公开(公告)号：CN109417084A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040945.8

申请日：2017-06-26

申请人： 艾利迪公司 ,  原子能和替代能源委员会

发明人： 弗洛里安·杜邦 ,  伯努瓦·阿姆施塔特 ,  文森特·贝 ,  托马斯·拉卡韦 ,  菲利普·吉莱 ,  埃文·赫纳夫 ,  贝朗杰·霍伊特 ,  休伯特·博诺

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/156 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

摘要： 本发明涉及一种光电器件(1)，该光电器件包括：-包括彼此相对的称为后表面(3a)和前表面(3b)的支承件；-形成第一极化电极的多个成核导电带(6i)；-覆盖所述成核导电带(6i)的中间绝缘层(7)；-多个二极管(2)，其每个包括三维的第一掺杂部分(9)和第二掺杂部分(11)；-形成第二极化电极的多个上部导电带(14j)，其支承在所述中间绝缘层(7)上，每个所述上部导电带(14j)设置为与其第一掺杂部分(9)与不同成核导电带(6i)接触的二极管(2)集合的第二掺杂部分(11)接触。

公开(公告)号：CN104854696B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201380065583.X

申请日：2013-11-29

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 亚历山大·F·普福伊费尔 ,  诺温·文马尔姆

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L25/075 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L27/1222 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/156 ,  H01L33/24 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提出一种具有层堆(2)的显示设备(1)，所述层堆具有带有设为用于产生辐射的有源区域(200)的半导体层序列(20)和电路层(25)。半导体层序列形成多个像素(3)。在电路层中为每个像素构成有开关(4)，所述开关与相应的像素导电地连接。此外，提出一种用于制造显示设备的方法。

公开(公告)号：CN105580145B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201480053076.9

申请日：2014-07-17

申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

发明人： R.瓦格纳 ,  T.法伊特 ,  B.霍克斯霍尔德 ,  P.施洛泽

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/385 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0066

摘要： 说明一种光电子半导体芯片（1），其具有载体（5）和半导体本体（2），所述半导体本体具有被设置用于产生和/或接收辐射的有源区域（20），其中－半导体本体利用连接层（6）固定在载体上；－载体在垂直方向上在朝向半导体本体的第一主面（53）和背向半导体本体的第二主面（54）之间延伸，其中侧面（51）将第一主面和第二主面相互连接；－载体的侧面的第一区域（511）具有凹部（55）；－侧面的第二区域在垂直方向上在凹部和第二主面之间伸展；－半导体芯片具有绝缘层（4），所述绝缘层分别至少部分地覆盖半导体本体和第一区域；以及－第二区域不被绝缘层覆盖。此外说明一种半导体器件和一种用于制造光电子半导体芯片的方法。

公开(公告)号：CN108133997A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711236835.7

申请日：2017-11-30

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 赖隆宽 ,  郑景太 ,  任益华 ,  谢明勋 ,  刘俊宏 ,  廖世安 ,  许明祺 ,  廖宇宸

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC分类号： H01L33/60 ,  G02B6/0051 ,  G02B6/0073 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/385 ,  H01L33/46 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

摘要： 本发明公开一种发光装置，其包含：一发光体，具有一内部电极；以及一导电层，具有一第一部分形成于内部电极上且与发光体于一第一方向重叠，及一第二部分与发光体于一第二方向重叠，其中，第一方向与第二方向垂直。

公开(公告)号：CN103765615B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201280041229.9

申请日：2012-04-20

申请人： 克利公司

发明人： 迈克尔·伯格曼恩 ,  马修·多诺弗里奥 ,  斯滕·海克曼 ,  凯文·S·施奈德 ,  凯文·W·哈贝雷恩 ,  约翰·A·埃德蒙

IPC分类号： H01L33/40

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明的实施方式总体上涉及通过降低邻接镜接触件的阻挡层的光吸收效应而具有改善的总发射的LED芯片。在一个实施方式中，LED芯片（200）包括一个或多个LED，各LED具有有源区、在具有高反射镜（206）的所述有源区下面第一接触件、和邻接镜的阻挡层（208）。阻挡层小于镜，使得它未延伸超过镜的周围。在另一个可行的实施方式中，还配置绝缘体（210），绝缘体邻接阻挡层并且邻接不与有源区或阻挡层接触的镜的部分。在又另一个实施方式中，在有源区上配置第二接触件（222、224）。在另一个实施方式中，阻挡层小于镜，使得镜的周围至少40%没有阻挡层，而且第二接触件在第一接触件下方并且可从芯片的底部接入。

公开(公告)号：CN103794691B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201310527055.3

申请日：2013-10-30

申请人： 首尔伟傲世有限公司

发明人： 金京完 ,  金泰均 ,  尹余镇 ,  金艺瑟 ,  吴尚炫 ,  李珍雄

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/385 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0058

摘要： 提供一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括单位芯片。所述单位芯片包括基板以及依次层叠于所述基板上的第1导电型半导体层、活性层和第2导电型半导体层。在所述单位芯片的侧表面内设置有沿竖直方向形成的不规则的纵线形状的凹凸结构。

公开(公告)号：CN105594001B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201480055584.0

申请日：2014-10-06

申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

发明人： M.戈德巴奇

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/38

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/16 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38 ,  H01L33/385

摘要： 说明半导体芯片（100），具有包括半导体层序列的半导体主体（2）、载体主体（4）和至少一个上侧接触部（8）。所述半导体芯片（100）在投影中具有与矩形形状不同的形状。此外描述用于沿着分解图案（15）将复合体分解成多个半导体芯片（100）的具有步骤的方法，通过所述方法可以制造多个按照本发明的半导体芯片。

公开(公告)号：CN107636846A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680029225.7

申请日：2016-04-22

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 成演准 ,  文智炯 ,  朴修益

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/36

CPC分类号： H01L33/385 ,  H01L33/06 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014

摘要： 实施例涉及能够降低驱动电压并改善光输出的发光元件，该发光元件包括：支撑衬底；发光结构，布置在支撑衬底上，并且包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；多个连接槽，包括通过去除发光结构而露出第二半导体层的底表面以及露出第一半导体层、有源层和第二半导体层的侧表面；第一电极，布置在发光结构上，以接触第一半导体层，第一电极包括第一电极图案和第二电极图案，第一电极图案具有延伸到连接槽外围的端部，第二电极图案布置在第一电极图案上；接触电极，延伸到第一半导体层的上表面，以包围连接槽的底表面和侧表面；第二电极，包括连接到多个接触电极的接合电极；以及绝缘图案，布置在第一电极和第二电极之间。

公开(公告)号：CN103811620B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201310542837.4

申请日：2013-11-05

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 王志贤 ,  张耀儒 ,  黄意雯 ,  刘国进

IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L27/156 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44

摘要： 本发明公开一种发光元件及其发光阵列。该发光元件包含：一发光结构；多个第一接触部彼此分离地形成在发光结构上；以及多个反射部彼此分离地形成在多个的第一接触部中。

公开(公告)号：CN107369753A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710224697.4

申请日：2017-04-07

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 谢明勋 ,  余仁杰 ,  柯韦帆

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L24/13 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L33/48 ,  H01L33/501

摘要： 本发明公开一种发光元件，包含一半导体叠层、一电极、一电极柱、一反射绝缘层、一延伸电极与一支撑结构。电极位于半导体叠层的下表面上，且电连接至半导体叠层。电极柱位于电极上。反射绝缘层，围绕电极柱，并具有一与电极柱齐平的下表面。一延伸电极位于半导体叠层的上表面上。支撑结构位于延伸电极上。