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公开(公告)号：CN1289258C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03136775.5
申请日：2003-04-16
CPC classification number: B25B11/002 , Y10T279/23
Abstract: 本申请公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层和覆盖层之间。缓和层与覆盖层具有在电介质板和吸附电极之间的热膨胀系数。本申请还公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层与覆盖层之间，该缓和层与覆盖层具有与吸附电极内应力指向相反的内应力。本申请进一步公开了一种基底加工装置，用于在基底温度保持高于室温时在基底上执行加工，包括在加工期间用来吸附住基底的静电吸附台。
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公开(公告)号：CN1472037A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03136775.5
申请日：2003-04-16
IPC: B23Q3/15
CPC classification number: B25B11/002 , Y10T279/23
Abstract: 本申请公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层和覆盖层之间。缓和层与覆盖层具有在电介质板和吸附电极之间的热膨胀系数。本申请还公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层与覆盖层之间，该缓和层与覆盖层具有与吸附电极内应力指向相反的内应力。本申请进一步公开了一种基底加工装置，用于在基底温度保持高于室温时在基底上执行加工，包括在加工期间用来吸附住基底的静电吸附台。
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公开(公告)号：CN1228821C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN03110796.6
申请日：2003-02-08
Applicant: 安内华株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23F4/00 , C23C16/513 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/505 , H01J37/32165
Abstract: 本发明公开了利用两个不同频率的射频波的射频等离子体处理的技术，在其中能够充分并且稳定地生成和保持等离子体。第一频率是用于通过引起放电来生成等离子体，第二频率是用于在被处理的基片上生成自偏电压。在施加第一频率的射频波以后通过一个时滞来施加第二频率的波。本发明还公开了在射频等离子体处理中的阻抗匹配技术，在其中为了引起放电和稳定等离子体来优化被提供的阻抗。
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公开(公告)号：CN1423103A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02155778.0
申请日：2002-12-04
CPC classification number: G05D23/1393
Abstract: 一种载冷剂供给装置,将纯水等的载冷剂调整成适合于所述负荷的目标温度于循环地供给至少一个负荷,具有:设在流动有从所述负荷侧返回的载冷剂载冷剂冷却流路中的、利用工业用水冷却所述载冷剂用的热交换器；对所述载冷剂加热用的加热器；设在所述冷却流路与所述加热流路的连接部上的混合部；设在所述混合部的出口侧的混合部出口侧温度传感器；根据来自所述混合部出口侧温度传感器的输出来调整冷却后的载冷剂与加热后的载冷剂的混合比的混合调整装置；作为设在所述混合部与所述负荷之间的储罐、即构成使所述载冷剂以缓慢低速度地通过其中的、具有约10升以上容积的储罐,因此,可降低装置的运转成本且使装置小型化,并可稳定控制载冷剂的温度。
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公开(公告)号：CN1261727C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN02155778.0
申请日：2002-12-04
CPC classification number: G05D23/1393
Abstract: 一种载冷剂供给装置，将纯水等的载冷剂调整成适合于所述负荷的目标温度于循环地供给至少一个负荷，具有：设在流动有从所述负荷侧返回的载冷剂载冷剂冷却流路中的、利用工业用水冷却所述载冷剂用的热交换器；对所述载冷剂加热用的加热器；设在所述冷却流路与所述加热流路的连接部上的混合部；设在所述混合部的出口侧的混合部出口侧温度传感器；根据来自所述混合部出口侧温度传感器的输出来调整冷却后的载冷剂与加热后的载冷剂的混合比的混合调整装置；作为设在所述混合部与所述负荷之间的储罐、即构成使所述载冷剂以缓慢低速度地通过其中的、具有约10升以上容积的储罐，因此，可降低装置的运转成本且使装置小型化，并可稳定控制载冷剂的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1599953A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02824097.9
