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公开(公告)号：CN105122469A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201380075744.3
申请日：2013-04-19
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 奥村滋一
IPC: H01L31/105
CPC classification number: H01L31/105 , G02B6/1228 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/109 , H01L31/1804 , H01L31/1808 , H01L31/1864 , H04J14/02
Abstract: 本发明涉及半导体受光元件及其制造方法，兼得在较宽的波长带的动作和较高的高速响应以及较高的响应效率。在表面是单晶Si层的基板上形成依次层叠有第一导电型Si层、未掺杂Ge层、以及第二导电型Ge层的PIN型光电二极管，在该周围的至少一部分设置Ge电流阻挡机构。
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公开(公告)号：CN105122469B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380075744.3
申请日：2013-04-19
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 奥村滋一
IPC: H01L31/105
CPC classification number: H01L31/105 , G02B6/1228 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/109 , H01L31/1804 , H01L31/1808 , H01L31/1864 , H04J14/02
Abstract: 本发明涉及半导体受光元件及其制造方法，兼得在较宽的波长带的动作和较高的高速响应以及较高的响应效率。在表面是单晶Si层的基板上形成依次层叠有第一导电型Si层、未掺杂Ge层、以及第二导电型Ge层的PIN型光电二极管，在该周围的至少一部分设置Ge电流阻挡机构。
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公开(公告)号：CN102834990B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180017099.0
申请日：2011-01-12
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01S5/026
CPC classification number: H01S5/2081 , B82Y20/00 , H01S5/02288 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/12 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34306
Abstract: 本发明的目的是提高光半导体集成元件的可靠性及性能。本发明的光半导体集成元件（1），其含有在基板（30）的（001）面上方形成的第1光半导体元件（10）、和在基板（30）的（001）面上方且在第1光半导体元件（10）的[110]方向上与第1光半导体元件（10）光学连接地形成的第2光半导体元件（20）。第1光半导体元件（10），其含有第1芯层（11）、和在第1芯层（11）上方形成且在第2光半导体元件（20）侧的侧面上具有与（001）面构成的角度θ为55°以上且90°以下的结晶面的第1覆层（12）。
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公开(公告)号：CN102834990A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180017099.0
申请日：2011-01-12
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01S5/026
CPC classification number: H01S5/2081 , B82Y20/00 , H01S5/02288 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/12 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34306
Abstract: 本发明的目的是提高光半导体集成元件的可靠性及性能。本发明的光半导体集成元件（1），其含有在基板（30）的（001）面上方形成的第1光半导体元件（10）、和在基板（30）的（001）面上方且在第1光半导体元件（10）的[110]方向上与第1光半导体元件（10）光学连接地形成的第2光半导体元件（20）。第1光半导体元件（10），其含有第1芯层（11）、和在第1芯层（11）上方形成且在第2光半导体元件（20）侧的侧面上具有与（001）面构成的角度θ为55°以上且90°以下的结晶面的第1覆层（12）。
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