公开(公告)号：CN1289258C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03136775.5

申请日：2003-04-16

Applicant: 安内华株式会社 ,  日本发条株式会社

Inventor： 佐护康实 ,  金子一秋 ,  冈田拓士 ,  池田直义 ,  立川俊洋 ,  井口忠士 ,  茅本隆司

IPC: B23Q3/15 ,  H02N13/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: B25B11/002 ,  Y10T279/23

Abstract: 本申请公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层和覆盖层之间。缓和层与覆盖层具有在电介质板和吸附电极之间的热膨胀系数。本申请还公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层与覆盖层之间，该缓和层与覆盖层具有与吸附电极内应力指向相反的内应力。本申请进一步公开了一种基底加工装置，用于在基底温度保持高于室温时在基底上执行加工，包括在加工期间用来吸附住基底的静电吸附台。

公开(公告)号：CN1472037A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03136775.5

申请日：2003-04-16

Applicant: 安内华株式会社 ,  日本发条株式会社

Inventor： 佐护康实 ,  金子一秋 ,  冈田拓士 ,  池田直义 ,  立川俊洋 ,  井口忠士 ,  茅本隆司

IPC: B23Q3/15

CPC classification number: B25B11/002 ,  Y10T279/23

Abstract: 本申请公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层和覆盖层之间。缓和层与覆盖层具有在电介质板和吸附电极之间的热膨胀系数。本申请还公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层与覆盖层之间，该缓和层与覆盖层具有与吸附电极内应力指向相反的内应力。本申请进一步公开了一种基底加工装置，用于在基底温度保持高于室温时在基底上执行加工，包括在加工期间用来吸附住基底的静电吸附台。

公开(公告)号：CN1454745A

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN03136774.7

申请日：2003-04-16

Applicant: 安内华株式会社

Inventor： 佐护康实 ,  金子一秋 ,  冈田拓士 ,  池田真义

IPC: B23Q3/15

CPC classification number: H01L21/67103 ,  B23Q3/154 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/6831 ,  Y10T279/23

Abstract: 本申请公开了ESC台的结构，其中的吸附电极夹在减速缓冲层和覆层之间。减速缓冲层和覆层的热膨胀系数位于介电板和吸附电极之间。本申请也公开了ESC台的最佳整个厚度，构成减速缓冲层的混合物的最佳比率，该混合物的热膨胀系数的最佳范围。本申请进一步公开了一种在基底上进行处理的基底处理装置，保持该基底的温度高于室温，该装置包括用于在处理过程中固定基底的静电吸附台。

公开(公告)号：CN1277951C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN03105242.8

申请日：2003-02-25

Applicant: 安内华株式会社

Inventor： 佐护康实 ,  池田真义 ,  金子一秋 ,  冈田拓士

IPC: C23C14/34 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，实现可有效地对需要温度控制的部分进行冷却或加热、并在所需的温度下均匀地进行控制的热交换器，由此可连续地进行稳定的处理。在具有排气机构和气体导入机构的处理室的内部，具备放置基板的基板放置台和气体排放机构，通过上述气体排放机构，朝向基板排放的气体或其反应生成物，对基板进行处理，其特征在于：基板放置台、气体排放机构或处理室具备热交换器，该热交换器是，在二个板状体之间设置有分隔壁，形成流路，使流体流过该流路，将上述板状体或与上述板状体接触的部件冷却或加热至规定的温度，即，分别在上述流路的内部的二个板状体上，与流路平行或具有规定的角度地设置翼片。

公开(公告)号：CN1253286C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN03136774.7

申请日：2003-04-16

Applicant: 安内华株式会社

Inventor： 佐护康实 ,  金子一秋 ,  冈田拓士 ,  池田真义

IPC: B23Q3/15 ,  H02N13/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67103 ,  B23Q3/154 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/6831 ,  Y10T279/23

Abstract: 本申请公开了ESC台的结构，其中的吸附电极夹在减速缓冲层和覆层之间。减速缓冲层和覆层的热膨胀系数位于介电板和吸附电极之间。本申请也公开了ESC台的最佳整个厚度，构成减速缓冲层的混合物的最佳比率，该混合物的热膨胀系数的最佳范围。本申请进一步公开了一种在基底上进行处理的基底处理装置，保持该基底的温度高于室温，该装置包括用于在处理过程中固定基底的静电吸附台。

公开(公告)号：CN1441083A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN03105242.8

申请日：2003-02-25

Applicant: 安内华株式会社

Inventor： 佐护康实 ,  池田真义 ,  金子一秋 ,  冈田拓士

IPC: C23C14/34 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，实现可有效地对需要温度控制的部分进行冷却或加热、并在所需的温度下均匀地进行控制的热交换器，由此可连续地进行稳定的处理。在具有排气机构和气体导入机构的处理室的内部，具备放置基板的基板放置台和气体排放机构，通过上述气体排放机构，朝向基板排放的气体或其反应生成物，对基板进行处理，其特征在于：基板放置台、气体排放机构或处理室具备热交换器，该热交换器是，在二个板状体之间设置有分隔壁，形成流路，使流体流过该流路，将上述板状体或与上述板状体接触的部件冷却或加热至规定的温度，即，分别在上述流路的内部的二个板状体上，与流路平行或具有规定的角度地设置翼片。