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公开(公告)号：CN106997164B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201610812849.8
申请日：2016-09-09
申请人： 富士施乐株式会社
摘要： 本发明公开了一种定影装置、图像形成装置和加热装置，所述定影装置包括加热部件、带部件以及按压部件。加热部件包括：基板，其具有大致平坦部及在一侧的表面上的凹部；加热体，其设置在基板的大致平坦部上并且通过供应电流发热；电阻元件，其设置在基板的凹部中并且与加热体串联，电阻元件具有正温度系数；和保护层，其设置在加热体和电阻元件上方并且保护加热体和电阻元件。带部件通过与加热部件的基板的一侧的表面接触而被加热，且带部件可旋转。按压部件按压带部件并且形成咬合部。
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公开(公告)号：CN106997164A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610812849.8
申请日：2016-09-09
申请人： 富士施乐株式会社
CPC分类号： G03G15/2057 , G03G2215/2035 , G03G15/2053 , H05B3/26
摘要： 本发明公开了一种定影装置、图像形成装置和加热装置，所述定影装置包括加热部件、带部件以及按压部件。加热部件包括：基板，其具有大致平坦部及在一侧的表面上的凹部；加热体，其设置在基板的大致平坦部上并且通过供应电流发热；电阻元件，其设置在基板的凹部中并且与加热体串联，电阻元件具有正温度系数；和保护层，其设置在加热体和电阻元件上方并且保护加热体和电阻元件。带部件通过与加热部件的基板的一侧的表面接触而被加热，且带部件可旋转。按压部件按压带部件并且形成咬合部。
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公开(公告)号：CN105340065B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201480035154.2
申请日：2014-06-25
申请人： 富士施乐株式会社
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/6836 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要： 本发明提供了用于制造半导体部件的方法，该方法包括如下步骤：在形成有多个发光元件的半导体基板的正面的切割区域中，通过蚀刻形成正面侧上的凹部，该凹部具有包括第一宽度(Sa1)的第一凹部(510)和包括比第一宽度大的第二宽度(Sa2)的第二凹部(520)；以及利用旋转的切割刀片(300)从半导体基板的背面形成到达第二凹部(520)的背面侧凹部(170)，将多个半导体元件分成独立的半导体部件。
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公开(公告)号：CN105590835A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510752088.7
申请日：2015-11-06
申请人： 富士施乐株式会社
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02019 , H01L21/02016
摘要： 一种半导体件的制造方法，包括：形成沟槽，该沟槽具有第一沟槽部分以及第二沟槽部分，第二沟槽部分是形成为与第一沟槽部分的下部连通的沟槽部分并以比第一沟槽部分的角度更陡峭的角度朝下部延伸，沟槽具有在第一沟槽部分与第二沟槽部分之间不存在拐角部分的形状，沟槽定位在正面上并利用干蚀法形成；将包括粘合剂层的保持部件附着至正面，正面形成有正面上的沟槽；在附着保持部件的状态下，从基板的背面使基板变薄；以及在变薄之后，从正面去除保持部件。
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公开(公告)号：CN105340064A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480034349.5
申请日：2014-06-26
申请人： 富士施乐株式会社
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/3043 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要： 该半导体片制造方法具有：用于形成具有其宽度从半导体基底(W)的前表面至后表面逐渐减小的第一凹槽部分的前表面侧细微凹槽的步骤；在形成前表面侧细微凹槽之后粘附划片带的步骤，所述划片带在其前表面上具有粘合剂层；利用旋转划片刀从基底的后表面侧沿着前表面侧细微凹槽形成后表面侧凹槽的步骤，所述后表面侧凹槽的宽度大于前表面侧细微凹槽的宽度；以及在形成后表面侧上的凹槽之后从前表面剥离划片带的步骤。
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公开(公告)号：CN105590835B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510752088.7
申请日：2015-11-06
申请人： 富士施乐株式会社
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 一种半导体件的制造方法，包括：形成沟槽，该沟槽具有第一沟槽部分以及第二沟槽部分，第二沟槽部分是形成为与第一沟槽部分的下部连通的沟槽部分并以比第一沟槽部分的角度更陡峭的角度朝下部延伸，沟槽具有在第一沟槽部分与第二沟槽部分之间不存在拐角部分的形状，沟槽定位在正面上并利用干蚀法形成；将包括粘合剂层的保持部件附着至正面，正面形成有正面上的沟槽；在附着保持部件的状态下，从基板的背面使基板变薄；以及在变薄之后，从正面去除保持部件。
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公开(公告)号：CN105340064B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480034349.5
申请日：2014-06-26
申请人： 富士施乐株式会社
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/3043 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要： 该半导体片制造方法具有：用于形成具有其宽度从半导体基底(W)的前表面至后表面逐渐减小的第一凹槽部分的前表面侧细微凹槽的步骤；在形成前表面侧细微凹槽之后粘附划片带的步骤，所述划片带在其前表面上具有粘合剂层；利用旋转划片刀从基底的后表面侧沿着前表面侧细微凹槽形成后表面侧凹槽的步骤，所述后表面侧凹槽的宽度大于前表面侧细微凹槽的宽度；以及在形成后表面侧上的凹槽之后从前表面剥离划片带的步骤。
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公开(公告)号：CN105340065A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480035154.2
申请日：2014-06-25
申请人： 富士施乐株式会社
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/6836 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要： 本发明提供了用于制造半导体部件的方法，该方法包括如下步骤：在形成有多个发光元件的半导体基板的正面的切割区域中，通过蚀刻形成正面侧上的凹部，该凹部具有包括第一宽度(Sa1)的第一凹部(510)和包括比第一宽度大的第二宽度(Sa2)的第二凹部(520)；以及利用旋转的切割刀片(300)从半导体基板的背面形成到达第二凹部(520)的背面侧凹部(170)，将多个半导体元件分成独立的半导体部件。
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公开(公告)号：CN100333992C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200510052804.7
申请日：2005-02-28
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C3/008
摘要： 公开了一种具有高形状精度的微结构的制造方法及其制造系统。在具有预定定位精度和大行程的粗动工作台(51)上，设置有具有小行程和高于粗动工作台(51)定位精度的微动工作台(52)。首先，移动粗动工作台(51)至要求的位置。利用设置在激光长度测量机(64)上的镜子(55)和微动工作台(52)，高精度地测量在微动工作台(52)上的薄膜元件(25)的当前位置。激光长度测量机(64)的测量值反馈到工作台控制装置(61)。通过误差校正单元(64)计算当前位置和目标位置之间的误差。因此，产生误差校正值。并且利用误差校正值移动微动工作台(52)到目标位置。从而校正粗动工作台(51)的误差。
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公开(公告)号：CN107160831B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201610812689.7
申请日：2016-09-09
申请人： 富士施乐株式会社
摘要： 本发明公开了一种加热装置的制造方法、印刷品的制造方法及丝网印刷装置，该加热装置的制造方法包括以下步骤：准备具有弯曲表面的基板；以及在所述基板上形成加热体，所述加热体利用电流的供给产生热。所述加热体的所述形成包括以下步骤：边旋转所述基板并移动丝网，边借助于按压部件向所述基板按压所述丝网，并经由所述丝网向所述基板转印形成所述加热体的涂布液。在所述加热体的所述形成中，所述按压部件相对于转印位置在所述丝网的移动方向上的上游侧的位置与所述丝网接触。
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