公开(公告)号：CN104136548A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380011207.2

申请日：2013-01-16

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 三田村康弘 ,  中山昌哉 ,  松並由木

IPC: C08L101/00 ,  B32B15/08 ,  C08K5/3447 ,  C08K5/3472 ,  C08K5/46 ,  H05K1/03 ,  H05K3/28

CPC classification number: H05K1/0256 ,  B32B3/08 ,  B32B5/024 ,  B32B7/12 ,  B32B15/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/281 ,  B32B27/283 ,  B32B27/30 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/322 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B27/42 ,  B32B2255/205 ,  B32B2260/021 ,  B32B2260/046 ,  B32B2262/0269 ,  B32B2262/101 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2457/00 ,  C08K5/378 ,  C08K5/47 ,  H01B3/447 ,  H05K1/092 ,  H05K3/285 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0145 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0206 ,  H05K2201/032 ,  H05K2201/0769 ,  Y10T428/2804

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可形成银离子扩散抑制层的银离子扩散抑制层形成用组成物，所述银离子扩散抑制层可抑制含有银或银合金的金属配线间的银的离子迁移，且提高金属配线间的绝缘可靠性。本发明的银离子扩散抑制层形成用组成物含有：绝缘树脂以及化合物，而所述化合物具有：选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；巯基；以及一个以上的可含有杂原子的烃基，且烃基中的碳原子的合计数(然而，在具有多个烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。

公开(公告)号：CN104136548B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380011207.2

申请日：2013-01-16

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 三田村康弘 ,  中山昌哉 ,  松並由木

IPC: C08L101/00 ,  B32B15/08 ,  C08K5/3447 ,  C08K5/3472 ,  C08K5/46 ,  H05K1/03 ,  H05K3/28

CPC classification number: H05K1/0256 ,  B32B3/08 ,  B32B5/024 ,  B32B7/12 ,  B32B15/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/281 ,  B32B27/283 ,  B32B27/30 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/322 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B27/42 ,  B32B2255/205 ,  B32B2260/021 ,  B32B2260/046 ,  B32B2262/0269 ,  B32B2262/101 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2457/00 ,  C08K5/378 ,  C08K5/47 ,  H01B3/447 ,  H05K1/092 ,  H05K3/285 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0145 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0206 ,  H05K2201/032 ,  H05K2201/0769 ,  Y10T428/2804

Abstract: 本发明的目的在于提供一种银离子扩散抑制层形成用组成物、银离子扩散抑制层用膜及其应用，所述银离子扩散抑制层形成用组成物可形成银离子扩散抑制层，所述银离子扩散抑制层可抑制含有银或银合金的金属配线间的银的离子迁移，且提高金属配线间的绝缘可靠性。本发明的银离子扩散抑制层形成用组成物含有：绝缘树脂以及化合物，而所述化合物具有：选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；巯基；以及一个以上的可含有杂原子的烃基，且烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。