公开(公告)号：CN1289258C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03136775.5

申请日：2003-04-16

Applicant: 安内华株式会社 ,  日本发条株式会社

Inventor： 佐护康实 ,  金子一秋 ,  冈田拓士 ,  池田直义 ,  立川俊洋 ,  井口忠士 ,  茅本隆司

IPC: B23Q3/15 ,  H02N13/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: B25B11/002 ,  Y10T279/23

Abstract: 本申请公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层和覆盖层之间。缓和层与覆盖层具有在电介质板和吸附电极之间的热膨胀系数。本申请还公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层与覆盖层之间，该缓和层与覆盖层具有与吸附电极内应力指向相反的内应力。本申请进一步公开了一种基底加工装置，用于在基底温度保持高于室温时在基底上执行加工，包括在加工期间用来吸附住基底的静电吸附台。

公开(公告)号：CN1472037A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03136775.5

申请日：2003-04-16

Applicant: 安内华株式会社 ,  日本发条株式会社

Inventor： 佐护康实 ,  金子一秋 ,  冈田拓士 ,  池田直义 ,  立川俊洋 ,  井口忠士 ,  茅本隆司

IPC: B23Q3/15

CPC classification number: B25B11/002 ,  Y10T279/23

Abstract: 本申请公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层和覆盖层之间。缓和层与覆盖层具有在电介质板和吸附电极之间的热膨胀系数。本申请还公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层与覆盖层之间，该缓和层与覆盖层具有与吸附电极内应力指向相反的内应力。本申请进一步公开了一种基底加工装置，用于在基底温度保持高于室温时在基底上执行加工，包括在加工期间用来吸附住基底的静电吸附台。