各向异性导电构件及其制备方法

    公开(公告)号:CN102318141B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201080007930.X

    申请日:2010-02-17

    CPC classification number: H01R13/2435 H01B1/023 H01R12/7082

    Abstract: 本发明提供一种各向异性导电构件,所述各向异性导电构件具有显著增加的导电通路设置密度,并且即使现在已经获得了较高的集成化水平时,也可以将其用作用于电子部件如半导体器件的电连接构件或检查连接器,并且它具有优异的挠性。该各向异性导电构件包括:绝缘基材和多个导电通路,所述导电通路由导电材料制成,彼此绝缘,并且在绝缘基材的厚度方向上延伸通过所述绝缘基材,所述导电通路的每一个的一端在所述绝缘基材的一侧突出,所述导电通路的每一个的另一端在所述绝缘基材的另一侧暴露或突出。绝缘基材由树脂材料制成,并且导电通路以至少1,000,000个导电通路/mm2的密度形成。

    纳米结构体的制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101074486A

    公开(公告)日:2007-11-21

    申请号:CN200710092363.2

    申请日:2007-02-28

    Abstract: 提供一种在铬酸等的环境中不使用非优选物质,在短时间内,能够得到具有规律排列的凹坑的纳米结构体的制造方法。该纳米结构体的制造方法包括:通过将具有铝基板和在上述铝基板表面上存在的阳极氧化被膜的铝部件作为阴极实施电解来使上述阳极氧化被膜和上述铝基板剥离,得到由阳极氧化被膜构成的结构体的剥离工序;其中,在上述剥离工序中,按照使电流流过上述阳极氧化被膜的表面的方式实施上述电解。

    屏障积层体和新颖可聚合化合物

    公开(公告)号:CN103906624A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201280046728.7

    申请日:2012-09-25

    Abstract: 本发明提供一种屏障积层体,其展现出有所改善的耐热性。屏障积层体具有至少一个有机层和至少一个无机屏障层,所述有机层是使可聚合组合物固化而形成,所述可聚合组合物包括了具有两个以上可聚合基团的可聚合化合物,且所述有机层中的未固化组分的总量为有机层总质量的1.5质量%以下。本发明还提供一种由式(11)(式中,R21表示氢原子或甲基,且R22表示甲基或环己基。n表示整数0到2。X表示可聚合基团)表示的新的可聚合化合物,其适合用作可聚合化合物。

    阻气膜
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104203563B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201380017358.9

    申请日:2013-02-28

    Abstract: 通过本发明,作为基材与阻挡性层叠体的粘附性得到改善的阻气膜,提供一种阻气膜,其是依次包含塑料膜、有机层及无机层的阻气膜,在上述塑料膜及上述有机层之间,具有包含选自由硅氧化物、硅氮化物及硅碳化物组成的组中的1种以上的化合物的硅化合物层,上述塑料膜及上述的硅化合物层、以及上述的硅化合物层及上述有机层分别彼此邻接,上述的硅化合物层的膜厚为40nm以下,上述有机层为由包含聚合性化合物及硅烷偶联剂的组合物形成的层。

    阻气膜
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104203563A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201380017358.9

    申请日:2013-02-28

    Abstract: 通过本发明,作为基材与阻挡性层叠体的粘附性得到改善的阻气膜,提供一种阻气膜,其是依次包含塑料膜、有机层及无机层的阻气膜,在上述塑料膜及上述有机层之间,具有包含选自由硅氧化物、硅氮化物及硅碳化物组成的组中的1种以上的化合物的硅化合物层,上述塑料膜及上述的硅化合物层、以及上述的硅化合物层及上述有机层分别彼此邻接,上述的硅化合物层的膜厚为40nm以下,上述有机层为由包含聚合性化合物及硅烷偶联剂的组合物形成的层。

    各向异性导电构件及其制备方法

    公开(公告)号:CN102318141A

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN201080007930.X

    申请日:2010-02-17

    CPC classification number: H01R13/2435 H01B1/023 H01R12/7082

    Abstract: 本发明提供一种各向异性导电构件,所述各向异性导电构件具有显著增加的导电通路设置密度,并且即使现在已经获得了较高的集成化水平时,也可以将其用作用于电子部件如半导体器件的电连接构件或检查连接器,并且它具有优异的挠性。该各向异性导电构件包括:绝缘基材和多个导电通路,所述导电通路由导电材料制成,彼此绝缘,并且在绝缘基材的厚度方向上延伸通过所述绝缘基材,所述导电通路的每一个的一端在所述绝缘基材的一侧突出,所述导电通路的每一个的另一端在所述绝缘基材的另一侧暴露或突出。绝缘基材由树脂材料制成,并且导电通路以至少1,000,000个导电通路/mm2的密度形成。

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