公开(公告)号：CN111886682B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN201980021045.8

申请日：2019-10-11

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  目黑美佐稀 ,  儿玉奈绪子 ,  伊仓巧裕 ,  野口晴司 ,  原田祐一 ,  樱井洋辅

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D12/00 ,  H10D62/80

Abstract: 提供一种半导体装置，在深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，第一氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，第二氢浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，该第二深度以下表面为基准时比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用第二氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用第一氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。

公开(公告)号：CN112204710B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201980034474.9

申请日：2019-12-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 目黒美佐稀 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  儿玉奈绪子 ,  阿形泰典

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，其在深度方向上，氢浓度分布具有氢浓度峰，氦浓度分布具有氦浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，氦浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，以该半导体装置的下表面为基准时，所述第二深度比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用氦浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。

公开(公告)号：CN117836952A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280051893.5

申请日：2022-06-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  吉村尚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/12 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：第一导电型的漂移区，其设置于具有正面和背面的半导体基板；以及第一导电型或第二导电型的背面侧区域，其在所述半导体基板中，设置于比所述漂移区更靠所述半导体基板的背面侧的位置，且原子密度比所述漂移区的原子密度高，所述背面侧区域的原子密度分布具有：平缓梯度区，其在所述半导体基板的深度方向上，掺杂剂的原子密度从所述背面侧朝向所述半导体基板的正面侧增加；陡峭梯度区，其设置于比所述平缓梯度区更靠所述正面侧的位置，且所述掺杂剂的原子密度以比所述平缓梯度区的原子密度梯度更大的原子密度梯度增加；峰区，其设置于比所述陡峭梯度区更靠所述正面侧的位置，且在所述掺杂剂的原子密度分布中具有峰；以及减小区，其设置在所述峰区与所述漂移区之间，且在所述半导体基板的深度方向上所述掺杂剂的原子密度朝向所述漂移区减小。

公开(公告)号：CN117836949A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202380013271.8

申请日：2023-03-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 内田美佐稀 ,  吉村尚 ,  谷口竣太郎

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，具备：第一导电型的漂移区，其设置于具有正面和背面的半导体基板；以及第一导电型的缓冲区，其设置于比所述漂移区更靠所述半导体基板的所述背面侧的位置，所述缓冲区具有包括掺杂浓度的一个或多个浓度峰的浓度峰组，所述浓度峰组包括第一浓度峰，所述第一浓度峰是在所述半导体基板的深度方向上，在所述一个或多个浓度峰中设置于最靠所述半导体基板的所述背面侧的浓度峰，所述半导体基板包括第一氢峰，所述第一氢峰示在所述半导体基板的深度方向上设置于与所述第一浓度峰的深度位置相同的位置或者比所述第一浓度峰的深度位置更靠所述半导体基板的所述背面侧的位置处的氢的原子密度的峰。

公开(公告)号：CN109643646B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201880003267.2

申请日：2018-01-30

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷下博 ,  吉村尚

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 从n‑型半导体基板(10)的背面照射短波长激光器的激光(31)，使p+型集电区(12)和n+型阴极区(13)活化。此时，n‑型半导体基板(10)的背面的表面层熔融而再结晶化，几乎不存在无定形化了的部分。其后，从n‑型半导体基板(10)的背面照射长波长激光器的激光(32)，使n型FS区域(11)活化。由于在n‑型半导体基板(10)的背面的表面层几乎不存在无定形化了的部分，所以能够抑制长波长激光器的激光(32)的吸收率降低和/或高反射率化，由长波长激光器的激光(32)产生的热传递到n型FS区域(11)，能够使n型FS区域(11)可靠地活化。由此，能够通过更低能量下的激光退火使预定区域活化。

公开(公告)号：CN114303246A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202180005055.X

申请日：2021-03-04

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤由晴 ,  樱井洋辅 ,  野口晴司 ,  吉村尚

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：设置有漂移区的半导体基板；配置于漂移区与下表面之间，并且掺杂浓度分布具有3个以上的浓度峰的缓冲区；以及配置于缓冲区与下表面之间的集电区，缓冲区中的3个以上的浓度峰包括：第一浓度峰，距离下表面最近；第二浓度峰，以仅次于第一浓度峰的方式接近下表面，且被配置为在深度方向上距离下表面为5μm以上，第二浓度峰的掺杂浓度比第一浓度峰的掺杂浓度低且第二浓度峰的掺杂浓度小于1.0×1015/cm3；以及高浓度峰，被配置为比第二浓度峰更远离下表面，且高浓度峰的掺杂浓度比第二浓度峰的掺杂浓度高。

公开(公告)号：CN109417093B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201880002603.1

申请日：2018-01-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  吉村尚 ,  泷下博

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供具有缓冲区的半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；第一导电型的漂移层，其设置于半导体基板；以及缓冲区，其设置于漂移层，具有多个第一导电型的掺杂浓度的峰，缓冲区具有：第一峰，其具有预先确定的掺杂浓度，且在多个峰中设置于最靠近半导体基板的背面侧的位置；以及高浓度峰，其具有比第一峰的掺杂浓度高的掺杂浓度，设置于比第一峰靠半导体基板的上表面侧的位置。

公开(公告)号：CN107004723B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201680003833.0

申请日：2016-06-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田村隆博 ,  小野泽勇一 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  山野彰生

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其掺杂有杂质；正面侧电极，其设置于半导体基板的正面侧；以及背面侧电极，其设置于半导体基板的背面侧，半导体基板具有：峰区域，其配置于半导体基板的背面侧，且杂质浓度具有1个以上的峰；高浓度区，其配置位置与峰区域相比更靠近正面侧，且杂质浓度比1个以上的峰平缓；以及低浓度区，其配置位置与高浓度区相比更靠近正面侧，且杂质浓度比高浓度区的杂质浓度低。

公开(公告)号：CN112204710A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980034474.9

申请日：2019-12-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 目黒美佐稀 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  儿玉奈绪子 ,  阿形泰典

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 高精度地控制通过结晶缺陷与氢结合而产生的施主区域的范围和施主浓度。提供一种半导体装置，其在深度方向上，氢浓度分布具有氢浓度峰，氦浓度分布具有氦浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，氦浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，以该半导体装置的下表面为基准时，所述第二深度比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用氦浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。

公开(公告)号：CN106887385B

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201610812676.X

申请日：2013-03-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小林勇介 ,  吉村尚

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/324 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法，包含：从背面对第一导电型的半导体基板进行研磨的研磨工序；从所述半导体基板(101)的经研磨后的背面直接对所述半导体基板进行质子注入的注入工序；在注入工序后，通过在炉中对半导体基板(101)进行退火处理，形成具有比半导体基板(101)高的杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域(101a)的形成工序，在所述半导体基板的内部，形成工序在将炉内设成氢气氛、将炉退火的氢的容积浓度设为0.5％以上且小于4.65％的条件下进行，由所述质子注入的注入能量决定的质子的飞程在所述半导体基板内。由此，对于利用质子注入进行的施主生成，能够实现结晶缺陷减少。另外，能够提高施主化率。