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公开(公告)号：CN102318141A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007930.X
申请日：2010-02-17
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01R13/2435 , H01B1/023 , H01R12/7082
Abstract: 本发明提供一种各向异性导电构件，所述各向异性导电构件具有显著增加的导电通路设置密度，并且即使现在已经获得了较高的集成化水平时，也可以将其用作用于电子部件如半导体器件的电连接构件或检查连接器，并且它具有优异的挠性。该各向异性导电构件包括：绝缘基材和多个导电通路，所述导电通路由导电材料制成，彼此绝缘，并且在绝缘基材的厚度方向上延伸通过所述绝缘基材，所述导电通路的每一个的一端在所述绝缘基材的一侧突出，所述导电通路的每一个的另一端在所述绝缘基材的另一侧暴露或突出。绝缘基材由树脂材料制成，并且导电通路以至少1,000,000个导电通路/mm2的密度形成。
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公开(公告)号：CN101074486B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200710092363.2
申请日：2007-02-28
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C25D11/00 , B81B2201/0214 , B81C99/008 , C25D11/20 , C25D11/24
Abstract: 提供一种在铬酸等的环境中不使用非优选物质，在短时间内，能够得到具有规律排列的凹坑的纳米结构体的制造方法。该纳米结构体的制造方法包括：通过将具有铝基板和在上述铝基板表面上存在的阳极氧化被膜的铝部件作为阴极实施电解来使上述阳极氧化被膜和上述铝基板剥离，得到由阳极氧化被膜构成的结构体的剥离工序；其中，在上述剥离工序中，按照使电流流过上述阳极氧化被膜的表面的方式实施上述电解。
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公开(公告)号：CN102318141B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201080007930.X
申请日：2010-02-17
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01R13/2435 , H01B1/023 , H01R12/7082
Abstract: 本发明提供一种各向异性导电构件，所述各向异性导电构件具有显著增加的导电通路设置密度，并且即使现在已经获得了较高的集成化水平时，也可以将其用作用于电子部件如半导体器件的电连接构件或检查连接器，并且它具有优异的挠性。该各向异性导电构件包括：绝缘基材和多个导电通路，所述导电通路由导电材料制成，彼此绝缘，并且在绝缘基材的厚度方向上延伸通过所述绝缘基材，所述导电通路的每一个的一端在所述绝缘基材的一侧突出，所述导电通路的每一个的另一端在所述绝缘基材的另一侧暴露或突出。绝缘基材由树脂材料制成，并且导电通路以至少1,000,000个导电通路/mm2的密度形成。
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公开(公告)号：CN101074486A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710092363.2
申请日：2007-02-28
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C25D11/00 , B81B2201/0214 , B81C99/008 , C25D11/20 , C25D11/24
Abstract: 提供一种在铬酸等的环境中不使用非优选物质，在短时间内，能够得到具有规律排列的凹坑的纳米结构体的制造方法。该纳米结构体的制造方法包括：通过将具有铝基板和在上述铝基板表面上存在的阳极氧化被膜的铝部件作为阴极实施电解来使上述阳极氧化被膜和上述铝基板剥离，得到由阳极氧化被膜构成的结构体的剥离工序；其中，在上述剥离工序中，按照使电流流过上述阳极氧化被膜的表面的方式实施上述电解。
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公开(公告)号：CN101897083B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200880119897.2
申请日：2008-12-01
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01R12/714 , Y10T29/49126 , Y10T29/4921 , Y10T428/24074 , Y10T428/24083 , Y10T428/24091 , Y10T428/24174 , Y10T428/24917 , Y10T428/249953 , Y10T428/249956 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种各向异性导电接合组件，其中各向异性导电膜被接合到至少一种导电材料上，所述至少一种材料选自金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、镍(Ni)、铟掺杂的氧化锡(ITO)、钼(Mo)、铁(Fe)、Pd(钯)、铍(Be)和铼(Re)。所述组件的特征在于：所述各向异性导电膜具有绝缘基底和导电通道，所述导电通道由导电构件构成，彼此绝缘，并且在所述绝缘基底的厚度方向上延伸通过所述绝缘基底，导电通道的一端暴露于所述绝缘基底的一侧，并且另一端暴露于另一侧，所述导电通道的密度是3,000,000个/mm2以上，并且所述绝缘基底是具有微孔的铝基板的阳极氧化膜构成的结构体，并且每一个微孔沿着深度都没有分支结构。通过显著提高了导电通道的设置密度，即使结构体实现了更高的集成度，所述组件也可以被用作半导体器件等的电子部件的各向异性导电构件或用于检查的连接器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101971037A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108815.9
