公开(公告)号：CN102931309B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210459767.1

申请日：2012-11-15

申请人： 安徽三安光电有限公司

发明人： 时军朋 ,  卓佳利 ,  杨力勋 ,  黄少华

IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/14

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025

摘要： 本发明公开的一种倒装发光二极管，其结构包括：基板，表面具有p区金属部分、n区金属部分，且两者之间相互隔离；p型外延层、有源层、n型外延层依次叠放于所述基板之上；反射层，位于所述基板与p型外延层之间；电流阻挡层，位于所述反射层与p型外延层之间，其所在位置使得电流不聚集在发光二级管的边缘；绝缘保护层，包裹发光二极管侧壁，裸露一部分n型外延层侧壁；P电极，连接所述金属反射层与基板的p区金属部分；N电极，连接n型外延层侧壁与基板的n区金属部分。本发明所述的倒装发光二极管不需要蚀刻掉有源层，充分利用了有源层的面积，侧壁电极也不会阻挡光线的出射，从而有效提高了发光效率。

公开(公告)号：CN102931309A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210459767.1

申请日：2012-11-15

申请人： 安徽三安光电有限公司

发明人： 时军朋 ,  卓佳利 ,  杨力勋 ,  黄少华

IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/14

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025

摘要： 本发明公开的一种倒装发光二极管，其结构包括：基板，表面具有p区金属部分、n区金属部分，且两者之间相互隔离；p型外延层、有源层、n型外延层依次叠放于所述基板之上；反射层，位于所述基板与p型外延层之间；电流阻挡层，位于所述反射层与p型外延层之间，其所在位置使得电流不聚集在发光二级管的边缘；绝缘保护层，包裹发光二极管侧壁，裸露一部分n型外延层侧壁；P电极，连接所述金属反射层与基板的p区金属部分；N电极，连接n型外延层侧壁与基板的n区金属部分。本发明所述的倒装发光二极管不需要蚀刻掉有源层，充分利用了有源层的面积，侧壁电极也不会阻挡光线的出射，从而有效提高了发光效率。

公开(公告)号：CN102903817A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210426841.X

申请日：2012-10-31

申请人： 安徽三安光电有限公司

发明人： 杨力勋 ,  时军朋 ,  梁兴华 ,  郑高林 ,  钟志白 ,  黄少华 ,  关杰夫

IPC分类号： H01L33/36

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/145 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

摘要： 本发明公开了一种有效提高半导体发光二极管LED工作稳定性的电极结构，涉及到包含反射层的LED电极结构，并且在这种结构中，反射层起到电流扩展的作用。这种电极结构是从反射层的侧面注入电流，从而在电极与LED接触面上形成一定的电势梯度，从而抑制反射层中金属离子在使用过程中由于电场作用发生的迁移，提高器件的稳定性能。同时作为注入电流的电极部分可以包含具有较高反射率但是又不易发生离子迁移的材料，从而增加整体的反射面积，提高出光效率。

公开(公告)号：CN102903819B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210423346.3

申请日：2012-10-30

申请人： 安徽三安光电有限公司

发明人： 时军朋 ,  李水清 ,  杨力勋 ,  梁兴华 ,  郑高林 ,  钟志白

IPC分类号： H01L33/38

摘要： 本发明公开的一种具有提高出光效率和改善出光均匀性的电极结构的发光二极管，通过减小单个指形电极的宽度和电极厚度到接近光的波长，利用光的衍射和干涉特性，使光绕过电极而出射，从而增加出光效率。所述电极结构包含两个或两个以上接触点和指形电极部分。该结构可应用于正装或者垂直结构的发光二极管芯片。

公开(公告)号：CN102903819A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210423346.3

申请日：2012-10-30

申请人： 安徽三安光电有限公司

发明人： 时军朋 ,  李水清 ,  杨力勋 ,  梁兴华 ,  郑高林 ,  钟志白

IPC分类号： H01L33/38

摘要： 本发明公开的一种具有提高出光效率和改善出光均匀性的电极结构的发光二极管，通过减小单个指形电极的宽度和电极厚度到接近光的波长，利用光的衍射和干涉特性，使光绕过电极而出射，从而增加出光效率。所述电极结构包含两个或两个以上接触点和指形电极部分。该结构可应用于正装或者垂直结构的发光二极管芯片。

公开(公告)号：CN102903817B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201210426841.X

申请日：2012-10-31

申请人： 安徽三安光电有限公司

发明人： 杨力勋 ,  时军朋 ,  梁兴华 ,  郑高林 ,  钟志白 ,  黄少华 ,  赵志伟

IPC分类号： H01L33/36

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/145 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

摘要： 本发明公开了一种有效提高半导体发光二极管LED工作稳定性的电极结构，涉及到包含反射层的LED电极结构，并且在这种结构中，反射层起到电流扩展的作用。这种电极结构是从反射层的侧面注入电流，从而在电极与LED接触面上形成一定的电势梯度，从而抑制反射层中金属离子在使用过程中由于电场作用发生的迁移，提高器件的稳定性能。同时作为注入电流的电极部分可以包含具有较高反射率但是又不易发生离子迁移的材料，从而增加整体的反射面积，提高出光效率。