公开(公告)号：CN103247936B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201310043724.X

申请日：2013-02-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 植竹理人 ,  高林和雅

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/227 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13

CPC classification number: G02B6/12 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/1228 ,  H01S5/0268 ,  H01S5/1014

Abstract: 本申请揭示一种光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法。该光学半导体器件包括：波导单元，形成在具有（100）平面的半导体衬底上并且包括用来传播光的芯层；光斑尺寸转换单元，形成在该半导体衬底上，通过光学方式连接到该波导单元，并且转换传播光的直径；以及一对阶梯部，形成在该半导体衬底上并且在夹设该光斑尺寸转换单元的同时彼此相对。将该光斑尺寸转换单元夹设在该对阶梯部中的同时彼此相对的相对单元之间的间隔是变化的，而且所述相对单元中每一个均包括取向相对于[011]方向朝向[0-11]方向倾斜的部分，以及该光斑尺寸转换单元上端的位置高于该波导单元上端的位置。

公开(公告)号：CN103247936A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310043724.X

申请日：2013-02-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 植竹理人 ,  高林和雅

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/227 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13

CPC classification number: G02B6/12 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/1228 ,  H01S5/0268 ,  H01S5/1014

Abstract: 本申请揭示一种光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法。该光学半导体器件包括：波导单元，形成在具有（100）平面的半导体衬底上并且包括用来传播光的芯层；光斑尺寸转换单元，形成在该半导体衬底上，通过光学方式连接到该波导单元，并且转换传播光的直径；以及一对阶梯部，形成在该半导体衬底上并且在夹设该光斑尺寸转换单元的同时彼此相对。将该光斑尺寸转换单元夹设在该对阶梯部中的同时彼此相对的相对单元之间的间隔是变化的，而且所述相对单元中每一个均包括取向相对于[011]方向朝向[0-11]方向倾斜的部分，以及该光斑尺寸转换单元上端的位置高于该波导单元上端的位置。

公开(公告)号：CN102834990B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180017099.0

申请日：2011-01-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 奥村滋一 ,  江川满 ,  苫米地秀一 ,  植竹理人

IPC: H01S5/026

CPC classification number: H01S5/2081 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34306

Abstract: 本发明的目的是提高光半导体集成元件的可靠性及性能。本发明的光半导体集成元件（1），其含有在基板（30）的（001）面上方形成的第1光半导体元件（10）、和在基板（30）的（001）面上方且在第1光半导体元件（10）的[110]方向上与第1光半导体元件（10）光学连接地形成的第2光半导体元件（20）。第1光半导体元件（10），其含有第1芯层（11）、和在第1芯层（11）上方形成且在第2光半导体元件（20）侧的侧面上具有与（001）面构成的角度θ为55°以上且90°以下的结晶面的第1覆层（12）。

公开(公告)号：CN102834990A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180017099.0

申请日：2011-01-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 奥村滋一 ,  江川满 ,  苫米地秀一 ,  植竹理人

IPC: H01S5/026

CPC classification number: H01S5/2081 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34306

Abstract: 本发明的目的是提高光半导体集成元件的可靠性及性能。本发明的光半导体集成元件（1），其含有在基板（30）的（001）面上方形成的第1光半导体元件（10）、和在基板（30）的（001）面上方且在第1光半导体元件（10）的[110]方向上与第1光半导体元件（10）光学连接地形成的第2光半导体元件（20）。第1光半导体元件（10），其含有第1芯层（11）、和在第1芯层（11）上方形成且在第2光半导体元件（20）侧的侧面上具有与（001）面构成的角度θ为55°以上且90°以下的结晶面的第1覆层（12）。