申请日：2009-03-09
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G01R1/0735 , G01R3/00 , G01R31/2863 , H01R12/7076 , H01R12/7082 , H01R13/2414
Abstract: 本发明的目的是提供一种探针卡，所述探针卡即使在老化测试中暴露于高温后，也具有在测试用电极和被测试电极之间的连接的良好稳定性，并且即使在重复使用探针卡后，也对于在测试用电极和导电部之间或在导电部和探针或被测试电极之间的接触位置的偏移较不敏感。本发明的探针卡是包括测试用电路板和各向异性导电构件的探针卡，测试用电路板具有形成的测试用电极以对应于被测试电极，各向异性导电构件电连接被测试电极与测试用电极。使测试用电极形成为使得至少该测试用电极的端部从测试用电路板的表面突出，并且各向异性导电构件是具有绝缘基底和多个由导电材料制成的导电通路的构件，绝缘基底由其中具有微孔的阳极氧化铝膜制成，多个导电通路彼此绝缘，并且在绝缘基底的厚度方向延伸贯穿绝缘基底。
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公开(公告)号：CN102317010A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007950.7
申请日：2010-02-17
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B22F1/00 , B22F1/02 , B22F9/02 , B22F9/08 , B22F9/24 , B82B1/00 , B82B3/00 , C25D11/18 , C25D11/20
CPC classification number: B22F1/004 , B22F1/0025 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B81B2207/056 , B81C1/00111 , B82Y30/00 , C25D11/18 , C25D11/20 , Y10T428/12424 , B22F9/04 , B22F3/10 , B22F2201/10 , B22F2201/20
Abstract: 本发明提供高纵横尺寸比的金属构件如纳米柱、纳米棒等及其制备方法，这种金属构件通过以下方法制备：用金属填充有序度为70％以上的阳极氧化膜的微孔至5以上的纵横尺寸比，随后在惰性气体气氛中或在真空中在300℃以上至1000℃以下进行烘焙以提高结晶性。
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公开(公告)号：CN101897083A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880119897.2
申请日：2008-12-01
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01R12/714 , Y10T29/49126 , Y10T29/4921 , Y10T428/24074 , Y10T428/24083 , Y10T428/24091 , Y10T428/24174 , Y10T428/24917 , Y10T428/249953 , Y10T428/249956 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种各向异性导电接合组件，其中各向异性导电膜被接合到至少一种导电材料上，所述至少一种材料选自金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、镍(Ni)、铟掺杂的氧化锡(ITO)、钼(Mo)、铁(Fe)、Pd(钯)、铍(Be)和铼(Re)。所述组件的特征在于：所述各向异性导电膜具有绝缘基底和导电通道，所述导电通道由导电构件构成，彼此绝缘，并且在所述绝缘基底的厚度方向上延伸通过所述绝缘基底，导电通道的一端暴露于所述绝缘基底的一侧，并且另一端暴露于另一侧，所述导电通道的密度是3,000,000个/mm2以上，并且所述绝缘基底是具有微孔的铝基板的阳极氧化膜构成的结构体，并且每一个微孔沿着深度都没有分支结构。通过显著提高了导电通道的设置密度，即使结构体实现了更高的集成度，所述组件也可以被用作半导体器件等的电子部件的各向异性导电构件或用于检查的连接器。
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公开(公告)号：CN101054709A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710084705.6
申请日：2007-02-26
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C25D11/20 , C25D11/12 , C25D11/24 , Y10T428/12042 , Y10T428/12056 , Y10T428/249953 , Y10T428/24997 , Y10T428/249974
Abstract: 制备微细结构体的方法中，将具有铝基材和存在于所述铝基材的表面上的含微孔的阳极化层的铝构件至少依次进行：孔有序化处理，所述孔有序化处理包括进行如下步骤的一个或多个循环，所述步骤包括用于溶解0.001至20重量％的组成所述阳极化层的材料的第一次膜溶解处理，和在第一次膜溶解处理之后的阳极化处理；和用于溶解所述阳极化层的第二次膜溶解处理，从而得到具有在其表面上形成的微孔的微细结构体。这种方法使得能够在短时间内得到具有有序化的凹坑阵列的微细结构体。
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