公开(公告)号：CN100461449C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200380110455.9

申请日：2003-10-23

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 姉崎彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体装置，其包括具有阻挡特性的绝缘膜侧壁间隔体。该半导体装置包括：形成在半导体基底上的栅氧化物膜和栅极；形成在半导体基底中的源/漏区；以及形成在栅极的侧壁上的第一多层侧壁间隔体。所述第一多层侧壁间隔体具有两层或更多层，并包括氮化物膜作为除最外层以外的层。侧壁间隔体的最外层由氧化物膜或氮氧化合物膜制成，且其底面与所述半导体基底、所述栅氧化物膜或侧壁间隔体的除所述氮化物膜层以外的层接触。该半导体装置还可以包括非易失性存储器的多层栅极结构、和形成在所述多层栅极结构的侧壁上的第二多层侧壁间隔体。所述第二多层侧壁间隔体具有三层或更多层，并包括作为不与所述半导体基底接触的中间层的氮化物膜。

公开(公告)号：CN100514650C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN03825383.6

申请日：2003-04-10

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 江间泰示 ,  儿嶋秀之 ,  姉崎彻

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，能够以较少的工序制造出具有所期望的特性的多种类型的晶体管。该半导体装置具有：到达第1深度的元件分离区域；第1导电型的第1和第2阱；第1晶体管，形成于第1阱，具有第1厚度的栅极绝缘膜、和第2导电型的源极/漏极区域和栅电极；以及第2晶体管，形成于第2阱内，具有比第1厚度薄的第2厚度的栅极绝缘膜、和第2导电型的源极/漏极区域和栅电极，第1阱具有仅在与第1深度相同或更深的深度具有最大值的第1杂质浓度分布，第2阱具有第2杂质浓度分布，该分布在与第1阱相同的第1杂质浓度分布上重合了在比第1深度浅的第2深度具有最大值的杂质浓度分布，使得整体上在第2深度显示最大值。