申请日：2002-12-03
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , Y10T279/23
Abstract: 提供一种用于半导体制造装置的静电吸盘组件，其可用水冷却，并且不发生穿透泄漏。通过调节Cu基复合材料中的具有大的热膨胀系数的Cu和Ni以及具有小的热膨胀系数的W和Mo的比，可以得到具有与用于静电吸盘的氧化铝材料相同的热膨胀系数的高热导材料。但是，由于该复合材料具有穿透泄漏，不能在真空系统中使用。根据本发明，通过进行锻造处理，可防止击穿泄漏。同时，通过电镀或溅射施加Ni、Cr或Cu膜可改进对冷却板来说很重要的耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN1454745A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03136774.7
申请日：2003-04-16
Applicant: 安内华株式会社
IPC: B23Q3/15
CPC classification number: H01L21/67103 , B23Q3/154 , H01J37/32082 , H01L21/6831 , Y10T279/23
Abstract: 本申请公开了ESC台的结构，其中的吸附电极夹在减速缓冲层和覆层之间。减速缓冲层和覆层的热膨胀系数位于介电板和吸附电极之间。本申请也公开了ESC台的最佳整个厚度，构成减速缓冲层的混合物的最佳比率，该混合物的热膨胀系数的最佳范围。本申请进一步公开了一种在基底上进行处理的基底处理装置，保持该基底的温度高于室温，该装置包括用于在处理过程中固定基底的静电吸附台。
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公开(公告)号：CN1299345C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN02824097.9
申请日：2002-12-03
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , Y10T279/23
Abstract: 提供一种用于半导体制造装置的静电吸盘组件，其可用水冷却，并且不发生穿透泄漏。通过调节Cu基复合材料中的具有大的热膨胀系数的Cu和Ni以及具有小的热膨胀系数的W和Mo的比，可以得到具有与用于静电吸盘的氧化铝材料相同的热膨胀系数的高热导材料。但是，由于该复合材料具有穿透泄漏，不能在真空系统中使用。根据本发明，通过进行锻造处理，可防止击穿泄漏。同时，通过电镀或溅射施加Ni、Cr或Cu膜可改进对冷却板来说很重要的耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN1427457A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN02139983.2
申请日：2002-12-04
Applicant: 安内华株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/67028 , H01L21/67069
Abstract: 提供一种有效防止微粒附着在基板上的性能好的绝缘膜刻蚀装置。基板(9)保持在处理室(1)内的基板支架(2)上，由气体导入系统(3)导入刻蚀用气体。在等离子体形成装置(4)中由装置形成等离子体，通过等离子体中活性种和离子的作用来进行基板(9)表面的绝缘膜的刻蚀。控制部(8)在刻蚀结束后，由搬运机器人(51)从处理室(1)内取出基板(9)，由排气系统排气处理室(1)后，通过气体导入系统(3)导入清洁用气体，并由等离子体形成用单元(4)形成等离子体，通过等离子体作用来去除堆积在处理室(1)内露出面上的膜。设置在比基板保持面低的冷却捕集器(12)被强制冷却，捕集堆积作用的气体分子后堆积多的膜。冷却捕集器(12)可交换，其前面有防止堆积的膜剥离的凹凸部，表面为氧化物或绝缘物。
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公开(公告)号：CN1441083A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN03105242.8
申请日：2003-02-25
Applicant: 安内华株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，实现可有效地对需要温度控制的部分进行冷却或加热、并在所需的温度下均匀地进行控制的热交换器，由此可连续地进行稳定的处理。在具有排气机构和气体导入机构的处理室的内部，具备放置基板的基板放置台和气体排放机构，通过上述气体排放机构，朝向基板排放的气体或其反应生成物，对基板进行处理，其特征在于：基板放置台、气体排放机构或处理室具备热交换器，该热交换器是，在二个板状体之间设置有分隔壁，形成流路，使流体流过该流路，将上述板状体或与上述板状体接触的部件冷却或加热至规定的温度，即，分别在上述流路的内部的二个板状体上，与流路平行或具有规定的角度地设置翼片。
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