的日盲紫外探测器包括所述的蓝宝石衬底及其表面外延生长的纯相Ga2O3薄膜。本申请具有可以在蓝宝石衬底上长成纯相Ga2O3薄膜，满足器件需求的特点。
-
公开(公告)号：CN114141910A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111426791.0
申请日：2021-11-27
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/09 , C23C14/08
摘要： 本申请涉及半导体材料的技术领域，具体公开了一种蓝宝石衬底生长纯相Ga2O3薄膜的方法及日盲紫外探测器，该方法包括以下步骤：通过磁控溅射方法在蓝宝石衬底上沉积得到纯相Ga2O3薄膜，磁控溅射参数为：衬底温度为500‑800℃，所述蓝宝石衬底选用（0006）、（300）、（012）取向的蓝宝石晶片中的任意一种或几种；本申请中公开的日盲紫外探测器包括所述的蓝宝石衬底及其表面外延生长的纯相Ga2O3薄膜。本申请具有可以在蓝宝石衬底上长成纯相Ga2O3薄膜，满足器件需求的特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
18 条记录 (耗时 0.038 秒)
